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          封裝 文章 最新資訊

          硅通孔的下一步發(fā)展

          • 隨著從 HBM 到 3D 封裝中的集成 RF、電源和 MEMS 等所有產(chǎn)品的需求不斷增長(zhǎng),晶圓廠工具正在針對(duì) TSV 工藝進(jìn)行微調(diào)。
          • 關(guān)鍵字: TSV  封裝  

          求變!三星將全面整頓封裝供應(yīng)鏈:材料設(shè)備采購(gòu)規(guī)則全改

          • 12月25日消息,據(jù)媒體報(bào)道,三星正計(jì)劃對(duì)其先進(jìn)半導(dǎo)體封裝供應(yīng)鏈進(jìn)行全面整頓,以加強(qiáng)技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力。這一舉措將從材料、零部件到設(shè)備進(jìn)行全面的“從零檢討”,預(yù)計(jì)將對(duì)國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)重大影響。報(bào)道稱,三星已經(jīng)開(kāi)始審查現(xiàn)有供應(yīng)鏈,并計(jì)劃建立一個(gè)新的供應(yīng)鏈體系,優(yōu)先關(guān)注設(shè)備,并以性能為首要要求,不考慮現(xiàn)有業(yè)務(wù)關(guān)系或合作。三星甚至正在考慮退回已采購(gòu)的設(shè)備,并重新評(píng)估其性能和適用性,目標(biāo)是推動(dòng)供應(yīng)鏈多元化,包括更換現(xiàn)有的供應(yīng)鏈。三星過(guò)去一直執(zhí)行“聯(lián)合開(kāi)發(fā)計(jì)劃”與單一供應(yīng)商合作開(kāi)發(fā)下一代產(chǎn)品,然而,由于半導(dǎo)體技術(shù)日益復(fù)
          • 關(guān)鍵字: 三星  制程  封裝  

          電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的“粘合劑”,開(kāi)啟可編程邏輯器件的無(wú)限可能!

          • 我們常說(shuō)邏輯器件是每個(gè)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的“粘合劑”,但在為系統(tǒng)選擇元件時(shí),它們通常是您最后考慮的部分。確實(shí)有很多經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件可供選擇。但是,隨著設(shè)計(jì)變得越來(lái)越復(fù)雜,我們需要在電路板上集成邏輯元件,以便為更多功能留出空間。越來(lái)越多的工程師選擇可編程邏輯器件 (PLD)、復(fù)雜 PLD (CPLD) 或現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列 (FPGA),從而幫助減小解決方案尺寸、降低設(shè)計(jì)和制造成本、管理其供應(yīng)鏈,并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。在使用 CPLD 或 FPGA 進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),需要考慮許多權(quán)衡因素,這些器件支持?jǐn)?shù)千個(gè)邏輯元件,
          • 關(guān)鍵字: PLD  封裝  

          賽默飛推出 Helios 5 Hydra CX DualBeam,助力半導(dǎo)體封裝技術(shù)革新

          • 全球科學(xué)服務(wù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者賽默飛世爾科技(Thermo Fisher Scientific)近日發(fā)布了全新的 Helios 5 Hydra CX DualBeam 系統(tǒng)。該系統(tǒng)結(jié)合了創(chuàng)新的多離子種類等離子聚焦離子束(PFIB)鏡筒和單色 Elstar 電子鏡筒,旨在為半導(dǎo)體封裝技術(shù)帶來(lái)突破性進(jìn)展。突破后摩爾時(shí)代的“四堵墻”在后摩爾時(shí)代,半導(dǎo)體行業(yè)面臨存儲(chǔ)、面積、功耗和功能四大瓶頸。先進(jìn)封裝技術(shù)被視為突破這些限制的關(guān)鍵途徑。Helios 5 Hydra CX DualBeam 的推出,為晶圓基板上芯片(CoW
          • 關(guān)鍵字: 封裝  

          Bourns 推出兩款厚膜電阻系列,具備高功率耗散能力, 采用緊湊型 TO-220 和 DPAK 封裝設(shè)計(jì)

