三星已向其供應鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產(chǎn)服務器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。

ddr4和ddr5的區(qū)別

· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；

· 芯片密度：DDR4芯片密度為4GB，DDR5為16GB；

· 工作頻率：DDR4最高為3200MHz，DDR5最高達到6400MHz；

· 功耗：DDR4單條功耗為1.2V，DDR5降低至1.1V。

此外，DDR5內(nèi)存還具有改進的命令總線效率、更好的刷新方案以及增加的存儲體組以獲得額外的性能。雖然DDR5內(nèi)存具有更高的性能和更低的功耗，但是其價格也相對較高。

4月9日，美國實施“互惠關稅”但隨后給出90天的寬限期，促使買家和供應商調(diào)整策略以應對政策的不確定性，擴大了DRAM和NAND閃存第二季度預期的合約價格上漲幅度。TrendForce指出，當前內(nèi)存價格受到關稅前囤貨和供應控制因素的支撐，但整體市場仍存在很高的不確定性，長期前景并不明朗。

由于中國內(nèi)存廠商的崛起對三星等傳統(tǒng)巨頭構成了巨大的競爭壓力，三星、SK海力士和美光都可能會逐步停產(chǎn)DDR3和DDR4內(nèi)存，并把產(chǎn)能轉向利潤更高的DDR5、LPDDR5內(nèi)存以及用于GPU和AI系統(tǒng)的HBM。

中國廠商如CXMT和福建晉華的定價策略已使2023年至2024年間的平均內(nèi)存價格下降超過60%，三星及其他主要內(nèi)存制造商的DDR4市場逐漸縮小。據(jù)報道，CXMT的產(chǎn)能已達到每月20萬片芯片，并計劃在2024年底之前增至30萬片，這使得DDR4價格進一步下滑。

三星的這一決策無疑將加速內(nèi)存技術的演變，并可能對未來的產(chǎn)品開發(fā)和市場結構產(chǎn)生深遠影響。值得注意的是，三星也將停止其HBM2E產(chǎn)品的生產(chǎn)，目前已進入最后采購階段，接下來會將重點轉向HBM3E和HBM4。

近年來，隨著人工智能、高性能計算和PC對高性能內(nèi)存需求的快速增長，HBM內(nèi)存的市場前景廣闊。但三星在HBM產(chǎn)品開發(fā)和銷售上一直落后于SK海力士和美光，為了更好地與競爭對手抗衡，三星需要加快技術迭代，將資源集中到新一代產(chǎn)品上。