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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

          nand 閃存 文章 最新資訊

          6月中國市場NAND Flash Wafer部分容量合約價有望小幅翻揚(yáng)

          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,5月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后,已見到部分供應(yīng)商開始調(diào)高wafer報價,對于中國市場報價均已略高于3~4月成交價。因此,TrendForce集邦咨詢預(yù)估6月在模組廠啟動備貨下,主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈,結(jié)束自2022年5月以來的猛烈跌勢,預(yù)期今年第三季起將轉(zhuǎn)為上漲,漲幅約0~5%,第四季漲幅將再擴(kuò)大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產(chǎn)品庫存仍待促銷去化,現(xiàn)階段價格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至,盡管今
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  Wafer  TrendForce  

          傳鎧俠/西數(shù)合并進(jìn)入最終階段 NAND Flash營收或超三星?

          • 近日,據(jù)日本共同社消息,日本存儲器大廠鎧俠與合作方美國西部數(shù)據(jù)的合并經(jīng)營已經(jīng)進(jìn)入最終收尾調(diào)整階段。目前,作為全球知名的存儲器廠商,鎧俠和西部數(shù)據(jù)既是競爭對手又是合作伙伴,目前兩家公司正在共同運(yùn)營巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報道引用相關(guān)人士消息稱,鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探討出資設(shè)立新公司、統(tǒng)一開展半導(dǎo)體生產(chǎn)及營銷的方案等,未來雙方將進(jìn)行經(jīng)營合并,擬由鎧俠掌握主導(dǎo)權(quán),關(guān)于出資比率等將繼續(xù)探討。報道稱,由于面向智能手機(jī)等的半導(dǎo)體行情疲軟、業(yè)績低迷,鎧俠和西部數(shù)據(jù)此舉意在提升經(jīng)營效率并提高競爭力。資料顯示,鎧俠
          • 關(guān)鍵字: 鎧俠  西數(shù)  NAND Flash  三星  

          鎧俠宣布運(yùn)營兩個新研發(fā)設(shè)施,加強(qiáng)閃存和SSD研發(fā)能力

          • 6月1日,鎧俠宣布開始運(yùn)營兩個新的研發(fā)設(shè)施——位于橫濱技術(shù)園區(qū)的旗艦大樓和Shin Koyasu技術(shù)前沿——以加強(qiáng)公司在閃存和固態(tài)硬盤(SSD)方面的研發(fā)能力。未來,神奈川縣的其他研發(fā)職能將轉(zhuǎn)移到這些新的研發(fā)中心,以提高研究效率。隨著新旗艦大樓的加入,橫濱科技園區(qū)的規(guī)模將幾乎翻一番,使鎧俠能夠擴(kuò)大其評估閃存和SSD產(chǎn)品的能力,從而提高整體產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)品質(zhì)量。Shin Koyasu技術(shù)前沿將成為半導(dǎo)體領(lǐng)域尖端基礎(chǔ)研究的中心,包括新材料、工藝和器件,此處配備一間最先進(jìn)的潔凈室。除了下一代存儲技術(shù),鎧俠還從事其
          • 關(guān)鍵字: 鎧俠  閃存  SSD  

          DDR5 重新下跌,內(nèi)存現(xiàn)貨價格未見回暖

          • 業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場預(yù)期不太樂觀。
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  NAND  DDR5  

          需求持續(xù)下修,第一季NAND Flash總營收環(huán)比下跌16.1%

          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,第一季NAND Flash買方采購動能保守,供應(yīng)商持續(xù)透過降價求售,但第一季NAND Flash位元出貨量僅微幅環(huán)比增長2.1%,平均銷售(ASP)單價季減15%,合計NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收約86.3億美元,環(huán)比減少16.1%。SK集團(tuán)(SK hynix & Solidigm)及西部數(shù)據(jù)(WDC)量價齊跌,沖擊營收表現(xiàn),環(huán)比下降均逾兩成。SK集團(tuán)受淡季及削價競爭影響,第一季NAND Flash營收僅13.2億美元,環(huán)比減少24.8%
          • 關(guān)鍵字: 集邦  NAND Flash  

          NAND閃存主控芯片供應(yīng)商2023年第1季財報出爐

          • 據(jù)中國臺灣《經(jīng)濟(jì)日報》報道,全球NAND閃存主控芯片供應(yīng)商慧榮科技(SIMO)公布2023年第1季財報,營收1億2407萬美元,季減38%,年減49%,第1季毛利率42.3%,稅后凈利1116萬美元。報道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示,包括NAND大廠在內(nèi)的主要客戶,目前一致認(rèn)為市況仍極具挑戰(zhàn)。PC和智能手機(jī)終端市場持續(xù)呈現(xiàn)疲弱,上下游供應(yīng)鏈皆將重心放在去化庫存,包括消費(fèi)級SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲設(shè)備供應(yīng)商,因此影響相關(guān)控制芯片的營收。茍嘉章認(rèn)為,見到一些客戶的下單模式從第2季開始有所改善,再加
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          3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術(shù)

          • 5 月 5 日消息, 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲備,雙方正在努力實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。此外,鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件,這是一個具有實(shí)驗(yàn)性的 3D NAND IC,通過金屬誘導(dǎo)側(cè)向
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  

