存儲(chǔ)器 文章 最新資訊
全球首顆混合架構(gòu)閃存芯片，我國有望顛覆傳統(tǒng)存儲(chǔ)器體系
- 10月8日，復(fù)旦大學(xué)集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院周鵬、劉春森團(tuán)隊(duì)在《自然》（Nature）期刊上發(fā)表題為《全功能二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片》（A full-featured 2D flash chip enabled by system integration）論文，率先研發(fā)出全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片。復(fù)旦大學(xué)集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院、集成芯片與系統(tǒng)全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員劉春森和教授周鵬為論文通訊作者，劉春森研究員和博士生江勇波、沈伯僉、袁晟超、曹振遠(yuǎn)為論文第一作者。今年4月，周鵬、劉春森團(tuán)隊(duì)研發(fā)
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三大存儲(chǔ)器巨頭正在投資1c DRAM，瞄準(zhǔn)AI和HBM市場
- 各大存儲(chǔ)器企業(yè)正專注于1c DRAM量產(chǎn)的新投資和轉(zhuǎn)換投資。主要內(nèi)存公司正在加快對(duì) 1c（第 6 代 10nm 級(jí)）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設(shè)量產(chǎn)線，據(jù)報(bào)道，SK海力士正在討論其近期轉(zhuǎn)型投資的具體計(jì)劃。美光本月還獲得了日本政府的補(bǔ)貼，用于其新的 1c DRAM 設(shè)施。1c DRAM是各大內(nèi)存公司計(jì)劃在今年下半年量產(chǎn)的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內(nèi)存）中主動(dòng)采用 6c DRAM。SK海力士和美光計(jì)劃在包括服務(wù)器在內(nèi)的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
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存儲(chǔ)器行情來得又急又快 DRAM報(bào)價(jià)10月看漲雙位數(shù)
- 全球存儲(chǔ)器市場在生成式AI與大型云端服務(wù)商（CSP）急單帶動(dòng)下，正式進(jìn)入新一輪長線上行。 隨著業(yè)界開始惜售，業(yè)者預(yù)期，10月DDR4與DDR5合約價(jià)及現(xiàn)貨價(jià)，皆將出現(xiàn)雙位數(shù)漲幅。產(chǎn)業(yè)界大老指出，這一波內(nèi)存行情漲得又快又急，可望一路延續(xù)到2026年底。根據(jù)業(yè)界對(duì)10月漲幅最新預(yù)估，DDR5合約價(jià)將上漲10~15%，現(xiàn)貨價(jià)漲15~25%; DDR4合約價(jià)將上漲逾10%，現(xiàn)貨價(jià)漲幅則超過15%，隨著市場供貨趨緊，現(xiàn)貨價(jià)漲幅還有進(jìn)一步拉升的可能。業(yè)者分析，此波漲幅的原因有二：一是AI應(yīng)用與儲(chǔ)存需求強(qiáng)勁，推升NAN
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華為直指AI存儲(chǔ)器市場，將發(fā)布自研AI SSD
- 華為定于8月27日召開「AI SSD，加速智能經(jīng)濟(jì)涌現(xiàn)」新品發(fā)布會(huì)，劍指AI存儲(chǔ)器賽道，計(jì)劃以技術(shù)創(chuàng)新推出大容量AI SSD，突破傳統(tǒng)HBM的容量限制。在當(dāng)前的AI存儲(chǔ)器領(lǐng)域，HBM占據(jù)重要地位 —— HBM是一種通過3D堆疊和超寬接口，實(shí)現(xiàn)極高數(shù)據(jù)傳輸帶寬的先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)，通常直接封裝在GPU卡中。問題在于，傳統(tǒng)HBM受容量制約，難以滿足AI大模型等場景需求，HBM犧牲容量換取極致帶寬和能效的策略導(dǎo)致現(xiàn)有算力卡上HBM的容量比較有限。華為將發(fā)布的全新AI SSD產(chǎn)品，可以有效滿足AI訓(xùn)練推理過程中的超大容
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新型單分子磁體技術(shù)或可解鎖容量提升 100 倍的硬盤
- （圖片來源：Getty / Comezora）科學(xué)家們工程化的一種突破性新型分子，可能為存儲(chǔ)技術(shù)開啟100倍于當(dāng)前容量的新大門，這得益于一種能在所需低溫下用常見冷卻劑保持的單分子磁體，這是單分子磁體技術(shù)上的重大突破。曼徹斯特大學(xué)和澳大利亞國立大學(xué)（ANU）的化學(xué)家在《 自然 》上發(fā)表了研究結(jié)果。正如 Phys 所解釋的那樣，現(xiàn)代硬盤通過磁化由許多原子共同組成的小區(qū)域來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而單分子磁體可以單獨(dú)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，無需鄰近分子的幫助，為超高密度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)鋪平了道路。技術(shù)挑戰(zhàn)在
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存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)急單潮或降溫，中美關(guān)稅戰(zhàn)緩和影響幾何？
