日本a√视频在线,久久青青亚洲国产,亚洲一区欧美二区,免费g片在线观看网站

        <style id="k3y6c"><u id="k3y6c"></u></style>
        <s id="k3y6c"></s>
        <mark id="k3y6c"></mark>
          
          

          <mark id="k3y6c"></mark>

          首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> hbm.nand

          hbm.nand 文章 最新資訊

          長(zhǎng)江存儲(chǔ)全面完成股改,估值已超1600億元

          • 總部位于武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技控股有限責(zé)任公司(長(zhǎng)存集團(tuán))召開股份公司成立大會(huì)并選舉首屆董事會(huì),此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤(rùn)研究院最新發(fā)布的《2025全球獨(dú)角獸榜》中,長(zhǎng)江存儲(chǔ)以1600億元估值首次入圍,位列中國(guó)十大獨(dú)角獸第9、全球第21,成為半導(dǎo)體行業(yè)估值最高的新晉獨(dú)角獸。根據(jù)公開信息,2025年4月,養(yǎng)元飲品子公司泉泓、農(nóng)銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產(chǎn)、工融金投等15家機(jī)構(gòu)同步參與;7月,長(zhǎng)存集團(tuán)新增股東員工持股平臺(tái) —— 武漢市智芯計(jì)劃一號(hào)至六號(hào)企業(yè)管理合伙企業(yè)(有限合伙),上述兩筆
          • 關(guān)鍵字: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)  半導(dǎo)體  3D NAND  晶棧  Xtacking  

          三大存儲(chǔ)器巨頭正在投資1c DRAM,瞄準(zhǔn)AI和HBM市場(chǎng)

          • 各大存儲(chǔ)器企業(yè)正專注于1c DRAM量產(chǎn)的新投資和轉(zhuǎn)換投資。主要內(nèi)存公司正在加快對(duì) 1c(第 6 代 10nm 級(jí))DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設(shè)量產(chǎn)線,據(jù)報(bào)道,SK海力士正在討論其近期轉(zhuǎn)型投資的具體計(jì)劃。美光本月還獲得了日本政府的補(bǔ)貼,用于其新的 1c DRAM 設(shè)施。1c DRAM是各大內(nèi)存公司計(jì)劃在今年下半年量產(chǎn)的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1(第 4 代高帶寬內(nèi)存)中主動(dòng)采用 6c DRAM。SK海力士和美光計(jì)劃在包括服務(wù)器在內(nèi)的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  1c DRAM  AI  HBM  三星  SK海力士  美光  

          SK 海力士據(jù)報(bào)道與客戶協(xié)商價(jià)格調(diào)整,跟隨美光和三星

          • 存儲(chǔ)巨頭們正準(zhǔn)備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價(jià)。在三星和美光之后,SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據(jù) SeDaily 和 Business Korea 報(bào)道,正與客戶協(xié)商根據(jù)市場(chǎng)條件調(diào)整價(jià)格。在三大巨頭中,美光是第一個(gè)宣布提價(jià)的,據(jù) EE Times China9 月 12 日?qǐng)?bào)道,美光最初已通知渠道合作伙伴,DRAM 的價(jià)格將上漲 20%-30%,提價(jià)不僅涉及消費(fèi)級(jí)和工業(yè)級(jí)存儲(chǔ),還包括汽車電子,后者的價(jià)格漲幅可能達(dá)到 70%。行業(yè)消息來(lái)源還表
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  三星  AI  海力士   

          超越HBM!HBF未來(lái)崛起,NAND堆疊成為AI新的存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)力

          • 據(jù)韓媒報(bào)道,被韓媒譽(yù)為“HBM之父”的韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(KAIST)電氣工程系教授金仲浩表示,高帶寬閃存(HBF)有望成為下一代AI時(shí)代的關(guān)鍵存儲(chǔ)技術(shù),并將與HBM并行發(fā)展,共同推動(dòng)各大芯片廠商的性能增長(zhǎng)。HBF的設(shè)計(jì)理念與HBM類似,都利用硅通孔(TSV)連接多層堆疊芯片。不同的是,HBM以DRAM為核心,而HBF則利用NAND閃存進(jìn)行堆疊,具有“更高容量、更劃算”的優(yōu)勢(shì)。Kim Joung-ho指出,雖然NAND比DRAM慢,但其容量通常大10倍以上。有效地堆疊數(shù)百層甚至數(shù)千層,可以滿足AI模型的海量存
          • 關(guān)鍵字: HBM  HBF  NAND堆疊  AI  存儲(chǔ)  

