頭部廠商中，SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發(fā)優(yōu)勢，二季度DRAM銷售收入達(dá)122.71億美元，環(huán)比增長25.1%，市場份額提升至38.2%，連續(xù)第二個季度穩(wěn)居全球第一，并進(jìn)一步拉開與三星的差距。

· 三星以107.58億美元收入位列第二，環(huán)比增長13%，市場份額33.5%；

· 美光科技收入70.71億美元（統(tǒng)計周期為2025年3-5月），環(huán)比增長15.5%，市場份額22%。

傳統(tǒng)DRAM供需失衡

CFMS分析指出，AI服務(wù)器對HBM3E及高容量DDR5的需求激增，疊加數(shù)據(jù)中心采購升溫，成為市場增長主引擎。與此同時，頭部廠商加速DDR4產(chǎn)能縮減以轉(zhuǎn)向先進(jìn)制程，導(dǎo)致傳統(tǒng)DDR4/LPDDR4X供需結(jié)構(gòu)失衡，價格與需求快速攀升。

這一趨勢推動南亞科技與華邦電子等中小廠商業(yè)績暴漲：

· 南亞科技二季度收入3.43億美元，環(huán)比增長54.8%，市場份額1.1%；

· 華邦電子收入1.83億美元，環(huán)比增長24.1%，市場份額0.6%。

國內(nèi)存儲供應(yīng)商亦受益于傳統(tǒng)DRAM漲價潮，并通過產(chǎn)能擴(kuò)張滿足本土市場需求。CFMS預(yù)測，隨著技術(shù)升級與供應(yīng)鏈整合深化，國內(nèi)廠商市場份額有望在2025年內(nèi)持續(xù)擴(kuò)大。

全球DRAM競爭進(jìn)入新階段

SK海力士、三星與美光均表示，將進(jìn)一步擴(kuò)大HBM3E及128GB DDR5等高附加值產(chǎn)品產(chǎn)能。美光預(yù)計，2025年HBM市場規(guī)模將突破150億美元，占DRAM總市場比重超20%。

與此同時，數(shù)據(jù)中心與汽車智能化對大容量、高帶寬存儲的需求，將持續(xù)推動DRAM技術(shù)向更先進(jìn)制程演進(jìn)。CFMS指出，2025年下半年，1β（約10nm級）制程DDR5產(chǎn)品有望逐步量產(chǎn)，進(jìn)一步拉動市場增長。

AI與數(shù)據(jù)中心需求的爆發(fā)，正重塑DRAM市場格局。SK海力士憑借HBM技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢鞏固霸主地位，而傳統(tǒng)DRAM的供需失衡則為中小廠商帶來階段性機(jī)遇。隨著國內(nèi)廠商加速技術(shù)追趕，全球DRAM競爭有望進(jìn)入新階段。