hbm.nand 文章 最新資訊
英偉達計劃于 2027 年開始設計 HBM 邏輯芯片，以在供應鏈中獲得對臺積電、SK 海力的優(yōu)勢
- 根據(jù)韓國媒體韓聯(lián)社援引消息人士的話，英偉達計劃從 2027 年下半年開始承擔 HBM 價值鏈中“邏輯芯片”的設計工作，這是一個核心組件，同時計劃多樣化其來源。報道指出，行業(yè)消息人士認為英偉達的策略是為了重新平衡其與關鍵合作伙伴如臺積電和 SK 海力的關系，削弱他們的談判能力，并控制供應成本。報道強調，SK 海力和其他內(nèi)存制造商迄今為止都是內(nèi)部生產(chǎn)邏輯芯片。然而，下一代 HBM4——將于今年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)——正推動向代工生產(chǎn)轉型。SK 海力已選擇臺積電承擔這一角色，報道指出，行業(yè)消息人士認為美光也將這
- 關鍵字： HBM 內(nèi)存 英偉達
華為推出 UCM 算法以減少對 HBM 的依賴，據(jù)報道將在 9 月開源
- 雖然當?shù)孛襟w關注華為減少中國 HBM 對人工智能推理的依賴，但這家科技巨頭在 8 月 12 日發(fā)布了 UCM（統(tǒng)一計算內(nèi)存）——據(jù)我的駕駛和證券時報報道，這是一種人工智能推理突破，可大幅降低延遲和成本，同時提高效率。值得注意的是，報道表明華為將在 2025 年 9 月開源 UCM，首先在 MagicEngine 社區(qū)推出，然后貢獻給主流推理引擎，并與 Share Everything 存儲供應商和生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴分享。UCM 的變革性功能《證券時報》援引華為數(shù)字金融 CEO 曹健的話指出，高延遲和高成本仍
- 關鍵字： 華為 HBM.人工智能 UCM
泰瑞達推出適用于高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片的新一代內(nèi)存測試平臺Magnum 7H
- 全球領先的自動測試設備和機器人供應商泰瑞達近日宣布推出新一代內(nèi)存測試平臺Magnum 7H，旨在滿足高性能生成式AI服務器中GPU和加速器所集成的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片測試的嚴苛要求。Magnum 7H專為大規(guī)模HBM堆疊裸片測試而設計，具備高同測數(shù)、高速和高精度三大特性。行業(yè)領先的HBM制造商已開始使用泰瑞達Magnum 7H平臺進行HBM芯片的量產(chǎn)測試并出貨，產(chǎn)能得到大幅提升。泰瑞達內(nèi)存測試事業(yè)部總裁Young Kim表示：“我們隆重推出Magnum 7H，這是一款革新性的內(nèi)存測試平臺，它重新定義了
- 關鍵字： 泰瑞達 高帶寬內(nèi)存 HBM 內(nèi)存測試平臺
手機裝上HBM，會怎樣？
- 在漫威電影宇宙中，鋼鐵俠的 AI 管家賈維斯，能理解復雜指令、實時提供各類信息、輔助戰(zhàn)甲高效運行，為觀眾描繪出強大的 AI 應用場景。如今，隨著移動 HBM 技術的發(fā)展，我們的手機也在邁向具備類似強大 AI 能力的設備。那么，從移動 HBM 到「賈維斯」般的智能體驗，我們還有多少距離？移動HBM，到底是什么？在深入探討移動 HBM 之前，先來了解一下傳統(tǒng)內(nèi)存技術在移動設備中的局限性。以智能手機為例，隨著 AI 攝影、AI 語音助手等功能的普及，手機需要在短時間內(nèi)處理大量的數(shù)據(jù)。在拍攝一張 AI
- 關鍵字： HBM
半導體行業(yè)前5%的公司包攬了2024年該行業(yè)創(chuàng)造的全部利潤