          Kioxia 股價(jià)因 NAND 短缺上漲 70%;SK hynix 收獲股份收益

          • 根據(jù)韓國(guó)媒體《Yonhap Infomax》,日本 NAND 閃存生產(chǎn)商 Kioxia 的股價(jià)在 NAND 市場(chǎng)供應(yīng)短缺的情況下急劇上漲。報(bào)道指出,SK hynix——2018 年投資 390 億韓元入股 Kioxia——在多年等待后現(xiàn)在正實(shí)現(xiàn)顯著的價(jià)值增長(zhǎng)。報(bào)道指出,截至 16 日,Kioxia 在東京證券交易所的股價(jià)在過(guò)去一個(gè)月內(nèi)上漲了 70%。隨著鎧俠股價(jià)飆升,作為主要投資者的 SK 海力士也從中受益。據(jù)報(bào)道,2018 年 SK 海力士投資了 3950 億日元(約 3.9 萬(wàn)億韓元)的貝恩資本主導(dǎo)的
          • 關(guān)鍵字: 鎧俠  NAND  人工智能  SSD  

          美光凍結(jié)價(jià)格,推理 AI 推動(dòng) SSD 需求激增及供應(yīng)短缺

          • 隨著全球數(shù)據(jù)中心部署的加速,云巨頭正將其需求從訓(xùn)練 AI 轉(zhuǎn)向推理 AI,推動(dòng)了對(duì)大容量?jī)?nèi)存需求的持續(xù)增長(zhǎng),并導(dǎo)致內(nèi)存供應(yīng)緊張從 DRAM 轉(zhuǎn)向 NAND。供應(yīng)鏈消息人士透露,在上周閃迪將 NAND 價(jià)格上調(diào) 10%之后,美光也通知客戶將暫停所有產(chǎn)品的價(jià)格一周。行業(yè)內(nèi)部人士報(bào)告稱,美光將從今天開始停止向分銷商和 OEM/ODM 制造商報(bào)價(jià),涵蓋 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品,甚至不愿意討論明年的長(zhǎng)期合同。供應(yīng)鏈消息人士表示,在審查客戶 FCST(需求預(yù)測(cè))后,美光發(fā)現(xiàn)將面臨嚴(yán)重的供應(yīng)短缺,促使公司緊急暫停
          • 關(guān)鍵字: 美光  AI  存儲(chǔ)  NAND  SSD  

          HBM 之后是什么?堆疊式 NAND HBF 或?qū)⒊蔀?AI 未來(lái)的關(guān)鍵

          • 根據(jù) The Elec 的報(bào)道,KAIST 教授金正浩指出,HBF(高帶寬閃存)——像 HBM 一樣堆疊的 NAND 閃存——可能成為 AI 未來(lái)的決定性因素。正如報(bào)道解釋的那樣,HBF 在結(jié)構(gòu)上與 HBM 相似,芯片堆疊并通過(guò)硅通孔(TSV)連接。關(guān)鍵的區(qū)別在于 HBF 使用 NAND 閃存代替了 DRAM。AI 瓶頸主要受限于內(nèi)存帶寬報(bào)告指出,金(Kim)強(qiáng)調(diào)當(dāng)前 AI 受限于內(nèi)存帶寬和容量。他解釋說(shuō),今天的基于 Transformer 的模型可以處理高達(dá) 100 萬(wàn)個(gè) token
          • 關(guān)鍵字: AI  內(nèi)存  HBM  HBF  

          SK 海力士完成全球首款 HBM4,量產(chǎn)準(zhǔn)備就緒,待英偉達(dá)批準(zhǔn)

