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NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略，以緩解供需失衡和穩(wěn)定價(jià)格

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究報(bào)告指出，NAND Flash產(chǎn)業(yè)2025年持續(xù)面臨需求疲弱、供給過(guò)剩的雙重壓力。在此背景下，除了Micron（美光）率先宣布減產(chǎn)，Kioxia/ SanDisk（鎧俠/閃迪）、Samsung（三星）和SK hynix/ Solidigm（SK海力士/思得）也啟動(dòng)相關(guān)計(jì)劃，可能長(zhǎng)期內(nèi)加快供應(yīng)商整合步伐。TrendForce集邦咨詢表示，NAND Flash廠商主要通過(guò)降低2025年稼動(dòng)率和延后制程升級(jí)等方式達(dá)成減產(chǎn)目的，背后受以下因素驅(qū)動(dòng)：第一，需求疲軟
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應(yīng)對(duì)降價(jià)：三星大幅減產(chǎn)西安工廠NAND閃存！

1月13日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子已決定大幅減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存生產(chǎn)，以此應(yīng)對(duì)全球NAND供應(yīng)過(guò)剩導(dǎo)致的價(jià)格下跌，確保公司的收入和利潤(rùn)。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，截至2024年10月底，用于存儲(chǔ)卡和U盤的通用NAND閃存產(chǎn)品的價(jià)格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過(guò)10%，每月平均產(chǎn)量預(yù)計(jì)將從20萬(wàn)片減少至約17萬(wàn)片。此外，三星韓國(guó)華城的12號(hào)和17號(hào)生產(chǎn)線也將調(diào)整其供應(yīng)，導(dǎo)致整體產(chǎn)能降低。三星在2023年曾實(shí)施過(guò)類似的減產(chǎn)措施，當(dāng)時(shí)
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AI熱潮中Micron 70億美元投資HBM 裝配廠

Micron Technology 已開始在新加坡建設(shè)其價(jià)值數(shù)十億美元的高帶寬內(nèi)存（HBM）封裝設(shè)施。該公司將向該工廠投資 70 億美元，因?yàn)轭A(yù)計(jì)在 AI 熱潮中，未來(lái)幾年對(duì) HBM3E、HBM4 和 HBM4E 內(nèi)存的需求將猛增。該設(shè)施將于 2026 年開始運(yùn)營(yíng)。美光的高帶寬內(nèi)存（HBM）封裝設(shè)施位于美光在新加坡現(xiàn)有的生產(chǎn) 3D NAND 和 DRAM 的晶圓廠旁邊。新的 HBM 裝配廠將于 2026 年投產(chǎn)，并計(jì)劃在 2027 年大幅提高產(chǎn)能。該設(shè)施將使用先進(jìn)的人工智能驅(qū)動(dòng)的自動(dòng)化來(lái)
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HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)展望：2024年及以后

HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)是即將到來(lái)的“內(nèi)存內(nèi)計(jì)算/處理”時(shí)代的一種“近內(nèi)存計(jì)算（Near Memory Computing）/處理”階段。由于人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)的高需求，三星、SK海力士和美光這三大內(nèi)存制造商正在HBM技術(shù)的開發(fā)上競(jìng)相角逐。HBM是一種具有高帶寬和寬通道的3D堆疊DRAM器件，這意味著它非常適合高性能計(jì)算（HPC）、高性能圖形處理單元（GPU）、人工智能和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用所需的高能效、高性能、大容量和低延遲內(nèi)存。因此，對(duì)于內(nèi)存制造商而言，硅通孔（TSV）工藝集成和3D HBM DRAM芯片堆疊
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SK 海力士被曝贏得博通 HBM 訂單，預(yù)計(jì)明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬(wàn)片

