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	nand 閃存
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          nand 閃存 文章
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          全球首顆混合架構閃存芯片，我國有望顛覆傳統(tǒng)存儲器體系
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 10月8日，復旦大學集成電路與微納電子創(chuàng)新學院周鵬、劉春森團隊在《自然》（Nature）期刊上發(fā)表題為《全功能二維-硅基混合架構閃存芯片》（A full-featured 2D flash chip enabled by system integration）論文，率先研發(fā)出全球首顆二維-硅基混合架構閃存芯片。復旦大學集成電路與微納電子創(chuàng)新學院、集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室研究員劉春森和教授周鵬為論文通訊作者，劉春森研究員和博士生江勇波、沈伯僉、袁晟超、曹振遠為論文第一作者。今年4月，周鵬、劉春森團隊研發(fā)
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          • 關鍵字：
                        閃存  芯片  存儲器                          
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          長江存儲全面完成股改，估值已超1600億元
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責任公司（長存集團）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業(yè)估值最高的新晉獨角獸。根據(jù)公開信息，2025年4月，養(yǎng)元飲品子公司泉泓、農銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產、工融金投等15家機構同步參與；7月，長存集團新增股東員工持股平臺 —— 武漢市智芯計劃一號至六號企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），上述兩筆
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          • 關鍵字：
                        長江存儲  半導體  3D NAND  晶棧  Xtacking                          
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          美眾議院“中美戰(zhàn)略競爭特別委員會”發(fā)布涉華半導體關鍵設備出口調查報告
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 根據(jù)SEMI和SEAJ的數(shù)據(jù)，2025年第二季度全球半導體制造設備支出總計330.7億美元，2025年第二季度的支出較2024年第二季度增長23%。其中，中國大陸的支出最高，為113.6億美元，占總支出的34%。值得注意的是，中國大陸2025年第二季度的支出較2024年第二季度下降了7%。10月7日，美國眾議院“中美戰(zhàn)略競爭特別委員會”兩黨議員在經(jīng)過數(shù)月的調查之后發(fā)現(xiàn)，包括荷蘭的阿斯麥（ASML）、日本的東京電子（TEL）以及美國的應用材料公司（Applied Materials）、科磊（KLA）和泛林集
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          • 關鍵字：
                        半導體  芯片  閃存  ASML  東京電子  應用材料                          
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           SK 海力士據(jù)報道與客戶協(xié)商價格調整，跟隨美光和三星
          
                                                            
            