- 據(jù)全球咨詢公司麥肯錫7月20日發(fā)布的報告顯示，包括英偉達、臺積電、博通等在內(nèi)的半導體行業(yè)前5%（按年銷售額計算）的公司，包攬了2024年該行業(yè)創(chuàng)造的全部利潤。前5%的半導體公司獲得的經(jīng)濟利潤高達1590億美元，而中間90%的公司利潤僅為50億美元，排名后5%的公司實際虧損370億美元。實際上，前5%的半導體公司獲得的成績單超過整個半導體市場創(chuàng)造的經(jīng)濟利潤（1470億美元）。這一市場轉變僅用了2~3年時間。在新冠疫情期間（2021-2022年），中間90%的企業(yè)每年獲得的經(jīng)濟利潤超過300億美元。換算成每家
- 關鍵字： 半導體 英偉達 臺積電 博通 AI 三星 HBM
美光推出首款 256Gb 抗輻射閃存獲全空間認證
- 美光??宣布推出業(yè)內(nèi)最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發(fā)布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級 NAND、NOR 和 DRAM 內(nèi)存解決方案組合中的首款產(chǎn)品，現(xiàn)已實現(xiàn)商業(yè)化。該產(chǎn)品專為航空航天及其他極端嚴苛環(huán)境使用而設計。該產(chǎn)品已根據(jù) NASA 的 PEM-INST-001 標準進行了嚴格的測試，包括極端溫度循環(huán)、缺陷篩選和動態(tài)老化。它還基于美國軍用標準 MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗證，確保其在高輻射環(huán)境中的可靠性。這
- 關鍵字： 美光 內(nèi)存 NAND
中國長江存儲計劃通過使用國產(chǎn)工具建立生產(chǎn)線來擺脫美國制裁
- (圖片來源：YMTC)長江存儲技術有限公司（YMTC），中國領先的 NAND 存儲器生產(chǎn)商，自 2022 年底以來一直被美國商務部列入實體清單，這基本上禁止了其獲取先進制造設備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計劃今年擴大其生產(chǎn)能力，目標是在 2026 年底前占據(jù) NAND 存儲器生產(chǎn)市場的 15%，據(jù)《Digitimes》報道。該公司還計劃建設一條僅使用中國制造設備的試驗生產(chǎn)線。YMTC 將擴大產(chǎn)能至每月 15 萬片晶圓啟動據(jù) DigiTimes 報道，預計到 2024 年底，YMTC 的月產(chǎn)能將達到每月
- 關鍵字： 長江存儲 NAND 內(nèi)存
中國CXMT和YMTC推動DRAM和NAND生產(chǎn)
- 中國存儲半導體公司長鑫存儲科技 （CXMT） 和長江存儲科技 （YMTC） 正在加強其在全球存儲半導體市場的影響力，在大約一年后將其產(chǎn)能幾乎翻了一番。自去年以來，中國內(nèi)存開始在三星電子和 SK 海力士主導的通用 DRAM 市場中嶄露頭角，從傳統(tǒng) DRAM 開始，在國內(nèi)市場需求和政府補貼的推動下，中國內(nèi)存正在提高其競爭力。此外，它還對高帶寬內(nèi)存 （HBM） 和 300 層 3D NAND 閃存等先進產(chǎn)品線提出了挑戰(zhàn)，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據(jù) ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
- 關鍵字： CXMT YMTC DRAM NAND
據(jù)報道，2026 年 HBM 價格面臨兩位數(shù)下跌風險，對 SK hynix 構成挑戰(zhàn)