          復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品

          • 4月27日,上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會,推出FM25/FM29系列SLC NAND,F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝,滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求,應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝,具備低功耗、
          • 關(guān)鍵字: 復(fù)旦微電  NAND Flash  EEPROM  存儲器  

          英飛凌推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存

          • 【2023 年 4 月 25日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存,助力打造下一代汽車電子電氣(E/E)架構(gòu)。英飛凌 SEMPER? X1 LPDDR 閃存為汽車域和區(qū)域控制器提供至關(guān)重要的安全、可靠和實(shí)時的代碼執(zhí)行。該器件的性能是當(dāng)前NOR 閃存的8 倍,實(shí)時應(yīng)用程序的隨機(jī)讀取事務(wù)速度提高了 20 倍。這使得軟件定義的車輛具有增強(qiáng)安全性和架構(gòu)靈活性的高級功能。  下一代汽車更智能、更網(wǎng)聯(lián)、更復(fù)雜,并
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  LPDDR  閃存  汽車電子  

          以汽車為目標(biāo),英飛凌推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存

          • IT之家 4 月 23 日消息,隨著各大車企都轉(zhuǎn)向軟件定義的汽車架構(gòu),下一代車型的設(shè)計卻在內(nèi)存方面面臨著問題。由于許多原因,傳統(tǒng)的 xSPI NOR 閃存已逐漸無法滿足用戶的需求。為了滿足汽車區(qū)域架構(gòu)的新需求,英飛凌科技宣布推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存。該公司將閃存與 LPDDR 接口結(jié)合在一起,從而實(shí)現(xiàn)了比 xSPI NOR 閃存更高的性能和可擴(kuò)展性。據(jù)介紹,這款名為 SEMPER X1 的新型閃存設(shè)備借鑒了已有 10 年歷史的 LPDRR4 DRAM 的 LPDDR 接口方案,并將其應(yīng)用于
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  LPDDR  閃存  

          先進(jìn)封裝推動 NAND 和 DRAM 技術(shù)進(jìn)步

          • 先進(jìn)封裝在內(nèi)存業(yè)務(wù)中變得越來越重要。
          • 關(guān)鍵字: 封裝  NAND  DRAM   

          英飛凌推出 256 Mbit SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品

          • 【2023 年 04 月 10日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品。這種存儲器經(jīng)過專門優(yōu)化,適合在電池供電的小型電子設(shè)備中使用。健身追蹤器、智能耳機(jī)、健康監(jiān)測儀、無人機(jī)和 GPS 導(dǎo)航等新型可穿戴應(yīng)用及工業(yè)應(yīng)用不斷涌現(xiàn),有助于實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)跟蹤、記錄關(guān)鍵信息、增強(qiáng)安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進(jìn)的功能和使用場景要求在體積更小的電子設(shè)備中配備更大容量的存儲器。據(jù)Omdia 數(shù)據(jù)顯示,藍(lán)牙耳
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  SEMPER  Nano NOR Flash  閃存  

          預(yù)估第二季NAND Flash均價續(xù)跌5~10%,能否止跌端看下半年需求

          • 即便原廠持續(xù)進(jìn)行減產(chǎn),然需求端如服務(wù)器、智能手機(jī)、筆電等需求仍未見起色,NAND Flash市場仍處在供給過剩狀態(tài),故TrendForce集邦咨詢預(yù)估,第二季NAND Flash均價仍將持續(xù)下跌,環(huán)比下跌幅度收斂至5~10%。而后續(xù)恢復(fù)供需平衡的關(guān)鍵在于原廠是否有更大規(guī)模的減產(chǎn),TrendForce集邦咨詢認(rèn)為若目前需求端未再持續(xù)下修,NAND Flash均價有機(jī)會在第四季止跌反彈,反之,若旺季需求端持續(xù)疲弱,均價反彈時間恐再延后。Client SSD方面,目前PC OEM零部件庫存去化已見成
          • 關(guān)鍵字: 集邦  NAND Flash  

          2023年內(nèi)存芯片趨勢

          • 2023 年,存儲芯片的跌勢仍在延續(xù),何時止跌還是未知數(shù)。
          • 關(guān)鍵字: 存儲芯片  DRAM  NAND  

          群聯(lián):閃存價格便宜,需求倍數(shù)增加中

          • 據(jù)中國臺灣《經(jīng)濟(jì)日報》報道,針對市場關(guān)注的存儲產(chǎn)業(yè)景氣,群聯(lián)電子CEO潘健成于3月28日表示,今年IC設(shè)計很辛苦,不過在原廠賠本賣的狀況下,不認(rèn)為這樣的狀態(tài)會持續(xù)太久,且因?yàn)榭扉W存儲器價格便宜,看到需求倍數(shù)增加中。潘健成表示,現(xiàn)階段原廠做1顆賠2、3顆,這樣的狀況不會太久,可能很快會有公司宣布減產(chǎn),而控制器設(shè)計因?yàn)榫皻獠缓猛nD了6-9個月,但群聯(lián)在市場好的時候,存了不少冬糧,并且正向看待市場對快閃存儲器需求和應(yīng)用會越用越多,新的制程也會愈來愈多。而據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示,NAND Fl
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          nand 閃存介紹

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