hbm.nand 文章 最新資訊
美光突破PC性能邊界，推出自適應(yīng)寫入技術(shù)與G9 QLC NAND
- SSD?對于提升?PC?及客戶端設(shè)備的用戶體驗和系統(tǒng)性能至關(guān)重要。Micron Technology Inc.近日宣布，推出美光?2600 NVMe? SSD，專為原始設(shè)備制造商（OEM）設(shè)計的高性價比客戶端存儲解決方案。2600 SSD?搭載業(yè)界首款應(yīng)用于SSD的第九代?QLC NAND（G9 QLC NAND），并采用美光創(chuàng)新的自適應(yīng)寫入技術(shù)（Adaptive Write Technology?，AWT），在兼顧?QLC?
- 關(guān)鍵字： 美光 自適應(yīng)寫入 QLC NAND
DDR4漲勢Q4觸頂、NAND持平
- TrendForce最新釋出的存儲器市場觀察指出，2025年第二季以來快速上漲的DDR4價格漲勢，恐將在第四季觸頂回落; 而NAND市場雖受惠AI需求帶動，但因供需未形成緊張態(tài)勢，價格預(yù)期多呈持平。TrendForce表示，DDR4近期的強勁漲勢，主要來自供應(yīng)商削減產(chǎn)出與市場搶貨潮，但這波動能可能難以延續(xù)至年底。根據(jù)通路查核，隨著價格進入高檔區(qū)間，供應(yīng)商正逐步釋出庫存，預(yù)期第四季整體供應(yīng)將逐步改善。DDR5方面，目前價格趨勢穩(wěn)定，2025年第二、三季價格季增幅度預(yù)估介于3%至8%之間。 不過，部分二線OE
- 關(guān)鍵字： DDR4 NAND
如何讓QLC技術(shù)成為主流？
- 縱觀整個電子行業(yè)，往更高密度的集成電路發(fā)展無疑是主流趨勢。相對于邏輯電路追求晶體管密度提升，類似于FLASH NAND這樣的非易失性存儲還需要考慮到電子的穩(wěn)定保存，單純的提升制造工藝并不能很好的解決所有存儲問題，在穩(wěn)定保存的前提下追求更高的存儲密度才能確保新技術(shù)、新產(chǎn)品可持續(xù)發(fā)展，存儲單元向上要空間成為順理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日漸成為主流的QLC（Quad-Lev
- 關(guān)鍵字： AI推理 QLC NAND Flash
全球晶圓廠擴張能否跟上美光 HBM 的激增？美國、日本和印度的最新時間表
- 美光在 2025 財年第三季度的創(chuàng)紀錄收入是由 HBM 銷售額激增近 50%推動的——而且勢頭仍在繼續(xù)。這家美國內(nèi)存巨頭現(xiàn)在目標是到年底占據(jù)約 25%的 HBM 市場份額，正如 ZDNet 所報道的那樣。雖然其樂觀的展望吸引了市場關(guān)注，但焦點也集中在其全球產(chǎn)能擴張能否跟上。以下是美光最新制造動向的簡要回顧，包括國內(nèi)和海外。美國生產(chǎn)時間表指向2027年開始2022 年 9 月，美光公司公布了一項 150 億美元的擴張計劃，計劃在其愛達荷州博伊西總部建設(shè)一個尖端研發(fā)和半導(dǎo)體制造設(shè)施——這是
- 關(guān)鍵字： 美光 HBM 內(nèi)存
Micron將HBM擴展到四個主要的GPU/ASIC客戶端
- 在 2025 財年第三季度 HBM 銷售額增長近 50% 的推動下，美光公布了創(chuàng)紀錄的收入，現(xiàn)在正著眼于另一個里程碑。據(jù) ZDNet 稱，這家美國內(nèi)存巨頭的目標是到 2025 年底將其 HBM 市場份額提高到 23-24%。值得注意的是，美光在其新聞稿中表示，它現(xiàn)在正在向 GPU 和 ASIC 平臺上的四個客戶交付大批量 HBM。因此，該公司預(yù)計到 2025 年下半年，其 HBM 市場份額將達到與其整體 DRAM 份額持平。據(jù)路透社報道，美光的強勁業(yè)績反映了 NVIDIA 和 AMD
- 關(guān)鍵字： Micron HBM GPU ASIC
全球晶圓廠擴張能否跟上美光HBM的激增
- 美光在 2025 財年第三季度創(chuàng)紀錄的收入是由 HBM 銷售額增長近 50% 推動的，而且這種勢頭并沒有放緩。正如 ZDNet 所指出的那樣，這家美國存儲器巨頭現(xiàn)在的目標是到年底在 HBM 市場占據(jù)大約 25% 的份額。雖然其樂觀的前景吸引了市場的關(guān)注，但人們也關(guān)注其全球產(chǎn)能擴張能否跟上步伐。以下是美光在國內(nèi)外的最新制造舉措。美國生產(chǎn)時間表指向 2027 年開始根據(jù)其新聞稿，2022 年 9 月，美光公布了一項價值 150 億美元的計劃，以擴建其位于愛達荷州博伊西的總部，該總部將擁有尖
- 關(guān)鍵字： 晶圓廠 美光 HBM
據(jù)報道三星 1c DRAM 良率高達 70%，為年底推出 HBM4 鋪平道路
- 隨著將 HBM4 時代的希望寄托在其 1c DRAM 的進展上，據(jù)報道三星在良率方面取得了重大突破。據(jù) sedaily 報道，該公司最近在其第六代 10nm 級 DRAM（1c DRAM）晶圓測試中實現(xiàn)了 50-70%的良率——這一數(shù)字較去年的 30%以下水平有了顯著提升。值得注意的是，與 SK 海力士和美光等堅持使用更成熟的 1b DRAM 生產(chǎn) HBM4 不同，三星正大膽押注下一代 1c DRAM。隨著良率穩(wěn)步提高，該公司計劃在其華城和平澤工廠加大 1c DRAM 的生產(chǎn)規(guī)模，根據(jù)
- 關(guān)鍵字： 三星 HBM 存儲
DDR4瘋狂漲價，DRAM廠商爆賺
- 據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，由于DDR4供應(yīng)減少，再加上市場神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點，更達到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲，甚至比更高規(guī)格的DDR5報價更高，呈現(xiàn)“價格倒掛”，業(yè)界直言：“至少十年沒看過現(xiàn)貨價單日漲幅這么大。”根據(jù)DRAM專業(yè)報價網(wǎng)站DRAMeXchange最新報價顯示，6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
