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SK海力士完成對英特爾NAND業(yè)務的收購
- 據(jù)韓媒報道，根據(jù)SK海力士向韓國金融監(jiān)管機構FSS披露的文件，該企業(yè)已完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務案的第二階段，交易正式完成。據(jù)了解，第一階段完成于2021年12月30日，SK海力士當時支付了78422億韓元，從英特爾接管SSD業(yè)務及其位于中國大連NAND閃存制造廠的資產(chǎn)。而在第二階段中，SK海力士以32783億韓元（約合人民幣163億元）的對價取得了包括NAND閃存晶圓的生產(chǎn)及設計相關的知識產(chǎn)權、研發(fā)人員以及大連工廠的員工在內的其余相關有形/無形資產(chǎn)。
- 關鍵字： SK海力士 英特爾 NAND
SK海力士首次向客戶提供12層HBM4樣品，預計下半年量產(chǎn)
- 自SK海力士官網(wǎng)獲悉，3月19日，SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品12層HBM4，并且全球首次向主要客戶提供了其樣品。據(jù)悉，此次提供的12層HBM4樣品，兼具了面向AI的存儲器必備的世界最高水平速率，其容量也是12層堆疊產(chǎn)品的最高水平。該產(chǎn)品首次實現(xiàn)了最高每秒可以處理2TB（太字節(jié)）以上數(shù)據(jù)的帶寬，相當于在1秒內可處理400部以上全高清（Full-HD，F(xiàn)HD）級電影（5GB=5千兆字節(jié)）的數(shù)據(jù)，運行速度與前一代（HBM3E）相比提高了60%以上。同時，公司通過在該產(chǎn)品上采用已在前一代產(chǎn)
- 關鍵字： SK海力士 HBM
AI推理應用爆發(fā)推升QLC NAND Flash市場需求
- AI推論快速成長，QLC NAND Flash成為企業(yè)級儲存解決方案的新寵。 相較于傳統(tǒng)的TLC NAND，QLC具備更高存儲密度與更低成本，適合以讀取為主的AI推論工作負載。 法人分析，臺廠如群聯(lián)、威剛、宇瞻等存儲器模組廠，有望從中受惠。根據(jù)調研機構預測，2025年QLC NAND產(chǎn)能將達250.48億Gb，占NAND總產(chǎn)能的22.2%，滲透率逐步提升。AI推論服務器主要負責分析以及處理大量數(shù)據(jù)，而這類應用訪問模式以讀取為主，寫入頻率相對較低，正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存儲密度
- 關鍵字： AI推理 QLC NAND Flash
存儲市場復蘇，關鍵看AI
- 存儲市場新一輪的逆風，始于 2024 年下半年。邁入 2025 年 3 月，市場已顯露出一些微妙變化。NAND 廠商，集體漲價近日，全球知名存儲芯片廠商閃迪向客戶發(fā)出漲價函，宣布自 4 月 1 日起，旗下產(chǎn)品將全面漲價，整體漲幅超 10%，此次調價覆蓋所有渠道及消費類產(chǎn)品。閃迪還透露，將持續(xù)審查定價，后續(xù)季度或有額外漲幅。繼閃迪后，美光、三星、SK 海力士等 NAND 廠商也計劃將于 4 月漲價。從供應方面，美光今年新加坡 NAND 廠發(fā)生停電，也影響了供貨。NAND Flash 控制芯片廠商群聯(lián)也透露，
- 關鍵字： NAND
SK海力士完成與英特爾的最終交割
- SK海力士將于2025年3月（協(xié)議預設的最早時間點）支付收購尾款，完成與英特爾NAND閃存業(yè)務的最終交割。隨著交易的完成，將加強SK海力士在全球NAND閃存市場的地位，尤其是企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）方面。隨著AI技術的普及和應用，存儲需求正在不斷增長，HBM領域的領導者SK海力士卻沒有停止擴張的步伐，這次收購將使SK海力士與競爭對手三星展開直接競爭?！?2020年10月，SK海力士與英特爾達成協(xié)議，宣布以90億美元收購其NAND閃存及存儲業(yè)務；· 2021年12月，第一階段的交易完成，SK海力士支付70億
- 關鍵字： SK海力士 英特爾 NAND 閃存
十年磨一劍：三星引入長江存儲專利技術
- 近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關專利許可協(xié)議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造，因此需要長江存儲的專利技術W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術實現(xiàn)?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
- 關鍵字： 三星 長江存儲 NAND 混合鍵合 晶棧 Xtacking 閃存
NAND Flash市況 有望6月復蘇