          • SK hynix 今日宣布,已完成 HBM4 的開發(fā),并最終準(zhǔn)備好大規(guī)模生產(chǎn)——成為世界上首家完成這一壯舉的公司。根據(jù)其新聞稿,該公司現(xiàn)在已準(zhǔn)備好按照客戶的時(shí)間表交付頂級(jí) HBM4。在其新聞稿中,SK hynix 強(qiáng)調(diào),其現(xiàn)已成為大規(guī)模生產(chǎn)準(zhǔn)備的 HBM4 提供了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的數(shù)據(jù)處理速度和能效。通過(guò)采用 2,048 個(gè) I/O 端,帶寬已翻倍——是上一代的兩倍,而能效提高了 40%以上。該公司還預(yù)計(jì) HBM4 將使 AI 服務(wù)性能提高高達(dá) 69%,有助于克服數(shù)據(jù)瓶頸,并顯著降低數(shù)據(jù)中心電力成本,據(jù)
          • 關(guān)鍵字: 海力士  HBM  存儲(chǔ)  

          長(zhǎng)江存儲(chǔ)加速產(chǎn)能擴(kuò)張:新公司注冊(cè)資本達(dá)207億,其認(rèn)繳出資104億元

          • 現(xiàn)在,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片龍頭長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)迎來(lái)了一個(gè)重磅消息。9月5日,長(zhǎng)存三期(武漢)集成電路有限責(zé)任公司正式注冊(cè)成立,注冊(cè)資本高達(dá)207.2億元人民幣,法定代表人為長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設(shè)計(jì)、銷售及芯片產(chǎn)品進(jìn)出口,并涉及技術(shù)服務(wù)、貨物進(jìn)出口、技術(shù)進(jìn)出口等全鏈條業(yè)務(wù),引起了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。股權(quán)結(jié)構(gòu)方面,長(zhǎng)存三期(武漢)集成電路有限責(zé)任公司由長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司與湖北長(zhǎng)晟三期投資發(fā)展有限責(zé)任公司共同持股 —— 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司持股比例為50.19%、認(rèn)繳104億元;湖北長(zhǎng)
          • 關(guān)鍵字: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)  YMTC  NAND  三星  

          內(nèi)存巨頭,脆弱的鏈接:韓國(guó)對(duì)日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴

          • 根據(jù) ZDNet 的報(bào)道,韓國(guó)可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先,但它仍然嚴(yán)重依賴日本的關(guān)鍵材料。該報(bào)告援引消息人士的話警告說(shuō),除非本地化進(jìn)程更快地推進(jìn),否則這種依賴可能會(huì)成為韓國(guó)在人工智能和 HBM 競(jìng)賽中的結(jié)構(gòu)性風(fēng)險(xiǎn)。報(bào)告指出,在 SK 海力士的 HBM 價(jià)值鏈中,超細(xì) TSV(硅通孔)堆疊結(jié)構(gòu)依賴于由日本公司主要壟斷的關(guān)鍵材料和設(shè)備。報(bào)告強(qiáng)調(diào),用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限,本地化進(jìn)展緩慢。此外,SK
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  NAND  DRAM  

          第二季度NAND收入環(huán)比增長(zhǎng)22%

          • TrendForce集邦咨詢表示,第二季度NAND收入前五大供應(yīng)商的總收入環(huán)比增長(zhǎng)22%,達(dá)到146.7億美元。三星第二季度收入環(huán)比增長(zhǎng) 23.8% 至 52 億美元,將三星的市場(chǎng)份額小幅提升至 32.9%。海力士第二季度收入環(huán)比增長(zhǎng) 52.5%,達(dá)到 33.4 億美元,市場(chǎng)份額為 21.1%。鎧俠第二季度營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)11.4%至21.4億美元,環(huán)比增長(zhǎng)11.4%,排名第三。美光收入環(huán)比增長(zhǎng) 3.7%,達(dá)到 21 億美元,市場(chǎng)份額為 13.3%。SanDisk 的收入環(huán)比增長(zhǎng) 12.2% 至 19 億美元
          • 關(guān)鍵字: NAND  Flash  TrendForce  

