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三大存儲器巨頭正在投資1c DRAM，瞄準(zhǔn)AI和HBM市場
- 各大存儲器企業(yè)正專注于1c DRAM量產(chǎn)的新投資和轉(zhuǎn)換投資。主要內(nèi)存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設(shè)量產(chǎn)線，據(jù)報道，SK海力士正在討論其近期轉(zhuǎn)型投資的具體計劃。美光本月還獲得了日本政府的補貼，用于其新的 1c DRAM 設(shè)施。1c DRAM是各大內(nèi)存公司計劃在今年下半年量產(chǎn)的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內(nèi)存）中主動采用 6c DRAM。SK海力士和美光計劃在包括服務(wù)器在內(nèi)的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
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超越HBM！HBF未來崛起，NAND堆疊成為AI新的存儲驅(qū)動力
- 據(jù)韓媒報道，被韓媒譽為“HBM之父”的韓國科學(xué)技術(shù)院（KAIST）電氣工程系教授金仲浩表示，高帶寬閃存（HBF）有望成為下一代AI時代的關(guān)鍵存儲技術(shù)，并將與HBM并行發(fā)展，共同推動各大芯片廠商的性能增長。HBF的設(shè)計理念與HBM類似，都利用硅通孔（TSV）連接多層堆疊芯片。不同的是，HBM以DRAM為核心，而HBF則利用NAND閃存進(jìn)行堆疊，具有“更高容量、更劃算”的優(yōu)勢。Kim Joung-ho指出，雖然NAND比DRAM慢，但其容量通常大10倍以上。有效地堆疊數(shù)百層甚至數(shù)千層，可以滿足AI模型的海量存
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HBM 之后是什么？堆疊式 NAND HBF 或?qū)⒊蔀?AI 未來的關(guān)鍵
- 根據(jù) The Elec 的報道，KAIST 教授金正浩指出，HBF（高帶寬閃存）——像 HBM 一樣堆疊的 NAND 閃存——可能成為 AI 未來的決定性因素。正如報道解釋的那樣，HBF 在結(jié)構(gòu)上與 HBM 相似，芯片堆疊并通過硅通孔（TSV）連接。關(guān)鍵的區(qū)別在于 HBF 使用 NAND 閃存代替了 DRAM。AI 瓶頸主要受限于內(nèi)存帶寬報告指出，金（Kim）強(qiáng)調(diào)當(dāng)前 AI 受限于內(nèi)存帶寬和容量。他解釋說，今天的基于 Transformer 的模型可以處理高達(dá) 100 萬個 token
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SK 海力士完成全球首款 HBM4，量產(chǎn)準(zhǔn)備就緒，待英偉達(dá)批準(zhǔn)
- SK hynix 今日宣布，已完成 HBM4 的開發(fā)，并最終準(zhǔn)備好大規(guī)模生產(chǎn)——成為世界上首家完成這一壯舉的公司。根據(jù)其新聞稿，該公司現(xiàn)在已準(zhǔn)備好按照客戶的時間表交付頂級 HBM4。在其新聞稿中，SK hynix 強(qiáng)調(diào)，其現(xiàn)已成為大規(guī)模生產(chǎn)準(zhǔn)備的 HBM4 提供了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的數(shù)據(jù)處理速度和能效。通過采用 2,048 個 I/O 端，帶寬已翻倍——是上一代的兩倍，而能效提高了 40%以上。該公司還預(yù)計 HBM4 將使 AI 服務(wù)性能提高高達(dá) 69%，有助于克服數(shù)據(jù)瓶頸，并顯著降低數(shù)據(jù)中心電力成本，據(jù)
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HBM 發(fā)展超越 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)，據(jù)報道代次周期縮短至 2.5 年
- 隨著下一代 HBM 的競爭加劇，內(nèi)存巨頭正在為 NVIDIA 的 Rubin 的需求激增做準(zhǔn)備。根據(jù) ZDNet 的報道，NVIDIA 計劃在 2026 年第一季度完成 HBM4 最終資格測試。然而，EE Times 指出，隨著美國芯片制造商在 GPU 開發(fā)方面迅速前進(jìn)，標(biāo)準(zhǔn)難以跟上步伐，定制 HBM 解決方案對于與 GPU 和加速器推出保持一致至關(guān)重要。EE Times 援引 Advantest 高級總監(jiān)、內(nèi)存產(chǎn)品營銷經(jīng)理 Jin Yokoyama 的話指出，與過去需要四到
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2025年第二季度全球DRAM市場分析