- NAND Flash控制芯片廠慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章預期，NAND Flash市況將于6月好轉，下半年表現(xiàn)將優(yōu)于上半年，甚至不排除供應吃緊的可能性。茍嘉章指出，2025年第一季NAND Flash雖小幅下跌，但供應商已開始堅守價格，避免市場陷入低迷行情。他強調，供應商根據(jù)市場狀況自然調節(jié)供給，是NAND Flash供需好轉的主因之一，2025年NAND Flash位元供給，估計將增加上看20%。美國商務部對出口至中國大陸的存儲器制造設備實施管制，也將延緩中國大陸廠商在DRAM領域的擴張步伐。盡管中國大陸部分
- 關鍵字： TrendForce 集邦咨詢 NAND Flash
稱三星與長江存儲合作，新一代NAND將采用中國企業(yè)專利
- 據(jù)韓媒報道，三星已確認從V10（第10代）開始，將使用長江存儲(YMTC)的專利技術，特別是在新的先進封裝技術“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專利的許可協(xié)議，達成合作。據(jù)悉，V10是三星電子計劃最早在今年下半年開始量產(chǎn)的下一代NAND，該產(chǎn)品預計將具有約420至430層。將采用多項新技術，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術。據(jù)了解，長江存儲是最早將混合鍵合應用于3D NAND的企業(yè)，并將這項技術命名為“晶棧Xtacking”。該技術可在一片晶圓上獨立加工負責
- 關鍵字： 三星 長江存儲 NAND
鎧俠與閃迪合作研發(fā)出332層NAND閃存
- 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，日前， 鎧俠公司和閃迪公司宣布率先推出了最先進的3D閃存技術，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度樹立了行業(yè)標桿。據(jù)悉，鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術，分別制造CMOS控制電路、NAND存儲陣列，然后鍵合在一起，類似長江存儲的Xtacking晶棧架構。3D堆疊層數(shù)達到空前的332層，對比第8代的218層增加了多達38%。兩家公司的新一代3D閃存較目前量產(chǎn)的第八代產(chǎn)品（BiCS FLASH? generation 8）實現(xiàn)了33%的NAND接口速度提升，達到4.8G
- 關鍵字： 鎧俠 3D閃存 NAND
新一代HBM來了！NVIDIA主導開發(fā)新型內存標準SOCAMM：可拆卸升級 成人中指大小
- 2月17日消息，據(jù)BK最新報道，NVIDIA正與包括三星電子、SK海力士在內的主要內存半導體公司進行秘密談判，合作開發(fā)新型內存標準SOCAMM，并推動其商業(yè)化。16日，業(yè)內人士證實了這一消息。此舉標志著內存半導體領域的重大轉轉變，對B2B服務器市場和蓬勃發(fā)展的設備端AI領域都有潛在影響。據(jù)悉，SOCAMM被譽為新一代HBM（高帶寬存儲器），是系統(tǒng)級芯片高級內存模塊的縮寫，這是一種尖端的DRAM內存模塊，可極大增強個人AI超級計算機的性能。與小型PC和筆記本電腦中使用的現(xiàn)有DRAM模塊相比，SOCAMM的性
- 關鍵字： 英偉達 內存 HBM
NAND閃存再減產(chǎn)：三星、SK海力士將至少削減10%
- 據(jù)報道，NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產(chǎn)計劃。當前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領域，似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來，NAND閃存價格持續(xù)下滑，這一趨勢使得供應商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態(tài)度。長期的價格疲軟無疑將進一步壓縮企業(yè)的利潤空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實施更為激進的減產(chǎn)措施，將NAND閃存產(chǎn)量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時，N
- 關鍵字： NAND 閃存 三星 SK海力士
國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍
- 據(jù)媒體報道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調整化學成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內存存儲奠定了基礎。這項研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）的科學家通過模擬和實驗進行的。根據(jù)報道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學所需的非常小但很深的圓孔的最簡
- 關鍵字： 3D NAND 深孔蝕刻
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