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三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)注入強(qiáng)心劑：12層HBM3E通過英偉達(dá)認(rèn)證

據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道，三星第五代12層HBM3E產(chǎn)品通過了英偉達(dá)的認(rèn)證測(cè)試，成功進(jìn)入其供應(yīng)鏈體系，這一重大突破對(duì)三星意義非凡。隨著其技術(shù)實(shí)力獲英偉達(dá)認(rèn)可，這家韓國(guó)巨頭已與SK海力士、美光形成三足鼎立之勢(shì)，未來HBM市場(chǎng)的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)料將更趨白熱化。三星作為全球頭部的三大主要DRAM制造商之一，過去一直是全球最大的DRAM廠商，但是卻由于在HBM競(jìng)爭(zhēng)中落后SK海力士，使得其被成功反超。本次三星通過英偉達(dá)的認(rèn)證花費(fèi)了約18個(gè)月，去年2月三星向英偉達(dá)提供首批12層HBM3E芯片樣品測(cè)試，期間曾多次嘗試達(dá)到英偉達(dá)嚴(yán)苛的
關(guān)鍵字：三星存儲(chǔ) HBM3E 英偉達(dá) SK海力士美光

三星HBM3E熬18個(gè)月終獲英偉達(dá)認(rèn)證

南韓科技巨擘三星電子在高帶寬記憶體（HBM）競(jìng)爭(zhēng)賽道上落后于主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士以及美光。但據(jù)韓媒報(bào)道，如今總算有好消息傳出！三星第5代12層高帶寬內(nèi)存HBM3E產(chǎn)品終于通過英偉達(dá)質(zhì)量驗(yàn)證測(cè)試。此一進(jìn)展不僅象征三星在HBM技術(shù)上的突破，也可能改寫其在高端存儲(chǔ)器市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局。據(jù)韓媒《Business Korea》與《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》（The Korea Economic Daily）報(bào)導(dǎo)，三星從完成HBM3E 12層芯片的開發(fā)，歷經(jīng)多次英偉達(dá)性能測(cè)試失敗，到最終通過認(rèn)證，整整耗時(shí)18個(gè)月，成為繼SK
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三星在 NVIDIA的12-Hi HBM3E驗(yàn)證中再次失誤，重新測(cè)試定于9月進(jìn)行

隨著美光（爭(zhēng)奪 NVIDIA HBM 訂單的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手）宣布已交付其第一批 12 層 HBM4 樣品，據(jù)報(bào)道，三星在 6 月份第三次嘗試通過 NVIDIA 的 HBM3E 12 層驗(yàn)證時(shí)跌跌撞撞。據(jù)《商業(yè)郵報(bào)》援引證券分析師的話稱，該公司現(xiàn)在的目標(biāo)是在 9 月進(jìn)行重新測(cè)試。盡管 Deal Site 此前表示，三星的 12 層 HBM3E 已在 5 月通過了 NVIDIA 的裸片認(rèn)證，但該產(chǎn)品仍需要進(jìn)行全封裝驗(yàn)證。另一方面，SR Times 表示，三星自去年下半年以來一直在提
關(guān)鍵字：三星 NVIDIA 12-Hi HBM3E 失誤

HBM4爭(zhēng)霸戰(zhàn)開打美光領(lǐng)跑

生成式AI持續(xù)爆發(fā)，推升高帶寬記憶體（HBM）需求急遽攀升。全球三大內(nèi)存廠—美光、SK海力士與三星電子全面投入HBM4戰(zhàn)局，爭(zhēng)搶AI加速器內(nèi)存主導(dǎo)權(quán)。其中，美光搶先宣布送樣，技術(shù)領(lǐng)先態(tài)勢(shì)明顯。美光12日宣布，已將最新12層堆疊、容量達(dá)36GB的HBM4，送樣給多家全球客戶。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的1β DRAM制程，搭配2048位寬高速接口，單堆疊傳輸速率突破2.0 TB/s，效能較前一代HBM3E提升超過60%，能源效率亦提升逾20%，預(yù)計(jì)2026年正式量產(chǎn)。美光指出，HBM4具備內(nèi)存內(nèi)建自我測(cè)試（MBI
關(guān)鍵字： HBM4 美光 HBM3E

