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三星將停產(chǎn)MLC NAND，未來聚焦TLC和QLC技術(shù)

據(jù)消息人士透露，三星計(jì)劃在下個(gè)月停止接收MLC NAND芯片的訂單，標(biāo)志著其將逐步退出MLC NAND（多層單元NAND）業(yè)務(wù)。同時(shí)，三星還提高了MLC NAND的價(jià)格，促使部分客戶開始尋找替代供應(yīng)商。LG顯示（LG Display）正是受影響的客戶之一。該公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒體卡）中使用三星的MLC NAND。目前，LG顯示正在尋求其他供應(yīng)商，以填補(bǔ)這一空缺。據(jù)悉，LG顯示此前的eMMC產(chǎn)品還使用了ESMT和鎧俠的產(chǎn)品。其中，ESMT的eMMC采用了三星的MLC
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NVIDIA新中國(guó)版AI芯片放棄 CoWoS和HBM以降價(jià)30%

據(jù)報(bào)道，在 NVIDIA 的 H20 受到最新的美國(guó) AI 芯片出口限制后，這家美國(guó)芯片巨頭一直在開發(fā)一款針對(duì)市場(chǎng)的新芯片組。據(jù)路透社報(bào)道，這款基于 Blackwell 的芯片最早可能在 6 月首次亮相，成本比 H30 低 20% 以上。路透社指出，NVIDIA 對(duì)內(nèi)存和封裝的選擇是該芯片價(jià)格較低的關(guān)鍵原因。值得注意的是，據(jù)報(bào)道，新型號(hào)將放棄臺(tái)積電先進(jìn)的 CoWoS 封裝。此外，該報(bào)告補(bǔ)充說，預(yù)計(jì)它將基于 RTX Pro 6000D（服務(wù)器級(jí) GPU）與標(biāo)準(zhǔn) GDDR7 內(nèi)存配對(duì)，而不是更昂貴的 HBM。
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臺(tái)積電CoWoS間接讓BT載板基材喊缺？ NAND主控芯片漲價(jià)蠢動(dòng)

業(yè)界傳出，全球BT載板用基材龍頭的日本三菱瓦斯化學(xué)株式會(huì)社（MGC），近日向客戶發(fā)出BT材料「延遲交付」通知。隨著原料缺貨日益嚴(yán)峻，載板供應(yīng)中長(zhǎng)期將出現(xiàn)短缺。供應(yīng)鏈業(yè)者同步透露，金價(jià)持續(xù)上漲、產(chǎn)品交期延長(zhǎng)，NAND Flash控制芯片等領(lǐng)域，也可望轉(zhuǎn)嫁成本上漲，包括群聯(lián)、慧榮等主控業(yè)者有機(jī)會(huì)受惠。多家BT載板業(yè)者證實(shí)，確實(shí)2025年5月上旬時(shí)，陸續(xù)接獲日本MGC書面通知，部分高階材料訂單交期將進(jìn)一步拉長(zhǎng)，顯示先前傳出ABF載板材料供不應(yīng)求的情形，已進(jìn)一步向BT載板供應(yīng)鏈蔓延。據(jù)三菱發(fā)出的通知內(nèi)容指出，
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對(duì)Apple iPhone20的期望：HBM、無縫屏幕、純硅電池

據(jù) etnews 報(bào)道，據(jù)報(bào)道，蘋果已啟動(dòng)其 2027 年 iPhone 的開發(fā)，引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注，因?yàn)樗?jì)劃進(jìn)行重大技術(shù)升級(jí)以紀(jì)念該設(shè)備 20 周年。以下是 Apple 可能整合到下一代 iPhone 中的一些潛在新技術(shù)。Apple 將使用 HBM 解鎖 iPhone 的 AI 功能該報(bào)告指出，設(shè)備端 AI 將需要顯著的內(nèi)存進(jìn)步，業(yè)界預(yù)計(jì) Apple 將在 2027 年之前在 iPhone 中采用移動(dòng) HBM。消息人士稱，蘋果可能已經(jīng)與三星電子和 SK 海力士等主要內(nèi)存供應(yīng)商討論
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英偉達(dá)降級(jí)版H20或用GDDR取代HBM

在英偉達(dá)H20受到最新出口限制之后，其正在開發(fā)該芯片的降級(jí)版本，以尋求在有限政策空間內(nèi)繼續(xù)開拓中國(guó)市場(chǎng)，最早可能在7月發(fā)布。降級(jí)版H20性能預(yù)計(jì)會(huì)有較為明顯的下調(diào)，尤其是在內(nèi)存容量方面，據(jù)TrendForce報(bào)道英偉達(dá)可能會(huì)用GDDR取代HBM。英偉達(dá)HBM3的供應(yīng)商是SK海力士和三星，其中SK海力士是主要供應(yīng)商，如果降級(jí)版H20選擇換用GDDR，那么可能會(huì)對(duì)現(xiàn)有的供應(yīng)鏈產(chǎn)生一定的干擾。同樣，三星和SK海力士也都有與英偉達(dá)在GDDR7上合作的經(jīng)驗(yàn)，值得注意的是，現(xiàn)階段GDDR7的供應(yīng)主要由三星提供支持，S
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NVIDIA可能會(huì)考慮將中國(guó)特供H20的HBM換成GDDR