12 月 20 日消息，據(jù) TheElec 報(bào)道，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應(yīng) HBM 芯片的大單，但具體額度未知。消息人士稱，博通計(jì)劃從 SK 海力士采購(gòu)存儲(chǔ)芯片，并將其應(yīng)用到一家大型科技公司的 AI 計(jì)算芯片上。SK 海力士預(yù)計(jì)將在明年下半年供應(yīng)該芯片。由于需要同時(shí)向英偉達(dá)和博通供應(yīng) HBM，SK 海力士肯定會(huì)調(diào)整其 DRAM 產(chǎn)能預(yù)測(cè)。這家公司計(jì)劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產(chǎn)能擴(kuò)大到 14~15 萬(wàn)片（IT之家注：?jiǎn)挝皇?300mm 直徑的 12 英寸晶
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Marvell 推出定制 HBM 計(jì)算架構(gòu)：XPU 同 HBM 間 I/O 接口更小更強(qiáng)

12 月 11 日消息，Marvell 美滿電子美國(guó)加州當(dāng)?shù)貢r(shí)間 10 日宣布推出“定制 HBM 計(jì)算架構(gòu)”（Custom HBM Compute Architecture），可令各種 XPU 處理器實(shí)現(xiàn)更高的計(jì)算和內(nèi)存密度。Marvell 表示這項(xiàng)可提升性能、能效、成本表現(xiàn)的新技術(shù)對(duì)其所有定制芯片客戶開放，并得到了三大 HBM 內(nèi)存原廠 SK 海力士、三星電子、美光的共同支持。Marvell 的“定制 HBM 計(jì)算架構(gòu)”采用了非行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 HBM I/O 接口設(shè)計(jì)，可帶來(lái)更優(yōu)秀性能和最多 70% 的接口
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SK 海力士新設(shè) AI 芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門，任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官

12 月 5 日消息，據(jù) Businesses Korea 今日?qǐng)?bào)道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責(zé)任與權(quán)限，業(yè)務(wù)單元被劃分為包括 AI 基礎(chǔ)設(shè)施（CMO）、未來(lái)技術(shù)研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產(chǎn)（CPO）在內(nèi)的五大部門。據(jù)介紹，新設(shè)的 AI 芯片開發(fā)部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內(nèi)存等
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3Q24 NAND Flash營(yíng)收季增4.8%，企業(yè)級(jí)SSD需求強(qiáng)勁，消費(fèi)性訂單未復(fù)蘇

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2024年第三季NAND Flash產(chǎn)業(yè)出貨量位元季減2%，但平均銷售單價(jià)（ASP）上漲7%，帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)整體營(yíng)收達(dá)176億美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨詢表示，不同應(yīng)用領(lǐng)域的NAND Flash價(jià)格走勢(shì)在今年第三季出現(xiàn)分化，企業(yè)級(jí)SSD需求強(qiáng)勁，推升價(jià)格季增近15%，消費(fèi)級(jí)SSD價(jià)格雖有小幅上漲，但訂單需求較前一季衰退。智能手機(jī)用產(chǎn)品因中國(guó)手機(jī)品牌嚴(yán)守低庫(kù)存策略，訂單大量減少，第三季合約價(jià)幾乎與上季持平。Wafer受零售市場(chǎng)需求疲軟影響，合約價(jià)反
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三星大幅減少未來(lái)生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量

據(jù)韓媒報(bào)道，稱三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達(dá)到此前用量的一半。報(bào)道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過(guò)精確控制涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個(gè)層，從而提高工藝效率，但同時(shí)也有均勻性問(wèn)題。東進(jìn)半導(dǎo)體一直是三星KrF光刻膠的獨(dú)家供應(yīng)商，為三星第7代（11微米）和第
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三星擴(kuò)大高帶寬存儲(chǔ)器封裝產(chǎn)能