- 關(guān)鍵字： DDR4 DRAM 三星 美光 南亞科技 華邦電子 HBM
HBM 開發(fā)路線圖揭曉：2038 年將推出 HBM8，具有 16,384 位接口和嵌入式 NAND
- 韓國頂尖國家級研究機構(gòu) KAIST 發(fā)布了一份 371 頁的論文，詳細介紹了到 2038 年高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)的演進，展示了帶寬、容量、I/O 寬度以及熱量的增加。該路線圖涵蓋了從 HBM4 到 HBM8 的發(fā)展，包括封裝、3D 堆疊、以內(nèi)存為中心的架構(gòu)以及嵌入 NAND 存儲，甚至基于機器學(xué)習(xí)的方法來控制功耗。 請記住，該文件是關(guān)于 HBM 技術(shù)假設(shè)演進的，基于當(dāng)前行業(yè)和研究方向，而不是任何商業(yè)公司的實際路線圖。（圖片來源：KAIST）每堆疊的 HBM 容量將從 288GB 增加到 34
- 關(guān)鍵字： HBM.NAND
芯片巨頭，「扔掉」這些業(yè)務(wù)
- 上半年，時至過半?；仡欉@半年的半導(dǎo)體市場，似是相對平靜，但是仔細回想也有不少芯片巨頭在該背景下做了諸多調(diào)整。它們接連「動刀」，果斷退出部分產(chǎn)品領(lǐng)域。在這個過程中會對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成哪些影響？又有哪些公司同步受益？芯片巨頭，放棄這些芯片存儲三巨頭，計劃停產(chǎn)?DDR3?和DDR4關(guān)于三星、SK 海力士、美光等主要 DRAM 制造商計劃停產(chǎn) DDR3 和 DDR4 內(nèi)存的消息，想必業(yè)內(nèi)人士早有耳聞。今年 2 月，這則消息正式傳來，這一決策是由于對?HBM（高帶寬內(nèi)存）和 DDR5 等
- 關(guān)鍵字： DDR3 DDR4 NAND HDD
英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM
- 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數(shù)據(jù)傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計劃于2027年完成原型開發(fā)并評估量產(chǎn)可行性，目標是在2030年前實現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設(shè)計工作以及專利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負責(zé)這種分工模式有助于充分發(fā)揮
- 關(guān)鍵字： 英特爾 軟銀 HBM DRAM 三星 SK海力士
三星考慮進行大規(guī)模內(nèi)部重組
- 據(jù)韓媒SEDaily報道，三星半導(dǎo)體部門（即DS設(shè)備解決方案部）正對系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)的組織運作方式的調(diào)整計劃進行最終審議，相關(guān)決定將在不久后公布。預(yù)計在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負責(zé)人全永鉉做出最終決定之前，還將進行更多高層討論，并聽取董事長李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)主要負責(zé)芯片設(shè)計，在三星半導(dǎo)體體系中承擔(dān)著為移動業(yè)務(wù)（MX）部門開發(fā)Exynos手機SoC的核心任務(wù)。然而，近年來Exynos 2x00系列應(yīng)用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門的利潤空間，
- 關(guān)鍵字： 三星 HBM LSI DRAM 半導(dǎo)體 晶圓代工
英偉達新款中國特供芯片：放棄Cowos封裝和HBM
- 據(jù)路透社報道，英偉達即將針對中國市場推出一款新的AI芯片，預(yù)計售價在6500美元至8000美元之間，遠低于H20芯片的10000至12000美元，較低的價格反映了其較弱的規(guī)格和更簡單的制造要求，避開了受美國出口規(guī)則限制的先進技術(shù)。知情人士稱，這款新的專供中國市場的GPU將會是基于英偉達的服務(wù)器級圖形處理器RTX Pro 6000D來進行構(gòu)建，采用傳統(tǒng)的GDDR7顯存，而不是HBM3e，也沒有使用臺積電的先進封裝技術(shù)CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate），這也使得這款芯片成本大幅
- 關(guān)鍵字： 英偉達 芯片 Cowos 封裝 HBM
hbm.nand介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條hbm.nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對hbm.nand的理解，并與今后在此搜索hbm.nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對hbm.nand的理解，并與今后在此搜索hbm.nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
hbm.nand電路
hbm.nand相關(guān)帖子
hbm.nand資料下載
hbm.nand專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473