- 隨著英偉達以及 Meta、谷歌等云巨頭加大 AI 投入，推動 HBM 需求增長，分析師警告明年可能面臨價格下跌。據(jù)高盛稱，經(jīng)濟日報報道，競爭加劇和供過于求可能導致 2026 年首次出現(xiàn) HBM 價格下跌——這對市場領導者 SK hynix 構成挑戰(zhàn)。值得注意的是，據(jù)高盛稱，2026 年 HBM 價格可能下跌兩位數(shù)。此外，競爭加劇以及定價權向主要客戶轉移（SK hynix 受影響嚴重）可能擠壓該公司的利潤空間，高盛警告稱。根據(jù)高盛的預測，HBM 價格下降的趨勢可能歸因于主要參與者 HBM 比特供應的顯著增加
- 關鍵字： HBM 內(nèi)存 海力士
NAND Flash合約價 Q3看漲10%
- 根據(jù)TrendForce預估，第三季NAND Flash價格走勢，預估平均合約價將季增5%至10%，但eMMC、UFS產(chǎn)品，因智慧手機下半年展望不明，漲幅較低。client SSD市場因OEM/ODM上半年去化庫存情況優(yōu)于預期，增強第三季回補動能。 而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引發(fā)換機潮，以及DeepSeek一體機熱潮，皆帶動client SSD需求。此外，部分原廠積極推動大容量QLC產(chǎn)品，帶動出貨規(guī)模。 綜合以上因素，預估第三季client SSD將季增3%至8%。隨NVIDIA B
- 關鍵字： NAND Flash
主要內(nèi)存制造商的 DDR4 退出時間表逐漸明朗：三星、SK 海力士和美光計劃
- 隨著主要內(nèi)存制造商將產(chǎn)能轉向 DDR5 和 HBM，他們的 DDR4 淘汰時間表逐漸清晰。根據(jù)商業(yè)時報的報道，三星、SK 海力士和美光計劃在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出貨。TrendForce 的最新調查也顯示，三大 DRAM 供應商正在將產(chǎn)能轉向高端產(chǎn)品，并已開始宣布 PC 和服務器級 DDR4 以及移動 LPDDR4X 的停產(chǎn)計劃。因此，預計 2025 年第三季度的傳統(tǒng) DRAM 合同價格將上漲 10%至 15%。包括 HBM 在內(nèi)，整體 DRAM 價格預計將上漲 15%至 2
- 關鍵字： 存儲 DDR4 HBM
三星旨在通過新一代 DRAM 和 HBM4 實現(xiàn)半導體回歸
- Samsung Electronics 第二季度盈利大幅下滑主要源于其半導體業(yè)務表現(xiàn)不佳，該業(yè)務占整體利潤的 50-60%。由于持續(xù)的技術問題，高帶寬內(nèi)存（HBM）和其他高容量、高附加值內(nèi)存產(chǎn)品未能從蓬勃發(fā)展的人工智能（AI）領域獲益。代工（合同芯片制造）和系統(tǒng) LSI 業(yè)務也因未能爭取到主要客戶而繼續(xù)虧損。然而，隨著 Nvidia 的 HBM 大規(guī)模生產(chǎn)批準的可能性在第三季度增加，以及上半年積累的內(nèi)存庫存得到清理，人們對業(yè)績反彈的預期正在增長。根據(jù)行業(yè)消息，7 月 8 日三星電子的設備解決方案（DS）部
- 關鍵字： 三星電子 HBM.半導體產(chǎn)業(yè)
三星電子的半導體困境：HBM苦苦掙扎，競爭對手表現(xiàn)出色
- 三星電子在今年第二季度錄得的營業(yè)利潤明顯低于市場預期，引發(fā)了對其高帶寬內(nèi)存 （HBM） 業(yè)務失敗的擔憂，這被視為這一缺口背后的最大原因，以及代工業(yè)務的潛在復蘇。盡管存儲半導體需求低迷，但 SK 海力士和美光在 HBM 和高性能 DRAM 的引領下取得了不錯的成績，而三星電子卻在性能不佳的泥潭中苦苦掙扎。特別是，三星電子自第四代 HBM （HBM3） 以來，所有代 HBM 產(chǎn)品都未能取得顯著成果，導致 SK 海力士和美光占據(jù)市場領先地位。根據(jù)國內(nèi)證券公司的分析，三星電子的內(nèi)存部門錄得約 3 萬億韓元的營業(yè)利
- 關鍵字： 三星電子 半導體 HBM
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