據(jù)悉，三星電子和海力士半導體（現(xiàn)SK海力士）前高管崔振錫因向中國泄露三星電子自主研發(fā)的投資4萬億韓元的DRAM工藝技術而被起訴，在接受一審期間被保釋。
首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級法官）15日批準崔某保釋。崔于去年9月因違反《防止泄露和保護工業(yè)技術法》等罪名被捕起訴，并于今年3月被額外起訴。根據(jù)《刑事訴訟法》，一審拘留期為六個月。法院在拘留期屆滿前依職權(quán)準予保釋。
此外，據(jù)報道，與崔一起被捕并被起訴的前三星電子高級研究員吳氏已于 8 月 28 日被保釋。吳某于同月21日申請保釋，法院受理。
兩人的保釋條件包括1億韓元押金和居住限制。他們還必須在法院傳喚時在規(guī)定的日期、時間和地點出庭，在出境前獲得法院批準，不得逃跑或銷毀證據(jù)。此外，他們被禁止與同案被告或其他與案件有關的人聯(lián)系，并被要求佩戴能夠?qū)崟r跟蹤其位置的電子設備。
此前，曾在三星電子和海力士半導體擔任高管的崔與吳一起被逮捕并被起訴，罪名是向中國泄露三星電子自主研發(fā)的DRAM工藝技術。
崔等人泄露的DRAM半導體工藝技術被稱為三星電子投資約4萬億韓元開發(fā)的國家核心技術。據(jù)檢察官稱，崔獲得了一家中國半導體公司價值約860億韓元的股權(quán)作為犯罪的報酬，并獲得了18億韓元的犯罪所得作為賠償。崔與吳一起經(jīng)營的中國半導體制造商成都高真 （CHJS） 公司也因同樣的罪名受審。