各大存儲器企業(yè)正專注于1c DRAM量產(chǎn)的新投資和轉(zhuǎn)換投資。主要內(nèi)存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設(shè)量產(chǎn)線，據(jù)報道，SK海力士正在討論其近期轉(zhuǎn)型投資的具體計劃。美光本月還獲得了日本政府的補貼，用于其新的 1c DRAM 設(shè)施。
1c DRAM是各大內(nèi)存公司計劃在今年下半年量產(chǎn)的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內(nèi)存）中主動采用 6c DRAM。SK海力士和美光計劃在包括服務(wù)器在內(nèi)的通用DRAM中使用1c DRAM。
三星電子正在最積極地擴大其 1c DRAM 產(chǎn)能。目前，該公司正在平澤 4 號園區(qū) （P4） 建設(shè)一條新的 1c DRAM 量產(chǎn)線，并正在投資將其華城 17 號線轉(zhuǎn)換為 1c DRAM。預(yù)計到今年年底，其將確保的產(chǎn)能將達到每月最多 60,000 片晶圓。
SK海力士在7月的2025年第二季度財報中宣布，“1c DRAM的轉(zhuǎn)換投資將于今年下半年開始，將于明年全面實施”，“我們目前正在制定管理計劃，具體計劃一旦確定，將分享”。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，改造投資很可能在利川的 M14 晶圓廠進行。M14 是一家晶圓廠，一直在重新利用其一些現(xiàn)有的 NAND 生產(chǎn)線進行 DRAM 大規(guī)模生產(chǎn)。SK海力士目前正在討論拆除那里的舊DRAM設(shè)施并引入1c DRAM生產(chǎn)線的計劃。

一位半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士解釋說，“1c工藝不僅可以用于服務(wù)器的高附加值DRAM，還可以用于HBM4E（第7代HBM），因此這是SK海力士正在關(guān)注的領(lǐng)域”，“雖然設(shè)施投資尚未確定，但我們預(yù)計明年將在該工藝的所有領(lǐng)域進行積極投資。