- 在AI需求爆發(fā)與高價值產(chǎn)品滲透的雙重推動下，2025年第二季度全球DRAM市場實現(xiàn)量價齊升。根據(jù)CFMS最新數(shù)據(jù)，二季度市場規(guī)模環(huán)比增長20%至321.01億美元，同比增長37%，創(chuàng)歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發(fā)優(yōu)勢，二季度DRAM銷售收入達(dá)122.71億美元，環(huán)比增長25.1%，市場份額提升至38.2%，連續(xù)第二個季度穩(wěn)居全球第一，并進(jìn)一步拉開與三星的差距?！?三星以107.58億美元收入位列第二，環(huán)比增長13%，市場份額33.5%；· 美光科技收入70.71億
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華為于 8 月 27 日進(jìn)軍全球 AI 內(nèi)存競賽，即將推出 AI SSD
- 在發(fā)布用于減少中國 HBM 依賴的 AI 推理加速工具 UCM（統(tǒng)一計算內(nèi)存）后不久，華為再次在內(nèi)存領(lǐng)域引起轟動，據(jù)中國媒體guancha.cn 和 國家商業(yè)日報 稱，華為計劃于 8 月 27 日推出一款新的 AI SSD如國家商業(yè)日報的報道所述，這一舉措表明華為正憑借其最新的 AI SSD 步入全球 AI 內(nèi)存競賽，加入了鎧俠和美光等內(nèi)存巨頭。報道補充說，鎧俠已制定了一個以 AI 驅(qū)動存儲創(chuàng)新、SSD 擴(kuò)展和資本效率為中心的中長期計劃，以加強(qiáng)其在 NAND 市場的地位，而美
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英偉達(dá)計劃于 2027 年開始設(shè)計 HBM 邏輯芯片，以在供應(yīng)鏈中獲得對臺積電、SK 海力的優(yōu)勢
- 根據(jù)韓國媒體韓聯(lián)社援引消息人士的話，英偉達(dá)計劃從 2027 年下半年開始承擔(dān) HBM 價值鏈中“邏輯芯片”的設(shè)計工作，這是一個核心組件，同時計劃多樣化其來源。報道指出，行業(yè)消息人士認(rèn)為英偉達(dá)的策略是為了重新平衡其與關(guān)鍵合作伙伴如臺積電和 SK 海力的關(guān)系，削弱他們的談判能力，并控制供應(yīng)成本。報道強(qiáng)調(diào)，SK 海力和其他內(nèi)存制造商迄今為止都是內(nèi)部生產(chǎn)邏輯芯片。然而，下一代 HBM4——將于今年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)——正推動向代工生產(chǎn)轉(zhuǎn)型。SK 海力已選擇臺積電承擔(dān)這一角色，報道指出，行業(yè)消息人士認(rèn)為美光也將這
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華為推出 UCM 算法以減少對 HBM 的依賴，據(jù)報道將在 9 月開源
- 雖然當(dāng)?shù)孛襟w關(guān)注華為減少中國 HBM 對人工智能推理的依賴，但這家科技巨頭在 8 月 12 日發(fā)布了 UCM（統(tǒng)一計算內(nèi)存）——據(jù)我的駕駛和證券時報報道，這是一種人工智能推理突破，可大幅降低延遲和成本，同時提高效率。值得注意的是，報道表明華為將在 2025 年 9 月開源 UCM，首先在 MagicEngine 社區(qū)推出，然后貢獻(xiàn)給主流推理引擎，并與 Share Everything 存儲供應(yīng)商和生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴分享。UCM 的變革性功能《證券時報》援引華為數(shù)字金融 CEO 曹健的話指出，高延遲和高成本仍
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泰瑞達(dá)推出適用于高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片的新一代內(nèi)存測試平臺Magnum 7H
- 全球領(lǐng)先的自動測試設(shè)備和機(jī)器人供應(yīng)商泰瑞達(dá)近日宣布推出新一代內(nèi)存測試平臺Magnum 7H，旨在滿足高性能生成式AI服務(wù)器中GPU和加速器所集成的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片測試的嚴(yán)苛要求。Magnum 7H專為大規(guī)模HBM堆疊裸片測試而設(shè)計，具備高同測數(shù)、高速和高精度三大特性。行業(yè)領(lǐng)先的HBM制造商已開始使用泰瑞達(dá)Magnum 7H平臺進(jìn)行HBM芯片的量產(chǎn)測試并出貨，產(chǎn)能得到大幅提升。泰瑞達(dá)內(nèi)存測試事業(yè)部總裁Young Kim表示：“我們隆重推出Magnum 7H，這是一款革新性的內(nèi)存測試平臺，它重新定義了
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手機(jī)裝上HBM，會怎樣？