          • 2024年11月21日 - 美國(guó)柏恩 Bourns 全球知名電源、保護(hù)和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商,隆重推出全新 Riedon?PF2203 和 PFS35系列高功率厚膜電阻。這兩大系列是 Bourns 廣泛高功率電阻產(chǎn)品線的重要擴(kuò)充,采用緊湊型 TO-220 和 DPAK 封裝,具備低電感、卓越的脈沖處理能力及高達(dá) 35W 的額定功率,可顯著提升電路穩(wěn)定性和測(cè)量精度。Bourns 推出的 Riedon? PF2203 和 PFS35 系列高功率厚膜電阻,具有廣泛的電阻值范圍,從 10 MΩ 到
          • 關(guān)鍵字: Bourns  厚膜電阻  TO-220  DPAK  封裝  Riedon? PF2203  PFS35   

          三星擴(kuò)大高帶寬存儲(chǔ)器封裝產(chǎn)能

          • 據(jù)外媒報(bào)道,三星正在擴(kuò)大韓國(guó)和其他國(guó)家芯片封裝工廠的產(chǎn)能,主要是蘇州工廠和韓國(guó)忠清南道天安基地。由于人工智能領(lǐng)域激增的需求,下一代高帶寬存儲(chǔ)器封裝(HBM)的重要性日益重要,三星希望通過(guò)提升封裝能力,確保他們未來(lái)的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力,并縮小與SK海力士在這一領(lǐng)域的差距?!?蘇州工廠是三星目前在韓國(guó)之外僅有的封裝工廠,業(yè)內(nèi)人士透露他們?cè)谌径纫淹嚓P(guān)廠商簽署了設(shè)備采購(gòu)協(xié)議,合同接近200億韓元,目的是擴(kuò)大工廠的產(chǎn)能。· 另外,三星近期已同忠清南道和天安市簽署了擴(kuò)大芯片封裝產(chǎn)能的投資協(xié)議,計(jì)劃在韓國(guó)天安市新建一座專門(mén)
          • 關(guān)鍵字: 三星  高帶寬存儲(chǔ)器  封裝  HBM  

          郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因

          • 11 月 6 日消息,天風(fēng)證券分析師郭明錤昨日(11 月 5 日)在 Medium 上發(fā)布博文,深入分析了英特爾 Lunar Lake 失敗的前因后果。IT之家此前報(bào)道,是英特爾近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后,將不再把 DRAM 整合進(jìn) CPU 封裝。雖此事近來(lái)成為焦點(diǎn),但業(yè)界早在至少半年前就知道,在英特爾的 roadmap 上,后續(xù)的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther Lake 與 Wildcat La
          • 關(guān)鍵字: 郭明錤  英特爾  Lunar Lake  DRAM  CPU  封裝  AI PC  LNL  

          臺(tái)積電稱2025年如期量產(chǎn)2nm芯片

          • 臺(tái)積電公開(kāi)稱,高雄晶圓廠興建工程按照計(jì)劃進(jìn)行,并且進(jìn)展良好,2nm將如期于2025年量產(chǎn)。此前有消息稱,高雄廠第一座2納米廠將于11月26日舉行進(jìn)機(jī)典禮,并自12月1日展開(kāi)裝機(jī)。ASML也已經(jīng)向臺(tái)積電交付了NAEUV光刻機(jī),該光刻機(jī)是生產(chǎn)制造2nm及以下工藝芯片的最佳設(shè)備。臺(tái)積電明年量產(chǎn)2nm芯片,還是在高雄工廠,這說(shuō)明魏哲家說(shuō)的沒(méi)錯(cuò),臺(tái)積電根留臺(tái)灣,最先進(jìn)的技術(shù),也留在了臺(tái)灣省。芯片規(guī)則修改后,美明確想要臺(tái)積電最先進(jìn)的芯片技術(shù),還要求更多芯片在本土制造。臺(tái)積電就加速在美建廠,連續(xù)投資超650億美元,建設(shè)
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  2nm芯片  ASML  NAEUV  光刻機(jī)  封裝  