                    	
          • 存儲巨頭們正準備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據(jù) SeDaily 和 Business Korea 報道，正與客戶協(xié)商根據(jù)市場條件調整價格。在三大巨頭中，美光是第一個宣布提價的，據(jù) EE Times China9 月 12 日報道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價格將上漲 20%-30%，提價不僅涉及消費級和工業(yè)級存儲，還包括汽車電子，后者的價格漲幅可能達到 70%。行業(yè)消息來源還表
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND  三星  AI  海力士                           
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          Kioxia 股價因 NAND 短缺上漲 70%；SK hynix 收獲股份收益
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù)韓國媒體《Yonhap Infomax》，日本 NAND 閃存生產商 Kioxia 的股價在 NAND 市場供應短缺的情況下急劇上漲。報道指出，SK hynix——2018 年投資 390 億韓元入股 Kioxia——在多年等待后現(xiàn)在正實現(xiàn)顯著的價值增長。報道指出，截至 16 日，Kioxia 在東京證券交易所的股價在過去一個月內上漲了 70%。隨著鎧俠股價飆升，作為主要投資者的 SK 海力士也從中受益。據(jù)報道，2018 年 SK 海力士投資了 3950 億日元（約 3.9 萬億韓元）的貝恩資本主導的
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          • 關鍵字：
                        鎧俠  NAND  人工智能  SSD                          
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          美光凍結價格，推理 AI 推動 SSD 需求激增及供應短缺
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著全球數(shù)據(jù)中心部署的加速，云巨頭正將其需求從訓練 AI 轉向推理 AI，推動了對大容量內存需求的持續(xù)增長，并導致內存供應緊張從 DRAM 轉向 NAND。供應鏈消息人士透露，在上周閃迪將 NAND 價格上調 10%之后，美光也通知客戶將暫停所有產品的價格一周。行業(yè)內部人士報告稱，美光將從今天開始停止向分銷商和 OEM/ODM 制造商報價，涵蓋 DRAM 和 NAND 產品，甚至不愿意討論明年的長期合同。供應鏈消息人士表示，在審查客戶 FCST（需求預測）后，美光發(fā)現(xiàn)將面臨嚴重的供應短缺，促使公司緊急暫停
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          • 關鍵字：
                        美光  AI  存儲  NAND  SSD                          
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          長江存儲加速產能擴張：新公司注冊資本達207億，其認繳出資104億元
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 現(xiàn)在，國產存儲芯片龍頭長江存儲（YMTC）迎來了一個重磅消息。9月5日，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司正式注冊成立，注冊資本高達207.2億元人民幣，法定代表人為長江存儲董事長陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設計、銷售及芯片產品進出口，并涉及技術服務、貨物進出口、技術進出口等全鏈條業(yè)務，引起了業(yè)內廣泛關注。股權結構方面，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司由長江存儲科技有限責任公司與湖北長晟三期投資發(fā)展有限責任公司共同持股 —— 長江存儲科技有限責任公司持股比例為50.19%、認繳104億元；湖北長
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          • 關鍵字：
                        長江存儲  YMTC  NAND  三星                          
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          內存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對日本 HBM 供應鏈的依賴
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù) ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產品領域領先，但它仍然嚴重依賴日本的關鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結構性風險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細 TSV（硅通孔）堆疊結構依賴于由日本公司主要壟斷的關鍵材料和設備。報告強調，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進展緩慢。此外，SK 
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          • 關鍵字：
                        內存  NAND  DRAM                          
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          第二季度NAND收入環(huán)比增長22%
          
                                                            
            
                    	
          • TrendForce集邦咨詢表示，第二季度NAND收入前五大供應商的總收入環(huán)比增長22%，達到146.7億美元。三星第二季度收入環(huán)比增長 23.8% 至 52 億美元，將三星的市場份額小幅提升至 32.9%。海力士第二季度收入環(huán)比增長 52.5%，達到 33.4 億美元，市場份額為 21.1%。鎧俠第二季度營收環(huán)比增長11.4%至21.4億美元，環(huán)比增長11.4%，排名第三。美光收入環(huán)比增長 3.7%，達到 21 億美元，市場份額為 13.3%。SanDisk 的收入環(huán)比增長 12.2% 至 19 億美元
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          • 關鍵字：
                        NAND  Flash  TrendForce                          
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          美國撤銷對三星、SK 海力士的中國芯片制造工具許可證：解碼市場影響
          
                                                            
            
                    	
          • 三星和 SK 海力士雖然暫時免于美國政府入股的風險，但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進口美國芯片制造設備——根據(jù) 路透社和 彭博社的數(shù)據(jù)，三星和 SK 海力士在中國遇到了新的障礙 。正如聯(lián)邦文件所示，報告表明撤銷將在 120 天后開始。報道補充說，值得注意的是，美國政府表示將批準三星和 SK 海力士的許可，以維持其在中國現(xiàn)有晶圓廠的運營，但不會批準產能擴張或技術升級。路透社指出，英特爾也上市，盡管它已經(jīng)在今年早些時候通過出售其大連工廠
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          • 關鍵字：
                        三星  海力士  晶圓廠  NAND                          
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          三星與SK海力士擬放緩2025年NAND投資計劃
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)韓媒ZDNet Korea援引業(yè)界消息，三星電子與SK海力士計劃在2025年下半年放緩對先進NAND Flash的投資步伐。這一決策主要是由于市場需求不確定性較高，且企業(yè)資金更多集中于DRAM和封裝領域，導致對NAND的投資負擔加重。三星自2025年初開始，在韓國平澤的P1廠和西安NAND廠推進轉換投資，主要將第6、7代NAND升級至第8、9代。這種轉換投資相較于新建投資成本更低，且能部分利用現(xiàn)有設備，效率較高。然而，近期三星針對最先進NAND的轉換投資速度有所放緩。例如，P1廠的第9代NAND轉換投資
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          • 關鍵字：
                        三星  SK海力士  NAND                          
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          中國研究團隊在半導體領域取得新突破，基于 DRAM 原理
          
