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          ddr4 文章 最新資訊

          內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新:DDR4 價格下滑放緩,韓國內(nèi)存制造商引發(fā)大幅漲價

          • 根據(jù) TrendForce 最新內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告,關于 DDR4,由于兩家主要韓國供應商對消費級 DRAM 芯片實施了顯著的月度價格上調(diào),之前的價格下跌趨勢有所緩解。至于 NAND 閃存,高容量產(chǎn)品受到買方和賣方預期價格差異的限制,實際交易中變得稀缺。詳情如下:DRAM 現(xiàn)貨價格:關于 DDR4 產(chǎn)品的現(xiàn)貨價格,由于兩家主要韓國供應商對消費級 DRAM 芯片實施了大幅度的月度漲價,之前的價格下跌趨勢有所緩和。目前,DDR4 市場顯示現(xiàn)貨價格已停止下跌,交易量有明顯增加。轉向 DDR5 產(chǎn)品,隨著合約價
          • 關鍵字: 存儲  DRAM  DDR4  

          DDR4退場,國產(chǎn)CPU面臨小考

          • DDR4 漲瘋了。自 5 月初開始,DDR4 持續(xù)漲價。熱門料號如 DDR4 16Gb 3200MHz 價格由 5 月 6 日當周的 2.4 美元上漲至本周的 6.4 美元,漲幅超過 160%。甚至,相同內(nèi)存條件下,DDR4 的價格比 DDR5 更貴,形成了少見的「價格倒掛」現(xiàn)象。業(yè)內(nèi)人士評價:「從來沒見過,即將停產(chǎn)的 DDR 內(nèi)存芯片在停產(chǎn)時,價格飆得如此之高?!棺鳛榕c CPU 直接交互的存儲介質(zhì),DDR(雙倍數(shù)據(jù)速率隨機存儲器)的技術規(guī)格直接決定了 CPU 算力的釋放上限
          • 關鍵字: DDR4  DDR5  

          SK 海力士據(jù)報道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價格上調(diào) 20%,因 Q3 需求保持強勁

          • 隨著內(nèi)存制造商逐步淘汰 DDR4,預計出貨將在 2026 年初結束,合同價格持續(xù)上漲。據(jù)中國的 華爾街見聞 報道,SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內(nèi)存的合同價格上調(diào)約 20%,標志著新一輪價格上漲。這種趨勢與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應,該機構指出,三大主要 DRAM 供應商正在將產(chǎn)能重新分配給高端產(chǎn)品,并逐步淘汰 PC、服務器級 DDR4 和移動 LPDDR4X。因此,據(jù) TrendForce 預測,2025 年第三季度主流 DRAM 的平
          • 關鍵字: DDR4  DRAM  存儲  

          主要內(nèi)存制造商的 DDR4 退出時間表逐漸明朗:三星、SK 海力士和美光計劃

          • 隨著主要內(nèi)存制造商將產(chǎn)能轉向 DDR5 和 HBM,他們的 DDR4 淘汰時間表逐漸清晰。根據(jù)商業(yè)時報的報道,三星、SK 海力士和美光計劃在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出貨。TrendForce 的最新調(diào)查也顯示,三大 DRAM 供應商正在將產(chǎn)能轉向高端產(chǎn)品,并已開始宣布 PC 和服務器級 DDR4 以及移動 LPDDR4X 的停產(chǎn)計劃。因此,預計 2025 年第三季度的傳統(tǒng) DRAM 合同價格將上漲 10%至 15%。包括 HBM 在內(nèi),整體 DRAM 價格預計將上漲 15%至 2
          • 關鍵字: 存儲  DDR4  HBM  

          內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新:16Gb DDR4 消費者內(nèi)存價格上升,而 PC 內(nèi)存失去動力

          • 根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告,關于 DRAM,16Gb DDR4 消費者內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價格持續(xù)上漲,而 8Gb DDR4 等 PC 內(nèi)存芯片則出現(xiàn)輕微回調(diào)。至于 NAND 閃存,供應商逐步釋放產(chǎn)能資源,加上中國國家補貼的減弱效應,導致現(xiàn)貨市場低迷。詳情如下:DRAM 現(xiàn)貨價格:盡管過去一周現(xiàn)貨價格略有下降,但這主要反映了之前 DDR4 芯片價格的快速大幅上漲。整體供應仍然非常緊張。值得注意的是,16Gb DDR4 消費級 DRAM 芯片的現(xiàn)貨價格繼續(xù)上漲,而 8Gb DDR4 等
          • 關鍵字: 內(nèi)存  DDR4  DRAM  