          磁性封裝技術(shù)進(jìn)一步縮小了DC-DC模塊的尺寸

          • 由德州儀器開(kāi)發(fā)的這些超小型電源模塊比同類設(shè)備小23%,同時(shí)提高了功率密度和效率。當(dāng)你認(rèn)為低功率DC-DC模塊的尺寸已經(jīng)無(wú)法再縮小時(shí),材料和設(shè)計(jì)方面的創(chuàng)新發(fā)展會(huì)挑戰(zhàn)并推翻這個(gè)看似合理的假設(shè)。以德州儀器最新推出的一系列電源模塊為例。這些模塊基于一種新的磁性封裝技術(shù),在不影響性能的情況下顯著減小了尺寸,滿足了我們對(duì)DC-DC模塊和本地化電源調(diào)節(jié)的無(wú)盡需求(圖1)。德州儀器 圖1:采用MagPack技術(shù)的新電源模塊比上一代產(chǎn)品小50%,在保持出色的熱性能的同時(shí)將功率密度提高了一倍。 采用MagPack技術(shù)的新
          • 關(guān)鍵字: 封裝,磁性封裝  

          英特爾 VS 三星 VS 臺(tái)積電,愈演愈烈

          • 隨著平面縮放優(yōu)勢(shì)的減弱,三維領(lǐng)域和新技術(shù)的代工競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈。
          • 關(guān)鍵字: 3D晶體管  封裝  

          SEMI日本總裁稱先進(jìn)封裝應(yīng)統(tǒng)一:臺(tái)積電、三星、Intel三巨頭誰(shuí)會(huì)答應(yīng)

          • 7月28日消息,SEMI日本辦事處總裁Jim Hamajima近日呼吁業(yè)界盡早統(tǒng)一封測(cè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),尤其是先進(jìn)封裝領(lǐng)域。他認(rèn)為,當(dāng)前臺(tái)積電、三星和Intel等芯片巨頭各自為戰(zhàn),使用不同的封裝標(biāo)準(zhǔn),這不僅影響了生產(chǎn)效率,也可能對(duì)行業(yè)利潤(rùn)水平造成影響。目前僅臺(tái)積電、三星和Intel三家公司在先進(jìn)制程芯片制造領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng),同時(shí)隨著芯片朝著高集成度、小特征尺寸和高I/O方向發(fā)展,對(duì)封裝技術(shù)提出了更高的要求。目前,先進(jìn)封裝技術(shù)以倒裝芯片(Flip-Chip)為主,3D堆疊和嵌入式基板封裝(ED)的增長(zhǎng)速度也非常快。HBM內(nèi)
          • 關(guān)鍵字: SEMI  封裝  臺(tái)積電  三星  Intel  

          7nm等光刻機(jī)沒(méi)有也無(wú)妨!中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事長(zhǎng):先進(jìn)封裝是未來(lái)

          • 7月22日消息,據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道稱,中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事長(zhǎng)陳南翔近日接受采訪時(shí)表示,中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)仍在路上,未來(lái)一定孕育巨大成功模式?!霸?0年前,我不曾想過(guò)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能有如今的發(fā)展規(guī)模,但是在過(guò)去的20年我們可以清楚的看到,未來(lái)中國(guó)一定會(huì)有今天這樣的發(fā)展?!标惸舷璺Q,不過(guò),當(dāng)下還不是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最好的發(fā)展?fàn)顟B(tài),中國(guó)最好的狀態(tài)正在路上。陳南翔指出,當(dāng)前看到的三星正在做的三納米和英特爾正在做的三納米都是不一樣的,有著各自的定義?!耙郧澳柖捎行У臅r(shí)候,在每一個(gè)節(jié)點(diǎn)上,大家都知道三年后如何發(fā)展、六年
          • 關(guān)鍵字: 封裝  半導(dǎo)體  