美光12hi HBM3e在CSP的強(qiáng)勁支持下，到8月出貨量可能超過8hi

當(dāng)三星全速推進(jìn)其 12hi HBM3e 驗(yàn)證和 HBM4 開發(fā)時(shí)，美光一直處于低調(diào)狀態(tài)。但據(jù) New Daily 報(bào)道，這家美國(guó)內(nèi)存巨頭正在悄然崛起——其 12hi HBM3e 良率正在迅速提高，贏得了主要 CSP 的好評(píng)。該報(bào)告援引美光在投資者會(huì)議上的言論，表明該公司對(duì) 12hi HBM3E 押下重注，并預(yù)計(jì)該產(chǎn)品最早在 8 月的出貨量將超過目前的 8hi HBM3e，目標(biāo)是在第三季度末達(dá)到穩(wěn)定的良率水平。此外，據(jù) New Daily 報(bào)道，由于 NVIDIA 可能會(huì)加快其下一代 R
關(guān)鍵字：美光 12hi HBM3e CSP 8hi

搶英偉達(dá)訂單？三星提前量產(chǎn)12層堆疊HBM3E

據(jù)韓國(guó)媒體ZDNet Korea報(bào)道，三星電子在2025年2月左右已提前開始量產(chǎn)12層堆疊的HBM3E高帶寬內(nèi)存，但尚未通過GPU巨頭英偉達(dá)的認(rèn)證，因此目前無法向其供貨。這一決定讓三星面臨積累大量庫(kù)存的風(fēng)險(xiǎn)。市場(chǎng)消息人士透露，三星對(duì)其12層堆疊HBM3E的性能和穩(wěn)定性充滿信心，認(rèn)為能夠順利通過英偉達(dá)的認(rèn)證流程。提前量產(chǎn)的策略旨在通過認(rèn)證后快速供貨，助力實(shí)現(xiàn)2025年HBM出貨量達(dá)到2024年兩倍的目標(biāo)。目前，英偉達(dá)最新的AI芯片主要采用SK海力士供應(yīng)的12層堆疊HBM3E。SK海力士憑借其在HBM市場(chǎng)的主
關(guān)鍵字：英偉達(dá) 三星 12層堆疊 HBM3E

Google AI芯片通知撤換三星HBM3E認(rèn)證再傳卡關(guān)

三星電子（Samsung Electronics）近來重兵部署在HBM先進(jìn)制程，但供應(yīng)鏈傳出，三星HBM3E認(rèn)證進(jìn)度再遭卡關(guān)，由于Google投入自行設(shè)計(jì)AI服務(wù)器芯片，原打算搭配三星HBM3E，并送交臺(tái)積電進(jìn)行CoWoS封裝，但日前卻突然通知三星HBM遭撤下。據(jù)了解，事發(fā)源頭是來自三星HBM3E未能通過NVIDIA認(rèn)證，Google為求保險(xiǎn)起見，可能改換美光（Micron）產(chǎn)品遞補(bǔ)供應(yīng)，相關(guān)市場(chǎng)消息近日在業(yè)界傳得沸沸揚(yáng)揚(yáng)。對(duì)此，消息源向三星求證，三星回復(fù)無法評(píng)論客戶相關(guān)事宜，相關(guān)開發(fā)計(jì)劃仍按照進(jìn)度執(zhí)行。
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消息稱 SK 海力士將獨(dú)家供應(yīng)英偉達(dá) 12 層 HBM3E 芯片

3 月 18 日消息，據(jù)臺(tái)媒 digitimes 今日消息，SK 海力士預(yù)計(jì)將獨(dú)家供應(yīng)英偉達(dá) Blackwell Ultra 架構(gòu)芯片第五代 12 層 HBM3E，預(yù)期與三星電子、美光的差距將進(jìn)一步拉大。SK 海力士于去年 9 月全球率先開始量產(chǎn) 12 層 HBM3E 芯片，實(shí)現(xiàn)了最大 36GB 容量。12 層 HBM3E的運(yùn)行速度可達(dá) 9.6Gbps，在搭載四個(gè) HBM 的 GPU 上運(yùn)行‘Llama 3 70B’大語言模型時(shí)每秒可讀取 35 次 700 億個(gè)整體參數(shù)的水平。去年 11 月，SK
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SK 海力士介紹全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存，明年初出樣

11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國(guó)首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存。該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn) 48GB 的單堆棧容量，預(yù)計(jì)明年初出樣。雖然一般認(rèn)為 16 層堆疊 HBM 內(nèi)存直到下一世代 HBM4 才會(huì)正式商用，但參考內(nèi)存領(lǐng)域 IP 企業(yè) Rambus 的文章，HBM3E 也有擴(kuò)展到 16 層的潛力。此外注意到，SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學(xué)術(shù)會(huì)議準(zhǔn)備的論文中也提到了可實(shí)現(xiàn) 1280G
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全球首款12層堆疊HBM3E，開始量產(chǎn)了

