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三星(SAMSUNG)
三星Exynos 2600性能超越蘋果
手機與無線通信
三星
Exynos 2600
蘋果
|
2025-10-20
三星購買了兩款ASML高數(shù)值孔值EUV工具
EDA/PCB
三星
ASML
高數(shù)值孔值
EUV
|
2025-10-16
NVIDIA將三星工廠添加到NVLink Fusion 生態(tài)系統(tǒng)中用于定制芯片制造
EDA/PCB
NVIDIA
三星
NVLink Fusion
定制芯片制造
|
2025-10-14
三星押注新Exynos芯片重振系統(tǒng)半導體業(yè)務(wù)
手機與無線通信
三星
Exynos
系統(tǒng)半導體
|
2025-10-10
OpenAI攜手AMD和三星設(shè)定新路線,試圖打破NVIDIA和SK AI芯片壟斷
網(wǎng)絡(luò)與存儲
OpenAI
AMD
三星
NVIDIA
SK
AI芯片
|
2025-10-10
三星展開2nm價格競爭,報價只有臺積電的三分之二
三星
2nm
臺積電
|
2025-09-30
三星代工的2nm驍龍8 Elite Gen5被砍,廠商無人問津
手機與無線通信
三星
2nm
驍龍8 Elite Gen5
|
2025-09-30
因涉嫌向中國泄露DRAM技術(shù)被捕的三星、海力士前高管獲保釋
網(wǎng)絡(luò)與存儲
DRAM
三星
海力士
|
2025-09-29
三大存儲器巨頭正在投資1c DRAM,瞄準AI和HBM市場
網(wǎng)絡(luò)與存儲
存儲器
1c DRAM
AI
HBM
三星
SK海力士
美光
|
2025-09-29
三星是否可以挑戰(zhàn)臺積電的統(tǒng)治力?
EDA/PCB
三星
臺積電
|
2025-09-28
SK 海力士據(jù)報道與客戶協(xié)商價格調(diào)整,跟隨美光和三星
網(wǎng)絡(luò)與存儲
DRAM
NAND
三星
AI
海力士
|
2025-09-23
三星、SK海力士股價飆升的原因:全球科技熱潮推動存儲芯片需求
網(wǎng)絡(luò)與存儲
三星
SK海力士
|
2025-09-23
三星存儲業(yè)務(wù)注入強心劑:12層HBM3E通過英偉達認證
三星
存儲
HBM3E
英偉達
SK海力士
美光
|
2025-09-23
三星HBM3E熬18個月終獲英偉達認證
網(wǎng)絡(luò)與存儲
三星
HBM3E
英偉達
|
2025-09-22
三星據(jù)報道首次外包光掩模,著眼于新的 EUV 光掩模技術(shù)
EDA/PCB
EUV
光刻機
掩膜
三星
|
2025-09-18
三星泰勒工廠將獲得2.5億美元的贈款
EDA/PCB
三星
泰勒工廠
半導體創(chuàng)新基金
|
2025-09-18
三星現(xiàn)在將為以色列公司生產(chǎn)汽車芯片
汽車電子
三星
以色列公司
汽車芯片
Valens
|
2025-09-17
三星泰勒廠面臨簽證難題,恐影響2026年投產(chǎn)計劃
EDA/PCB
三星
泰勒
簽證難題
|
2025-09-15
長江存儲加速產(chǎn)能擴張:新公司注冊資本達207億,其認繳出資104億元
長江存儲
YMTC
NAND
三星
|
2025-09-09
美國政府考慮為三星和 SK 海力士向其中國晶圓廠供應(yīng)設(shè)備發(fā)放年度許可證
EDA/PCB
三星
海力士
晶圓設(shè)備
|
2025-09-09
三星Exynos 2600將成為全球首款2nm手機芯片,尚未確定旗艦Galaxy S26系列是否采用
三星
Exynos 2600
2nm
芯片
Galaxy S26
|
2025-09-04
三星計劃在 Galaxy S26 機型中使用 Exynos 2600,減少對高通的依賴
手機與無線通信
三星
智能手機
SoC
Exynos
|
2025-09-04
美國撤銷三大半導體企業(yè)在華的設(shè)備豁免
半導體
三星
英特爾
SK海力士
|
2025-09-02
中國抨擊美國撤銷英特爾、三星和海力士的 VEU 授權(quán)
EDA/PCB
中國
美國
英特爾
三星
海力士
VEU授權(quán)
|
2025-09-02
三星和SK海力士失去美國芯片裝備豁免
EDA/PCB
三星
SK海力士
芯片裝備豁免
|
2025-09-01
美國撤銷對三星、SK 海力士的中國芯片制造工具許可證:解碼市場影響
網(wǎng)絡(luò)與存儲
三星
海力士
晶圓廠
NAND
|
2025-09-01
代工屆的“孫劉聯(lián)合”,三星欲攜手英特爾合作追趕臺積電
EDA/PCB
代工
三星
英特爾
臺積電
封裝
玻璃基板
|
2025-09-01
2025年第二季度全球DRAM市場分析
網(wǎng)絡(luò)與存儲
DRAM
SK海力士
三星
美光
HBM
|
2025-08-28
三星與SK海力士擬放緩2025年NAND投資計劃
網(wǎng)絡(luò)與存儲
三星
SK海力士
NAND
|
2025-08-26
據(jù)報道英特爾開始授權(quán)玻璃基板技術(shù),可能為三星和 Absolics 帶來潛在提升
EDA/PCB
英特爾
三星
Absolics
|
2025-08-22
傳特朗普強行入股英特爾/臺積電/三星/美光
EDA/PCB
特朗普
英特爾
臺積電
三星
美光
|
2025-08-21
據(jù)報道,三星趁機招募英特爾人才,聘請玻璃基板和封裝專家
EDA/PCB
三星
英特爾
封裝
|
2025-08-21
臺積電2nm制程計劃將對所有客戶“不打折、不議價”,價格比3nm高出約50%-66%
臺積電
2nm
3nm
三星
|
2025-08-21
據(jù)報道,美國考慮在 CHIPS 法案的受益者中投入股份,增加了臺積電和三星的風險
國際視野
臺積電
三星
美光
美國
芯片法案
|
2025-08-20
據(jù)報道,三星將在 2027 年為特斯拉供應(yīng) 8 英寸 OLED 屏幕,可能用于 Optimus 機器人
機器人
三星
人形機器人
特斯拉
|
2025-08-19
據(jù)報道,三星在 2025 年上半年 DRAM 市場份額降至 33%,押注 HBM 和 DDR5 復蘇
網(wǎng)絡(luò)與存儲
三星
DRAM
存儲
|
2025-08-15
據(jù)報道,三星計劃在橫濱建立耗資1.7億美元的芯片封裝研發(fā)中心,預計將于2027年3月開放
EDA/PCB
三星
晶圓代工
研發(fā)中心
美國
|
2025-08-14
陸行之揭特斯拉AI芯片轉(zhuǎn)單三星背后原因
EDA/PCB
特斯拉
AI芯片
三星
臺積電
|
2025-08-13
三星加速布局美國市場,投資或達500億美元
EDA/PCB
三星
泰勒
2 納米
|
2025-08-12
三星可能將泰勒的投資增加至500億美元以上,有望成為美國第二大晶圓廠。
EDA/PCB
三星
晶圓代工
美國
|
2025-08-11
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