據(jù)《彭博社》報道，國政府似乎正在考慮用年度許可證取代為三星和 SK 海力士的無限期晶圓廠設備出口許可的決定。這一決定將增加顯著的監(jiān)管復雜性，但至少可以維持晶圓廠運營的連續(xù)性，這意味著不會擾亂全球 DRAM 和 NAND 存儲器的高波動供應。

以前，三星和 SK 海力士在經過驗證的最終用戶（VEU）狀態(tài)下運營，這使他們能夠根據(jù)事先遵守美國安全和監(jiān)控措施，獲得進口受限晶圓廠設備（WFE）到其中國晶圓廠的全面批準，這大大簡化了他們的運營。這些許可將于今年年底到期。

作為 VEU 的替代方案，美國商務部最近向韓國官員提出了一種“場地許可”模式。在這種方法下，三星和 SK 海力士每年都需要申請一次，以獲得固定設備和材料的許可，并提前指定數(shù)量。目的是讓晶圓廠繼續(xù)運營，同時不允許升級或擴建可能增強中國獲取先進芯片技術的工廠。

雖然這種妥協(xié)可以防止供應鏈沖擊，但韓國官員和執(zhí)行官們對其僵化表示擔憂。設備故障或意外的維修需求可能不在初始許可范圍內，如果年中需要新的批準，可能會導致延誤。美國官員回應稱緊急許可可以快速批準，但行業(yè)內部仍存在疑慮。

出口管制政策的變化是在美國工具出口限制之后，美國工具可用于制造使用 16 納米級或更先進節(jié)點的 FinFET 晶體管、半間距尺寸為 18 納米的 DRAM 和 128 層或以上的 3D NAND 閃存的邏輯芯片，這些工具于 2022 年啟動，以限制中國發(fā)展先進芯片和計算機。然而，英特爾、三星、SK 海力士和臺積電在簡化其在中國的晶圓廠運營方面遭到了動搖。

最終，華盛頓希望更好地了解運往中國晶圓廠的貨物，即使這些設施歸韓國和臺灣等盟國公司所有。盡管有反對意見，但年度站點許可證模式可能是最可行的選擇。據(jù)報道，特朗普官員仍然堅定地反對回歸 VEU 框架，他們批評這是拜登時代的漏洞。然而，每年處理數(shù)千份個人許可證申請對于政府和公司來說都是不可行的。