據(jù)稱，繼 NVIDIA H20 的最新出口限制之后，這家美國(guó)芯片巨頭正在開發(fā)該芯片的降級(jí)版本，以在中國(guó)銷售。由于改進(jìn)后的芯片預(yù)計(jì)將大幅削減，尤其是在內(nèi)存容量方面，New Daily 的一份報(bào)告暗示 NVIDIA 可能會(huì)用 GDDR 取代 HBM，這可能會(huì)破壞內(nèi)存供應(yīng)鏈。正如路透社所指出的，Team Green 已經(jīng)向中國(guó)主要的云提供商提供了有關(guān)即將推出的公告。據(jù)路透社報(bào)道，H20 的低調(diào)版本由新設(shè)定的技術(shù)限制塑造，最早可能在 7 月發(fā)布。目前，韓國(guó)《數(shù)字時(shí)報(bào)》報(bào)道稱，NVIDIA 堅(jiān)持從三星和
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三星代工再遭棄，救命稻草在哪里？

由于三星尖端制程良率偏低，以及美國(guó)特朗普政府關(guān)稅政策影響，處理器大廠AMD可能已經(jīng)取消了三星4nm制程訂單，進(jìn)而轉(zhuǎn)向了向臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州晶圓廠下單。這一決定標(biāo)志著三星代工業(yè)務(wù)繼失去高通、英偉達(dá)等科技巨頭價(jià)值數(shù)十億美元的尖端芯片訂單后，再次遭遇重大挫折。
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閃存，是如何工作的？

NAND閃存將單元串聯(lián)排列以實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)，優(yōu)先考慮寫入/擦除速度而不是直接尋址。
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DDR4加速退場(chǎng)，DDR5成為主流

三星已向其供應(yīng)鏈傳達(dá)消息，多款基于1y nm（第二代10nm級(jí)別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級(jí)別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進(jìn)入EOL階段。與此同時(shí)，美光已通知客戶將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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SK海力士Q1利潤(rùn)飆升158% 或取代三星成AI內(nèi)存芯片新王

4月24日消息，韓國(guó)內(nèi)存巨頭SK海力士公布2025年Q1財(cái)報(bào)，Q1營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比增長(zhǎng)158%，為7.44萬億韓元（約合52億美元），超過預(yù)期的6.6萬億韓元。營(yíng)收同比增長(zhǎng)42%，達(dá)到17.63萬億韓元。數(shù)據(jù)顯示，這是SK海力士第二好的季度業(yè)績(jī)，此前該公司上一季度營(yíng)收和營(yíng)業(yè)利潤(rùn)均創(chuàng)歷史新高。作為英偉達(dá)HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)的重要供應(yīng)商，SK海力士受益于HBM等AI關(guān)鍵組件的強(qiáng)勁需求增長(zhǎng)。2025年Q1，SK海力士在DRAM市場(chǎng)的份額超過三星。報(bào)告期內(nèi)，SK海力士占據(jù)了DRAM市場(chǎng)36%的份額，而三星是34%。
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沖刺新品市占三星擬停產(chǎn)舊規(guī)HBM

三星對(duì)此消息表示，無法確認(rèn)。但法人認(rèn)為，HBM市場(chǎng)年復(fù)合成長(zhǎng)率超過45%，三星傳停產(chǎn)舊規(guī)格的HBM，應(yīng)有助于三星加快技術(shù)迭代，并鞏固其與SK海力士、美光的「三強(qiáng)爭(zhēng)霸」地位。與此同時(shí)，陸廠加快進(jìn)攻高階存儲(chǔ)器市場(chǎng)。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)宣布16nm DDR5 DRAM已量產(chǎn)，性能超越SK海力士12nm產(chǎn)品，并計(jì)劃2025年將產(chǎn)能擴(kuò)至每月18萬片晶圓，目標(biāo)2026年切入LPDDR5與車用DRAM，為未來進(jìn)軍HBM鋪路。長(zhǎng)江存儲(chǔ)則靠Xtacking混合鍵合技術(shù)快速追趕，量產(chǎn)全球首款270層3D NAND Flash，與三星
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閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實(shí)現(xiàn) AI

Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內(nèi)存）用于 AI 推理應(yīng)用。當(dāng) Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)公司 Western Digital 分拆出來時(shí)，該公司表示，它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時(shí)追求新興顛覆性內(nèi)存技術(shù)的開發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內(nèi)存技術(shù)高級(jí)副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內(nèi)存的東西。在同
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兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點(diǎn)。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢(shì)與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢(shì)的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機(jī)遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動(dòng)應(yīng)用場(chǎng)景的理想之選。GD5F1GM9系列
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兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，突破性讀取速度，助力應(yīng)用快速啟動(dòng)

近日，兆易創(chuàng)新宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點(diǎn)。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢(shì)與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢(shì)的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機(jī)遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動(dòng)應(yīng)用場(chǎng)景的理想之選。GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash采用24n
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美光、SK海力士跟隨中！三星對(duì)內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價(jià)3-5%：客戶已開始談判新合同

4月7日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，三星公司領(lǐng)導(dǎo)層將對(duì)主要全球客戶提高內(nèi)存芯片價(jià)格——從當(dāng)前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長(zhǎng)”導(dǎo)致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)2025年和2026年價(jià)格都會(huì)上漲。一位不愿透露姓名的半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示：去年全年供應(yīng)過剩，但隨著主要公司開始減產(chǎn)，供應(yīng)量最近有所下降，目前三星漲價(jià)后部分新合同的談判已然啟動(dòng)。此外，人工智能 (AI) 設(shè)備在中國(guó)接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動(dòng)化，對(duì)半導(dǎo)體的需求正在逐漸增加。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計(jì)顯示，
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