          DDR4漲勢Q4觸頂、NAND持平

          • TrendForce最新釋出的存儲器市場觀察指出,2025年第二季以來快速上漲的DDR4價格漲勢,恐將在第四季觸頂回落; 而NAND市場雖受惠AI需求帶動,但因供需未形成緊張態(tài)勢,價格預期多呈持平。TrendForce表示,DDR4近期的強勁漲勢,主要來自供應商削減產(chǎn)出與市場搶貨潮,但這波動能可能難以延續(xù)至年底。根據(jù)通路查核,隨著價格進入高檔區(qū)間,供應商正逐步釋出庫存,預期第四季整體供應將逐步改善。DDR5方面,目前價格趨勢穩(wěn)定,2025年第二、三季價格季增幅度預估介于3%至8%之間。 不過,部分二線OE
          • 關鍵字: DDR4  NAND  

          內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新:DDR4 模塊價格超過 DDR5;關稅擔憂可能引發(fā)恐慌性購買

          • 根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告,關于 DRAM,DDR4 模塊的價格已經(jīng)超過了 DDR5 模塊的價格。展望未來,短期內(nèi)一個關鍵的關注點是新的美國關稅是否會被實施——這可能會引發(fā)又一波恐慌性購買。至于 NAND 閃存,由于國家補貼驅動的早期需求拉動,618 購物節(jié)對 NAND 閃存現(xiàn)貨價格和交易的影響弱于預期。詳情如下:DRAM 現(xiàn)貨價格:現(xiàn)貨市場價格顯著上漲。此外,DDR4 模塊價格已超過 DDR5 模塊價格,從而本周需求略有放緩。然而,DDR4 產(chǎn)品的供應緊張程度遠比 DDR5
          • 關鍵字: 存儲  DDR4  DDR5  市場分析  

          歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價格飆升,據(jù)報道使 DDR5 翻倍,推動南亞科技的庫存暴利

          • 上周,臺灣地區(qū)頂級 DRAM 制造商南亞科技據(jù)報道暫停了 DDR4 現(xiàn)貨報價,因為價格飆升。現(xiàn)在,隨著 DDR4 16Gb 芯片的價格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫存中獲利,根據(jù)經(jīng)濟日報的最新數(shù)據(jù),引用了 DRAMeXchange 的數(shù)據(jù),DRAMeXchange 是一個趨勢力旗下的 DRAM 定價平臺。隨著三星、美光和中國芯片制造商縮減 DDR4 生產(chǎn),南亞科技已成為該行業(yè)的主要供應商。據(jù)報告稱,南亞科技第一季度庫存飆升至創(chuàng)紀錄的 37.59 億新
          • 關鍵字: DDR4  DRAM  存儲  

          DDR4瘋狂漲價,DRAM廠商爆賺

          • 據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道,由于DDR4供應減少,再加上市場神秘買家大舉出手掃貨,最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上,不僅跨過DRAM廠損益平衡點,更達到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲,甚至比更高規(guī)格的DDR5報價更高,呈現(xiàn)“價格倒掛”,業(yè)界直言:“至少十年沒看過現(xiàn)貨價單日漲幅這么大?!备鶕?jù)DRAM專業(yè)報價網(wǎng)站DRAMeXchange最新報價顯示,6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價全面暴漲,DDR4 8Gb(1G×8)3200大漲7.8%,
          • 關鍵字: DDR4  DRAM  三星  美光  南亞科技  華邦電子  HBM  

          價格再看漲! 美光親證實DDR4將停產(chǎn)大缺貨

          • 全球三大DRAM原廠確定從DDR4規(guī)格,轉向先進制程產(chǎn)品。 繼韓系兩大內(nèi)存業(yè)者先后釋出DDR4停產(chǎn)時程,美光(Micron)確定已向客戶發(fā)出信件通知DDR4將停產(chǎn)(EOL,End of Life),預計未來2~3季陸續(xù)停止出貨。美光執(zhí)行副總裁暨業(yè)務執(zhí)行長Sumit Sadana接受DIGITIMES專訪表示,DDR4將繼續(xù)「嚴重缺貨」,未來美光DDR4/LPDDR4 DRAM,僅會策略性針對三大領域長期客戶持續(xù)供應,而DDR5/LPDDR5產(chǎn)品正進入市場價格甜蜜點。美光同步釋出未來市場策略走向,會針對獲利
          • 關鍵字: 美光  DDR4  停產(chǎn)大缺貨  