- 據(jù)媒體報(bào)道，近期存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)急單出貨表現(xiàn)強(qiáng)勁，主要受中美關(guān)稅戰(zhàn)緩和的影響，供應(yīng)鏈客戶拉貨節(jié)奏有望逐步回歸正常。隨著中美雙方在日內(nèi)瓦發(fā)布聯(lián)合聲明，美國對(duì)中國商品的關(guān)稅暫時(shí)降至30%，中國對(duì)美國商品的關(guān)稅也降至10%。這一調(diào)整為全球關(guān)稅談判設(shè)立了新的“隱形區(qū)間”，即10%至30%。業(yè)內(nèi)人士指出，盡管30%的關(guān)稅仍對(duì)部分企業(yè)構(gòu)成較大壓力，但相較于此前的高稅率，供應(yīng)鏈的緊張情緒已有所緩解。特別是在存儲(chǔ)器領(lǐng)域，由于韓系廠商三星電子逐步停產(chǎn)DDR4，市場一度出現(xiàn)急單拉貨潮。隨著關(guān)稅局勢改善，客戶已建立一定庫存，急單備貨
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中國存儲(chǔ)器市占2年內(nèi)大躍升 盧超群：產(chǎn)業(yè)進(jìn)入重大轉(zhuǎn)型期
- 全球存儲(chǔ)器市場正在從谷底回升，看好存儲(chǔ)器將成為AI運(yùn)算的核心之一，但鈺創(chuàng)董事長盧超群示警，中國大陸廠商正加速擴(kuò)張中低階DRAM產(chǎn)能，未來2年市占率將可望躍升至4成，恐將沖擊全球價(jià)格與產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。對(duì)于短期需求，盧超群表示，是否處于真實(shí)需求或庫存拉貨，仍需進(jìn)一步觀察，但從第2季起需求已逐步浮現(xiàn)，預(yù)期第3~4季有望逐季轉(zhuǎn)強(qiáng)，包括車用產(chǎn)品在關(guān)稅政策壓力下，目前尚未接獲任何來自客戶的負(fù)面回饋，因此將審慎態(tài)度因應(yīng)短期變動(dòng)，推進(jìn)長期的應(yīng)用布局。鈺創(chuàng)觀察，旗下存儲(chǔ)器產(chǎn)品較少直接出貨至美國市場，但近期在對(duì)等關(guān)稅90天豁免期間
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TrendForce:預(yù)估2Q25存儲(chǔ)器合約價(jià)漲幅將擴(kuò)大
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，近期國際形勢變化已切實(shí)改變了存儲(chǔ)器供需方操作策略。TrendForce資深研究副總吳雅婷表示，由于買賣雙方急于完成交易、推動(dòng)生產(chǎn)出貨，以應(yīng)對(duì)未來市場不確定性，預(yù)期第二季存儲(chǔ)器市場的交易動(dòng)能將隨之增強(qiáng)。基于對(duì)未來國際形勢走向不明的擔(dān)憂，采購端普遍秉持“降低不確定因素、建立安全庫存”的策略，積極提高DRAM和NAND Flash的庫存水位。TrendForce集邦咨詢表示，受到積極備貨潮帶動(dòng)，第二季的DRAM和NAND Flash合約價(jià)調(diào)漲幅度皆較原本預(yù)期擴(kuò)大。然
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Teledyne e2v 雙倍容量太空級(jí) 8GB DDR4 內(nèi)存芯片，面向高可靠性太空應(yīng)用
- 超緊湊、彈性的存儲(chǔ)器芯片提高了面向通信、地球觀測、科學(xué)和邊緣計(jì)算的衛(wèi)星的高級(jí)任務(wù)的SWaP。8GB DDR4的合格工程樣片 (EM) 現(xiàn)已發(fā)布，飛行正片 (FM) 正在制造中，計(jì)劃于2025年初推出。超快、高密度8GB DDR4存儲(chǔ)器提供與較小的4GB DDR4選項(xiàng)相同的外形尺寸和引腳兼容性-是下一代設(shè)計(jì)的理想選擇。新的高速8GB DDR4存儲(chǔ)器支持2400MT/s的傳輸速率。它對(duì)高達(dá)60 MeV.cm2/mg 的單粒子閂鎖 (SEL) 具有免疫力。此外，該器件提供100 krad總電離劑量 (TID)，
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三星電子計(jì)劃上調(diào)存儲(chǔ)器價(jià)格
- 根據(jù)韓國媒體Pulse的報(bào)道，復(fù)雜國際形勢下，三星已經(jīng)開始與全球主要客戶進(jìn)行價(jià)格調(diào)整的談判，三星計(jì)劃對(duì)DRAM和NAND閃存產(chǎn)品進(jìn)行3%至5%的提價(jià)。報(bào)道指出，在過去的幾個(gè)月里，存儲(chǔ)器芯片的需求因?yàn)榭蛻舻膬?chǔ)備行為而急劇上升，這使得三星開始重新考慮其定價(jià)策略。此前，該公司由于市場供應(yīng)過剩和需求疲軟，長期維持穩(wěn)定價(jià)格。然而，隨著國際形勢以及存儲(chǔ)市場變化，加上競爭對(duì)手宣布提價(jià)，三星也開始加入漲價(jià)陣營。根據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)測，DRAM價(jià)格在第二季度有望上漲3%至8%，而NAND閃存的價(jià)格也將隨著需求
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鎧俠將開發(fā)新型 CXL 接口存儲(chǔ)器：功耗、位密度優(yōu)于 DRAM、讀取快于 NAND