          美國(guó)推動(dòng)在拉美建立芯片封裝供應(yīng)鏈

          • 7 月 18 日消息,為減少對(duì)亞洲的依賴并在美洲封裝美國(guó)芯片,美國(guó)政府啟動(dòng)了一項(xiàng)提升拉丁美洲芯片封裝能力的計(jì)劃。值得注意的是,英特爾已經(jīng)在哥斯達(dá)黎加的圣何塞設(shè)有組裝、測(cè)試和封裝工廠。然而,目前尚不清楚這家藍(lán)色巨頭是否會(huì)從新計(jì)劃中受益。該計(jì)劃網(wǎng)站上的聲明強(qiáng)調(diào)了加強(qiáng)半導(dǎo)體制造和確保供應(yīng)鏈安全的重要性,目的是防止任何單一國(guó)家或地區(qū)壟斷關(guān)鍵的芯片封裝行業(yè)。美國(guó)政府的《芯片與科學(xué)法案》計(jì)劃的一大特點(diǎn)是,盡管到本十年末美國(guó)將生產(chǎn)更多的半導(dǎo)體產(chǎn)品,但其中大多數(shù)需要在美國(guó)境外的亞洲地區(qū)進(jìn)行封裝,這使整個(gè)供應(yīng)鏈變得更加復(fù)雜
          • 關(guān)鍵字: 美國(guó)  芯片  封裝  供應(yīng)鏈  

          半導(dǎo)體芯片封裝將迎新格局,玻璃基板技術(shù)冉冉升起

          • 7 月 12 日消息,集邦咨詢于 7 月 10 日發(fā)布博文,玻璃基板技術(shù)憑借著卓越的性能以及諸多優(yōu)勢(shì),已經(jīng)成為先進(jìn)封裝領(lǐng)域一顆冉冉升起的新星。玻璃基板技術(shù)芯片基板是用來(lái)固定晶圓切好的裸晶(Die),封裝的最后一步的主角,基板上固定的裸晶越多,整個(gè)芯片的晶體管數(shù)量就越多。芯片基板材料主要經(jīng)歷了兩次迭代,上世紀(jì) 70 年代開(kāi)始使用引線框架,在 90 年代過(guò)渡到陶瓷基板,也是目前最常見(jiàn)的有機(jī)材料基板。在封裝解決方案中,玻璃基板相比有機(jī)基板有更多優(yōu)勢(shì),IT之家簡(jiǎn)要匯總?cè)缦拢骸?卓越的機(jī)械、物理和光學(xué)特性· 芯片上
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  芯片  封裝  玻璃基板  

          英特爾代工合作伙伴為EMIB先進(jìn)封裝技術(shù)提供參考流程

          • 在摩爾定律的旅程中,先進(jìn)封裝技術(shù)正發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用,通過(guò)堆疊技術(shù)的創(chuàng)新,可以在單個(gè)設(shè)備中集成更多的晶體管。目前的大多數(shù)芯片都采用了異構(gòu)架構(gòu)設(shè)計(jì),先進(jìn)封裝技術(shù)也讓設(shè)備中采用不同制程技術(shù)、來(lái)自不同廠商、執(zhí)行不同功能的芯粒能夠在一起妥善工作,從而提高性能并降低功耗。EMIB(嵌入式多芯片互連橋接)是英特爾的一種2.5D先進(jìn)封裝技術(shù),支持把不同的芯片放在同一塊平面上相互連接。傳統(tǒng)的2.5D封裝是在芯片和基板間的硅中介層上進(jìn)行布線,EMIB則是通過(guò)一個(gè)嵌入基板內(nèi)部的單獨(dú)芯片完成互連。作為一種高成本效益的方法,
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  代工  EMIB  封裝  
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          封裝介紹

          程序  封裝 (encapsulation)   隱藏對(duì)象的屬性和實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié),僅對(duì)外公開(kāi)接口,控制在程序中屬性的讀和修改的訪問(wèn)級(jí)別.   封裝 (encapsulation)   封裝就是將抽象得到的數(shù)據(jù)和行為(或功能)相結(jié)合,形成一個(gè)有機(jī)的整體,也就是將數(shù)據(jù)與操作數(shù)據(jù)的源代碼進(jìn)行有機(jī)的結(jié)合,形成“類”,其中數(shù)據(jù)和函數(shù)都是類的成員。   封裝的目的是增強(qiáng)安全性和簡(jiǎn)化編程,使用者不必了解具體的 [ 查看詳細(xì) ]

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