          芯片巨頭,「扔掉」這些業(yè)務

          • 上半年,時至過半?;仡欉@半年的半導體市場,似是相對平靜,但是仔細回想也有不少芯片巨頭在該背景下做了諸多調(diào)整。它們接連「動刀」,果斷退出部分產(chǎn)品領域。在這個過程中會對半導體產(chǎn)業(yè)造成哪些影響?又有哪些公司同步受益?芯片巨頭,放棄這些芯片存儲三巨頭,計劃停產(chǎn)?DDR3?和DDR4關于三星、SK 海力士、美光等主要 DRAM 制造商計劃停產(chǎn) DDR3 和 DDR4 內(nèi)存的消息,想必業(yè)內(nèi)人士早有耳聞。今年 2 月,這則消息正式傳來,這一決策是由于對?HBM(高帶寬內(nèi)存)和 DDR5 等
          • 關鍵字: DDR3  DDR4  NAND  HDD  

          內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新:DDR4供應緊張大幅漲價 DDR5 逐步啟動

          • 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告,關于 DRAM,現(xiàn)貨市場顯示,由于預期未來供應趨緊,DDR4 產(chǎn)品的價格相比 DDR5 產(chǎn)品的價格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存,買家放慢了詢價和交易的速度。詳情如下:DRAM 現(xiàn)貨價格:與合約市場的情況類似,現(xiàn)貨市場顯示,由于預期未來供應趨緊,DDR4 產(chǎn)品的價格與 DDR5 產(chǎn)品的價格相比上漲幅度更大。DDR5 產(chǎn)品的價格也繼續(xù)逐步上漲,因為模塊公司急于增加庫存。TrendForce 集邦咨詢相信,整體而言,現(xiàn)貨價格在整個 2Q25
          • 關鍵字: 內(nèi)存  DDR4  DDR5  

          三星因關稅前囤積而提高DRAM價格,DDR4上漲20%

          • 在特朗普加征關稅之前囤積數(shù)據(jù)推動的 DRAM 需求激增似乎是真實的。據(jù)韓國 Etnews 報道,三星一年多來首次提高了 DRAM 價格,其中 DDR4 的漲幅最大。該報告表明,三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價條款,已將 DDR4 價格提高了約 20%。與此同時,該報告補充說,DDR5 價格的漲幅較小,約為 5%。三星第二季度利潤或將得到提振值得注意的是,Etnews 表示,由于 DRAM 價格是以數(shù)月為基礎進行談判的,因此最近的上漲預計將在一段時間內(nèi)支持盈利能力,從而為三星第二
          • 關鍵字: 三星  DRAM  DDR4  

          DDR4加速退場,DDR5成為主流

          • 三星已向其供應鏈傳達消息,多款基于1y nm(第二代10nm級別)工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn),以及1z nm(第三代10nm級別)工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時,美光已通知客戶將停產(chǎn)服務器用的舊版DDR4模塊,而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過渡,把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度:DDR4帶寬為25.6GB/s,DDR5帶寬為32GB/s;· 芯片密度:DDR4芯片密度為
          • 關鍵字: DDR4  DDR5  三星  SK海力士  內(nèi)存  HBM  

          三大內(nèi)存廠持續(xù)減產(chǎn)DDR4

          • 三大原廠紛紛縮減舊制程產(chǎn)能,除三星電子已傳宣布4月終止1y nm及1z nm制程的DDR4生產(chǎn),美光亦通知客戶停產(chǎn)服務器用舊制程DDR4模組,SK海力士據(jù)傳也將DDR4產(chǎn)出比重降至20%。法人認為,市場景氣低迷,上游存儲器廠加速產(chǎn)品迭代,降低單位成本以提升獲利,同時將資源轉向高帶寬記憶體(HBM)及DDR5等高階產(chǎn)品。短期內(nèi)內(nèi)存價格受到關稅備貨與供給控制支撐,但整體環(huán)境不確定性高,未來基本面仍存隱憂。三星已通知供應鏈,1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4內(nèi)存將于2025年4月停止生產(chǎn)(EOL)
          • 關鍵字: DDR4  三星  SK海力士  美光  
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          ddr4介紹

          DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術協(xié)會于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)存儲器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細 ]

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