- 在漫威電影宇宙中，鋼鐵俠的 AI 管家賈維斯，能理解復(fù)雜指令、實時提供各類信息、輔助戰(zhàn)甲高效運行，為觀眾描繪出強(qiáng)大的 AI 應(yīng)用場景。如今，隨著移動 HBM 技術(shù)的發(fā)展，我們的手機(jī)也在邁向具備類似強(qiáng)大 AI 能力的設(shè)備。那么，從移動 HBM 到「賈維斯」般的智能體驗，我們還有多少距離？移動HBM，到底是什么？在深入探討移動 HBM 之前，先來了解一下傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)在移動設(shè)備中的局限性。以智能手機(jī)為例，隨著 AI 攝影、AI 語音助手等功能的普及，手機(jī)需要在短時間內(nèi)處理大量的數(shù)據(jù)。在拍攝一張 AI
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半導(dǎo)體行業(yè)前5%的公司包攬了2024年該行業(yè)創(chuàng)造的全部利潤
- 據(jù)全球咨詢公司麥肯錫7月20日發(fā)布的報告顯示，包括英偉達(dá)、臺積電、博通等在內(nèi)的半導(dǎo)體行業(yè)前5%（按年銷售額計算）的公司，包攬了2024年該行業(yè)創(chuàng)造的全部利潤。前5%的半導(dǎo)體公司獲得的經(jīng)濟(jì)利潤高達(dá)1590億美元，而中間90%的公司利潤僅為50億美元，排名后5%的公司實際虧損370億美元。實際上，前5%的半導(dǎo)體公司獲得的成績單超過整個半導(dǎo)體市場創(chuàng)造的經(jīng)濟(jì)利潤（1470億美元）。這一市場轉(zhuǎn)變僅用了2~3年時間。在新冠疫情期間（2021-2022年），中間90%的企業(yè)每年獲得的經(jīng)濟(jì)利潤超過300億美元。換算成每家
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HBM 混合鍵合需求據(jù)報道在 2025 年下半年上升，BESI 和 ASMPT 展望增長
- 根據(jù) ZDNet 在 25 日的報道，引用行業(yè)消息人士稱，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體后端設(shè)備制造商預(yù)計將在 2025 年下半年擴(kuò)大其 HBM 混合鍵合業(yè)務(wù)。BESI 預(yù)計 2025 年下半年混合鍵合訂單將增長7 月 24 日，荷蘭設(shè)備制造商 BESI 在其 2025 年第二季度財報中表示，預(yù)計第三季度將表現(xiàn)強(qiáng)勁，先進(jìn)封裝設(shè)備訂單（包括混合鍵合系統(tǒng)）將增加。該公司指出，混合鍵合工具的需求預(yù)計在 2025 年下半年將顯著增長——與上半年相比，也與 2024 年同期相比——因為客戶
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據(jù)報道，2026 年 HBM 價格面臨兩位數(shù)下跌風(fēng)險，對 SK hynix 構(gòu)成挑戰(zhàn)
- 隨著英偉達(dá)以及 Meta、谷歌等云巨頭加大 AI 投入，推動 HBM 需求增長，分析師警告明年可能面臨價格下跌。據(jù)高盛稱，經(jīng)濟(jì)日報報道，競爭加劇和供過于求可能導(dǎo)致 2026 年首次出現(xiàn) HBM 價格下跌——這對市場領(lǐng)導(dǎo)者 SK hynix 構(gòu)成挑戰(zhàn)。值得注意的是，據(jù)高盛稱，2026 年 HBM 價格可能下跌兩位數(shù)。此外，競爭加劇以及定價權(quán)向主要客戶轉(zhuǎn)移（SK hynix 受影響嚴(yán)重）可能擠壓該公司的利潤空間，高盛警告稱。根據(jù)高盛的預(yù)測，HBM 價格下降的趨勢可能歸因于主要參與者 HBM 比特供應(yīng)的顯著增加
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主要內(nèi)存制造商的 DDR4 退出時間表逐漸明朗：三星、SK 海力士和美光計劃
- 隨著主要內(nèi)存制造商將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 DDR5 和 HBM，他們的 DDR4 淘汰時間表逐漸清晰。根據(jù)商業(yè)時報的報道，三星、SK 海力士和美光計劃在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出貨。TrendForce 的最新調(diào)查也顯示，三大 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高端產(chǎn)品，并已開始宣布 PC 和服務(wù)器級 DDR4 以及移動 LPDDR4X 的停產(chǎn)計劃。因此，預(yù)計 2025 年第三季度的傳統(tǒng) DRAM 合同價格將上漲 10%至 15%。包括 HBM 在內(nèi)，整體 DRAM 價格預(yù)計將上漲 15%至 2
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