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          三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)注入強(qiáng)心劑:12層HBM3E通過英偉達(dá)認(rèn)證

          作者: 時(shí)間:2025-09-23 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          據(jù)韓國媒體最新報(bào)道,第五代12層產(chǎn)品通過了的認(rèn)證測(cè)試,成功進(jìn)入其供應(yīng)鏈體系,這一重大突破對(duì)意義非凡。隨著其技術(shù)實(shí)力獲認(rèn)可,這家韓國巨頭已與、形成三足鼎立之勢(shì),未來HBM市場(chǎng)的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)料將更趨白熱化。

          作為全球頭部的三大主要DRAM制造商之一,過去一直是全球最大的DRAM廠商,但是卻由于在HBM競(jìng)爭(zhēng)中落后,使得其被成功反超。本次三星通過的認(rèn)證花費(fèi)了約18個(gè)月,去年2月三星向英偉達(dá)提供首批12層芯片樣品測(cè)試,期間曾多次嘗試達(dá)到英偉達(dá)嚴(yán)苛的性能標(biāo)準(zhǔn),但均以失敗告終。

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          近年來,隨著人工智能(AI)對(duì)于訓(xùn)練及推理計(jì)算資源需求的持續(xù)增長,也帶動(dòng)了AI芯片對(duì)于HBM內(nèi)存的需求。而則憑借超過1TB/s的總線速度,成為英偉達(dá)、AMD、英特爾最新AI芯片(如英H200/B100/B200、MI350X)必備元件,沒有HBM3E,這些芯片的算力就無法完全釋放。

          英偉達(dá)與三星在HBM領(lǐng)域的合作糾葛已持續(xù)數(shù)月:最初三星在打入英偉達(dá)供應(yīng)鏈時(shí)遭遇阻礙,此前有報(bào)道稱三星HBM3產(chǎn)品存在散熱問題,而這一問題源于其DRAM技術(shù)缺陷。在HBM3產(chǎn)品折戟后,三星曾轉(zhuǎn)向8層HBM3E方案,但由于采用老舊的1a代第四代DRAM技術(shù),導(dǎo)致性能與散熱問題并存,該方案最終未獲英偉達(dá)認(rèn)可。據(jù)悉,三星此次通過大幅改進(jìn)DRAM設(shè)計(jì),并對(duì)HBM業(yè)務(wù)進(jìn)行重資產(chǎn)投入,才實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破。報(bào)道指出,這不僅關(guān)乎HBM銷售帶來的潛在營收,更是一場(chǎng)必須贏下來的保衛(wèi)戰(zhàn)。

          去年9月率先開始量產(chǎn)HBM3E 12層芯片,并成為了英偉達(dá)的主力供應(yīng)商;隨后,的HBM3E在今年第一季通過英偉達(dá)認(rèn)證。鑒于英偉達(dá)目前主要依賴SK海力士與供貨,而SK海力士、美光今年配額已全數(shù)售罄,預(yù)計(jì)三星初期獲得的HBM3E訂單規(guī)模有限。

          如今據(jù)KED Global披露,三星已正式通過英偉達(dá)的12層HBM3E產(chǎn)品認(rèn)證,這意味著該公司將與SK海力士、美光共同成為英偉達(dá)HBM供應(yīng)鏈的核心供應(yīng)商。對(duì)三星而言,此次供貨的意義更多在于技術(shù)認(rèn)可而非短期營收。獲得英偉達(dá)的認(rèn)證標(biāo)志著其技術(shù)重回正軌,為其低迷的業(yè)務(wù)注入強(qiáng)心劑。

          憑借此次突破,三星能在高帶寬內(nèi)存的第六代產(chǎn)品HBM4領(lǐng)域開始與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手同步布局。更值得關(guān)注的是,三星宣稱已借助最先進(jìn)的10nm級(jí)DRAM (1c) 技術(shù)及自家4nm邏輯芯片,實(shí)現(xiàn)HBM4產(chǎn)品11Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率,成為行業(yè)首個(gè)達(dá)此指標(biāo)的廠商。未來HBM4供應(yīng)體系有望進(jìn)一步擴(kuò)展至AMD、博通及谷歌等科技巨頭。

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          SK海力士仍然是英偉達(dá)的主要HBM供應(yīng)商,并表示已完成HBM4的開發(fā),并準(zhǔn)備進(jìn)行量產(chǎn),雖然提到了“超過10Gb/s”的性能,但尚未公布芯片規(guī)格、功率目標(biāo)或工藝細(xì)節(jié)。相比之下,三星在節(jié)點(diǎn)遷移方面更為積極,其HBM4基礎(chǔ)芯片正在轉(zhuǎn)向4nm FinFET工藝,旨在支持更高的時(shí)鐘速度和更低的開關(guān)功耗。

          HBM4預(yù)計(jì)將于明年在英偉達(dá)的下一代圖形架構(gòu)Vera Rubin中首次亮相。分析師表示,如果下一輪HBM4芯片測(cè)試成功,三星將能夠在人工智能計(jì)算核心內(nèi)存領(lǐng)域奪回市場(chǎng)份額。


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