據(jù)外媒報(bào)道，三星正在擴(kuò)大韓國(guó)和其他國(guó)家芯片封裝工廠的產(chǎn)能，主要是蘇州工廠和韓國(guó)忠清南道天安基地。由于人工智能領(lǐng)域激增的需求，下一代高帶寬存儲(chǔ)器封裝（HBM）的重要性日益重要，三星希望通過(guò)提升封裝能力，確保他們未來(lái)的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力，并縮小與SK海力士在這一領(lǐng)域的差距。· 蘇州工廠是三星目前在韓國(guó)之外僅有的封裝工廠，業(yè)內(nèi)人士透露他們?cè)谌径纫淹嚓P(guān)廠商簽署了設(shè)備采購(gòu)協(xié)議，合同接近200億韓元，目的是擴(kuò)大工廠的產(chǎn)能。· 另外，三星近期已同忠清南道和天安市簽署了擴(kuò)大芯片封裝產(chǎn)能的投資協(xié)議，計(jì)劃在韓國(guó)天安市新建一座專門
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如何獲得足夠的HBM，并將其堆疊的足夠高？

任何新的內(nèi)存方法都必須具備可制造性與成本效益，方能被采用。
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三星將出售西安芯片廠舊設(shè)備及產(chǎn)線

據(jù)韓媒報(bào)道，三星近期將開始銷售前端和后端生產(chǎn)線的舊設(shè)備，其中包括位于中國(guó)西安的NAND工廠。報(bào)道稱，三星近期正在半導(dǎo)體部門（DS）實(shí)施大規(guī)模成本削減和產(chǎn)線調(diào)整，并正在考慮出售其中國(guó)半導(dǎo)體生產(chǎn)線的舊設(shè)備。預(yù)計(jì)出售程序?qū)⒂诿髂暾介_始，銷售的設(shè)備大部分是100級(jí)3D NAND設(shè)備。自去年以來(lái)，三星電子一直致力于將其西安工廠的工藝轉(zhuǎn)換為200層工藝。
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消息稱三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 結(jié)構(gòu)

10 月 29 日消息，《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示，根據(jù)其掌握的最新三星半導(dǎo)體存儲(chǔ)路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過(guò) 400，而預(yù)計(jì)于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結(jié)構(gòu)。三星目前最先進(jìn)的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級(jí)）DRAM。報(bào)道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 將被命名為 BV（Bonding Vertical） NAND，這是因?yàn)檫@代產(chǎn)品將調(diào)
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AI需求持續(xù)爆發(fā)！“HBM霸主”SK海力士Q3營(yíng)收、利潤(rùn)雙創(chuàng)記錄

獲悉，周四，SK海力士公布了創(chuàng)紀(jì)錄的季度利潤(rùn)和營(yíng)收，這反映出市場(chǎng)對(duì)與英偉達(dá)(NVDA.US)處理器一起用于人工智能開發(fā)的存儲(chǔ)芯片的強(qiáng)勁需求。作為英偉達(dá)的供應(yīng)商，這家韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭第三季度的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到7.03萬(wàn)億韓元(51億美元)，上年同期為虧損1.8萬(wàn)億韓元，高于分析師預(yù)期的6.9萬(wàn)億韓元。營(yíng)收大增94%，達(dá)到17.6萬(wàn)億韓元，而市場(chǎng)預(yù)期為18.2萬(wàn)億韓元。今年以來(lái)，SK海力士股價(jià)累計(jì)上漲逾35%，原因是該公司在設(shè)計(jì)和供應(yīng)為英偉達(dá)人工智能加速器提供動(dòng)力的尖端高帶寬內(nèi)存(HBM)方面擴(kuò)大了對(duì)三星電子(S
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消息稱 SK 海力士收縮 CIS 業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦 HBM 等高利潤(rùn)產(chǎn)品

10 月 17 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦高利潤(rùn)產(chǎn)品 HBM 以及 CXL 內(nèi)存、PIM、AI SSD 等新興增長(zhǎng)點(diǎn)。SK 海力士今年減少了對(duì) CIS 業(yè)務(wù)的研發(fā)投資，同時(shí)月產(chǎn)能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場(chǎng)三大巨頭索尼、三星、豪威共占據(jù) 3/4 市場(chǎng)份額，SK 海力士?jī)H以 4% 排在第六位，遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。同時(shí)，SK 海力
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