                                                            
            
                    	
          • 目前，在自動駕駛、智能家居系統(tǒng)和工業(yè)控制等領域，對邊緣智能硬件的需求日益增加，以在本地處理傳感器和智能設備生成的實時環(huán)境數(shù)據(jù)，從而最小化決策延遲。能夠精確模擬各種生物神經(jīng)元行為的神經(jīng)形態(tài)硬件有望推動超低功耗邊緣智能的發(fā)展?，F(xiàn)有研究已探索具有突觸可塑性（即通過自適應變化來增強或減弱突觸連接）的硬件，但要完全模擬學習和記憶過程，多種可塑性機制——包括內在可塑性——必須協(xié)同工作。為解決這一問題，由復旦大學微電子學院包文忠教授、集成電路與微納電子創(chuàng)新學院周鵬教授以及香港理工大學蔡陽教授領銜的聯(lián)合研究團隊提出了一種
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          • 關鍵字：
                        DRAM  閃存  半導體                          
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          美光推出首款 256Gb 抗輻射閃存獲全空間認證
          
                                                            
            
                    	
          • 美光??宣布推出業(yè)內最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發(fā)布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級 NAND、NOR 和 DRAM 內存解決方案組合中的首款產品，現(xiàn)已實現(xiàn)商業(yè)化。該產品專為航空航天及其他極端嚴苛環(huán)境使用而設計。該產品已根據(jù) NASA 的 PEM-INST-001 標準進行了嚴格的測試，包括極端溫度循環(huán)、缺陷篩選和動態(tài)老化。它還基于美國軍用標準 MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗證，確保其在高輻射環(huán)境中的可靠性。這
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          • 關鍵字：
                        美光  內存  NAND                          
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          鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲器開始送樣
          
                                                            
            
                    	
          • 全球存儲解決方案領導者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術的?512Gb TLC存儲器已開始送樣（1）。該產品計劃于?2025?年投入量產，旨在為中低容量存儲市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產品也將集成到鎧俠的企業(yè)級固態(tài)硬盤中，特別是需要提升?AI?系統(tǒng)?GPU?性能的應用。為應對尖端應用市場的多樣化需求，同時提供兼具投資效益與競爭力的產品，鎧俠將繼續(xù)推行“雙軌并行
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                        鎧俠  3D 閃存  TLC存儲器  閃存  3D閃存                          
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          中國長江存儲計劃通過使用國產工具建立生產線來擺脫美國制裁
          
                                                            
            
                    	
          • (圖片來源：YMTC)長江存儲技術有限公司（YMTC），中國領先的 NAND 存儲器生產商，自 2022 年底以來一直被美國商務部列入實體清單，這基本上禁止了其獲取先進制造設備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計劃今年擴大其生產能力，目標是在 2026 年底前占據(jù) NAND 存儲器生產市場的 15%，據(jù)《Digitimes》報道。該公司還計劃建設一條僅使用中國制造設備的試驗生產線。YMTC 將擴大產能至每月 15 萬片晶圓啟動據(jù) DigiTimes 報道，預計到 2024 年底，YMTC 的月產能將達到每月
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          • 關鍵字：
                        長江存儲  NAND  內存                          
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