SK 海力士宣布，已開始量產(chǎn) 12H HBM3E 芯片，實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有 HBM 產(chǎn)品中最大的 36GB 容量。
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HBM3e 12hi面臨良率和驗(yàn)證挑戰(zhàn)，2025年HBM是否過剩仍待觀察

近期市場(chǎng)對(duì)于2025年HBM可能供過于求的擔(dān)憂加劇，而據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于明年廠商能否如期大量轉(zhuǎn)進(jìn)HBM3e仍是未知數(shù)，加上量產(chǎn)HBM3e 12hi的學(xué)習(xí)曲線長(zhǎng)，目前尚難判定是否會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)能過剩局面。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）與Micron（美光）已分別于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品，目前處于持續(xù)驗(yàn)證階段。其中SK hynix與Micron進(jìn)度較快，有望于今年底完成
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三星8層堆疊HBM3E已通過英偉達(dá)所有測(cè)試，預(yù)計(jì)今年底開始交付

三星去年10月就向英偉達(dá)提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，不過一直沒有通過英偉達(dá)的測(cè)試。此前有報(bào)道稱，已從多家供應(yīng)鏈廠商了解到，三星的HBM3E很快會(huì)獲得認(rèn)證，將在2024年第三季度開始發(fā)貨。據(jù)The Japan Times報(bào)道，三星的HBM3E終于通過了英偉達(dá)的所有測(cè)試項(xiàng)目，這將有利于其與SK海力士和美光爭(zhēng)奪英偉達(dá)計(jì)算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達(dá)還沒有最終確定供應(yīng)協(xié)議，但是問題不大，預(yù)計(jì)今年底開始交付。值得一提的是，三星還有更先進(jìn)的12層垂直堆疊HBM3E（32GB）樣品
關(guān)鍵字：三星 HBM3E 英偉達(dá) SK海力士 AI

公司 8 層 HBM3E 芯片已通過英偉達(dá)測(cè)試？三星回應(yīng)稱并不屬實(shí)

IT之家 8 月 7 日消息，今天早些時(shí)候路透社報(bào)道稱，三星的 8 層 HBM3E 芯片已通過英偉達(dá)測(cè)試?，F(xiàn)據(jù)韓媒 BusinessKorea 報(bào)道，三星電子回應(yīng)稱該報(bào)道并不屬實(shí)。對(duì)于這一傳聞，三星明確回應(yīng)稱：“我們無法證實(shí)與客戶相關(guān)的報(bào)道，但該報(bào)道不屬實(shí)。”此外，三星電子的一位高管表示，目前 HBM3E 芯片的質(zhì)量測(cè)試仍在進(jìn)行中，與上月財(cái)報(bào)電話會(huì)議時(shí)的情況相比沒有任何變化。此前路透社的報(bào)道稱，三星的 8 層 HBM3E 芯片已經(jīng)通過英偉達(dá)的測(cè)試，并將于第四季度開始供貨。IT之家注意到
關(guān)鍵字：三星 HBM3E

英偉達(dá)黃仁勛反駁三星HBM3e有問題

近日，英偉達(dá)(NVIDIA)執(zhí)行長(zhǎng)黃仁勛在2024年中國(guó)臺(tái)北國(guó)際電腦展上對(duì)三星HBM因過熱問題而未能通過測(cè)試的報(bào)道進(jìn)行了反駁。他表示，英偉達(dá)正在努力測(cè)試三星和美光生產(chǎn)的HBM芯片，但目前尚未通過測(cè)試，因?yàn)檫€有更多的工程工作要做。其中特別針對(duì)三星HBM產(chǎn)品的質(zhì)量問題，黃仁勛表示，認(rèn)證三星HBM需要更多工作和充足耐心，而并非部分媒體所報(bào)道的因芯片過熱問題未通過質(zhì)量測(cè)試。他重申，英偉達(dá)與三星的合作進(jìn)展順利。此前，三星也堅(jiān)決否認(rèn)有關(guān)其高帶寬存儲(chǔ)（HBM）產(chǎn)品未能達(dá)到英偉達(dá)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的報(bào)道。三星電子在一份聲明中表示，
關(guān)鍵字：英偉達(dá) 黃仁勛三星 HBM3e

韓媒分析三星HBM未通過英偉達(dá)認(rèn)證測(cè)試原因

在 HBM3 上，三星落后了。
關(guān)鍵字： HBM3 HBM3E

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