- 11 月 7 日消息，鎧俠日本當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示，其“創(chuàng)新型存儲(chǔ)制造技術(shù)開發(fā)”提案已獲日本新能源?產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）“加強(qiáng)后 5G 信息和通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項(xiàng)目 / 先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)開發(fā)”計(jì)劃采納。鎧俠表示，在后 5G 信息和通信系統(tǒng)時(shí)代，AI 普及等因素產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量預(yù)計(jì)將變得極其龐大，從而導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)處理和功耗增加。因此數(shù)據(jù)中心使用的存儲(chǔ)器必須能夠在高性能處理器之間高速傳輸數(shù)據(jù)，提高容量并降低功耗。鎧俠計(jì)劃開發(fā)新型 CXL 接口存儲(chǔ)，目標(biāo)打造出較 DRAM
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HBM外另一大關(guān)注重點(diǎn)：新一代存儲(chǔ)器GDDR7是什么？
- 隨著GDDR7存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格于今年確定，存儲(chǔ)器業(yè)者開始推出GDDR7解決方案。與目前的GDDR6和GDDR6X相比，GDDR7提供大升級(jí)，提高游戲和其它類型工作負(fù)載的性能。什么是GDDR7存儲(chǔ)器呢？其實(shí)GDDR（Graphics Double Data Rate）的「G」，可以得知是用于GPU的顯示存儲(chǔ)器，如即將推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年問世，首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU，其起始的顯存時(shí)脈頻率為14
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2024年上半年存儲(chǔ)器現(xiàn)貨市場調(diào)整，預(yù)計(jì)下半年價(jià)格將面臨壓力
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，存儲(chǔ)器模組廠從2023年第三季后開始積極增加DRAM（內(nèi)存）庫存，到2024年第二季庫存水位已上升至11-17周。然而，消費(fèi)電子需求未如預(yù)期回溫，如智能手機(jī)領(lǐng)域已出現(xiàn)整機(jī)庫存過高的情況，筆電市場也因?yàn)橄M(fèi)者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買，市場繼續(xù)萎縮。這種情況下，以消費(fèi)產(chǎn)品為主的存儲(chǔ)器現(xiàn)貨價(jià)格開始走弱，第二季價(jià)格較第一季下跌超過30%。盡管現(xiàn)貨價(jià)至八月份仍與合約價(jià)脫鉤，但也暗示合約價(jià)的潛在趨勢。TrendForce集邦咨詢表示，2024年第二季模組廠在消費(fèi)
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富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案株式會(huì)社宣布更名為RAMXEED LIMITED
- 日本橫濱2024年8月20日 /美通社/ -- 富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案株式會(huì)社（Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited）欣然宣布，自2025年1月1日起，公司名稱將變更為RAMXEED LIMITED。在更名的同時(shí)，公司的電子郵件地址和網(wǎng)站網(wǎng)址也將提前更新，而郵政地址和電話號(hào)碼則保持不變。新公司徽標(biāo)：https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202408074740/_p
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ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC 都是什么？一次性搞清楚！
- 簡單解釋一、ROM：只讀存儲(chǔ)器，內(nèi)容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機(jī)啟動(dòng)如啟動(dòng)光盤bios，在系統(tǒng)裝好的電腦上時(shí)，計(jì)算機(jī)將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存，然后通過cpu調(diào)用各種配件進(jìn)行工作這時(shí)系統(tǒng)存放存儲(chǔ)器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲(chǔ)器，但是只可以編寫一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲(chǔ)器，可重復(fù)使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲(chǔ)器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。二、RAM：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器，可
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存儲(chǔ)器介紹
什么是存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲(chǔ)器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
存儲(chǔ)器電路
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