南韓科技巨擘三星電子在高帶寬記憶體（HBM）競(jìng)爭(zhēng)賽道上落后于主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士以及美光。 但據(jù)韓媒報(bào)道，如今總算有好消息傳出！ 三星第5代12層高帶寬內(nèi)存HBM3E產(chǎn)品終于通過英偉達(dá)質(zhì)量驗(yàn)證測(cè)試。 此一進(jìn)展不僅象征三星在HBM技術(shù)上的突破，也可能改寫其在高端存儲(chǔ)器市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局。

據(jù)韓媒《Business Korea》與《韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》（The Korea Economic Daily）報(bào)導(dǎo)，三星從完成HBM3E 12層芯片的開發(fā)，歷經(jīng)多次英偉達(dá)性能測(cè)試失敗，到最終通過認(rèn)證，整整耗時(shí)18個(gè)月，成為繼SK海力士與美光（Micron）之后，第3家獲得認(rèn)證的供應(yīng)商。 雖然預(yù)期初期供貨量有限，但此舉具有高度象征意義，有助于消除外界對(duì)三星技術(shù)穩(wěn)定性的質(zhì)疑，尤其是針對(duì)散熱問題的爭(zhēng)議。

一位業(yè)內(nèi)高層坦言，「對(duì)三星來說，供貨英偉達(dá)與其說是為了營收，不如說是為了自尊。 獲得英偉達(dá)的認(rèn)可意味著其技術(shù)重回正軌“。

目前，三星已穩(wěn)定向超微（AMD）與博通（Broadcom）供應(yīng)HBM3E 12層芯片，但在英偉達(dá)品質(zhì)測(cè)試方面曾面臨長(zhǎng)期挑戰(zhàn)。 此次通過測(cè)試，意味著三星有望在下一代HBM4競(jìng)爭(zhēng)中與對(duì)手并駕齊驅(qū)。

報(bào)道中提及，真正的競(jìng)爭(zhēng)戰(zhàn)場(chǎng)已經(jīng)轉(zhuǎn)移到第6代高帶寬內(nèi)存HBM4，并且預(yù)計(jì)將于明年在英偉達(dá)的新一代圖形架構(gòu)Vera Rubin中首次亮相。 英偉達(dá)已經(jīng)要求供應(yīng)商將HBM4的數(shù)據(jù)傳輸速度提升到每秒10 Gbps以上，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于目前業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的8 Gbps。 知情人士透露，三星已經(jīng)展示了11 Gbps的傳輸速度，領(lǐng)先于SK海力士的10 Gbps，而美光要達(dá)到英偉達(dá)的要求，則顯得較為困難。

隨著HBM逐漸取代通用型DRAM成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的新焦點(diǎn)，三星、美光與SK海力士三強(qiáng)之間的競(jìng)爭(zhēng)將日益激烈。 若三星能在英偉達(dá)供應(yīng)鏈中取得實(shí)質(zhì)市占，將有助于推升整體業(yè)績(jī)表現(xiàn)。

三星計(jì)劃在本月向英偉達(dá)提供大量的HBM4樣品，期望能夠盡早獲得驗(yàn)證。 今年4月，三星曾表示，正在與主要的AI芯片廠商，包括英偉達(dá)、博通與Google，洽談供應(yīng)客制化第6代內(nèi)存HBM4的事宜。 三星透露，最快可望于2026年上半年開始為客戶量產(chǎn)HBM4芯片。

《韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》指出，為了追趕SK海力士，三星去年與其代工競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電合作，共同開發(fā)HBM4。 目前三星在HBM的競(jìng)賽中，落后于SK海力士，后者是英偉達(dá)HBM最先進(jìn)芯片的主要供應(yīng)商。