          美國(guó)撤銷對(duì)三星、SK 海力士的中國(guó)芯片制造工具許可證:解碼市場(chǎng)影響

          • 三星和 SK 海力士雖然暫時(shí)免于美國(guó)政府入股的風(fēng)險(xiǎn),但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進(jìn)口美國(guó)芯片制造設(shè)備——根據(jù) 路透社和 彭博社的數(shù)據(jù),三星和 SK 海力士在中國(guó)遇到了新的障礙 。正如聯(lián)邦文件所示,報(bào)告表明撤銷將在 120 天后開始。報(bào)道補(bǔ)充說(shuō),值得注意的是,美國(guó)政府表示將批準(zhǔn)三星和 SK 海力士的許可,以維持其在中國(guó)現(xiàn)有晶圓廠的運(yùn)營(yíng),但不會(huì)批準(zhǔn)產(chǎn)能擴(kuò)張或技術(shù)升級(jí)。路透社指出,英特爾也上市,盡管它已經(jīng)在今年早些時(shí)候通過(guò)出售其大連工廠
          • 關(guān)鍵字: 三星  海力士  晶圓廠  NAND  

          HBM 發(fā)展超越 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn),據(jù)報(bào)道代次周期縮短至 2.5 年

          • 隨著下一代 HBM 的競(jìng)爭(zhēng)加劇,內(nèi)存巨頭正在為 NVIDIA 的 Rubin 的需求激增做準(zhǔn)備。根據(jù) ZDNet 的報(bào)道,NVIDIA 計(jì)劃在 2026 年第一季度完成 HBM4 最終資格測(cè)試。然而,EE Times 指出,隨著美國(guó)芯片制造商在 GPU 開發(fā)方面迅速前進(jìn),標(biāo)準(zhǔn)難以跟上步伐,定制 HBM 解決方案對(duì)于與 GPU 和加速器推出保持一致至關(guān)重要。EE Times 援引 Advantest 高級(jí)總監(jiān)、內(nèi)存產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理 Jin Yokoyama 的話指出,與過(guò)去需要四到
          • 關(guān)鍵字: 英偉達(dá)  HBM  

          2025年第二季度全球DRAM市場(chǎng)分析

          • 在AI需求爆發(fā)與高價(jià)值產(chǎn)品滲透的雙重推動(dòng)下,2025年第二季度全球DRAM市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)量?jī)r(jià)齊升。根據(jù)CFMS最新數(shù)據(jù),二季度市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)20%至321.01億美元,同比增長(zhǎng)37%,創(chuàng)歷史季度新高。頭部廠商中,SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發(fā)優(yōu)勢(shì),二季度DRAM銷售收入達(dá)122.71億美元,環(huán)比增長(zhǎng)25.1%,市場(chǎng)份額提升至38.2%,連續(xù)第二個(gè)季度穩(wěn)居全球第一,并進(jìn)一步拉開與三星的差距?!?三星以107.58億美元收入位列第二,環(huán)比增長(zhǎng)13%,市場(chǎng)份額33.5%;· 美光科技收入70.71億
          • 關(guān)鍵字: DRAM  SK海力士  三星  美光  HBM  

          華為于 8 月 27 日進(jìn)軍全球 AI 內(nèi)存競(jìng)賽,即將推出 AI SSD

          • 在發(fā)布用于減少中國(guó) HBM 依賴的 AI 推理加速工具 UCM(統(tǒng)一計(jì)算內(nèi)存)后不久,華為再次在內(nèi)存領(lǐng)域引起轟動(dòng),據(jù)中國(guó)媒體guancha.cn 和 國(guó)家商業(yè)日?qǐng)?bào) 稱,華為計(jì)劃于 8 月 27 日推出一款新的 AI SSD如國(guó)家商業(yè)日?qǐng)?bào)的報(bào)道所述,這一舉措表明華為正憑借其最新的 AI SSD 步入全球 AI 內(nèi)存競(jìng)賽,加入了鎧俠和美光等內(nèi)存巨頭。報(bào)道補(bǔ)充說(shuō),鎧俠已制定了一個(gè)以 AI 驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)創(chuàng)新、SSD 擴(kuò)展和資本效率為中心的中長(zhǎng)期計(jì)劃,以加強(qiáng)其在 NAND 市場(chǎng)的地位,而美
          • 關(guān)鍵字: 華為  HBM.人工智能  SSD  
          共1275條 1/85 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

          hbm.nand介紹

          您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條hbm.nand!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)hbm.nand的理解,并與今后在此搜索hbm.nand的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

          熱門主題

          樹莓派    linux   
          關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
          Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
          備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473