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三星存儲業(yè)務(wù)注入強心劑：12層HBM3E通過英偉達(dá)認(rèn)證
- 據(jù)韓國媒體最新報道，三星第五代12層HBM3E產(chǎn)品通過了英偉達(dá)的認(rèn)證測試，成功進(jìn)入其供應(yīng)鏈體系，這一重大突破對三星意義非凡。隨著其技術(shù)實力獲英偉達(dá)認(rèn)可，這家韓國巨頭已與SK海力士、美光形成三足鼎立之勢，未來HBM市場的技術(shù)競爭料將更趨白熱化。三星作為全球頭部的三大主要DRAM制造商之一，過去一直是全球最大的DRAM廠商，但是卻由于在HBM競爭中落后SK海力士，使得其被成功反超。本次三星通過英偉達(dá)的認(rèn)證花費了約18個月，去年2月三星向英偉達(dá)提供首批12層HBM3E芯片樣品測試，期間曾多次嘗試達(dá)到英偉達(dá)嚴(yán)苛的
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超越HBM！HBF未來崛起，NAND堆疊成為AI新的存儲驅(qū)動力
- 據(jù)韓媒報道，被韓媒譽為“HBM之父”的韓國科學(xué)技術(shù)院（KAIST）電氣工程系教授金仲浩表示，高帶寬閃存（HBF）有望成為下一代AI時代的關(guān)鍵存儲技術(shù)，并將與HBM并行發(fā)展，共同推動各大芯片廠商的性能增長。HBF的設(shè)計理念與HBM類似，都利用硅通孔（TSV）連接多層堆疊芯片。不同的是，HBM以DRAM為核心，而HBF則利用NAND閃存進(jìn)行堆疊，具有“更高容量、更劃算”的優(yōu)勢。Kim Joung-ho指出，雖然NAND比DRAM慢，但其容量通常大10倍以上。有效地堆疊數(shù)百層甚至數(shù)千層，可以滿足AI模型的海量存
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美光凍結(jié)價格，推理 AI 推動 SSD 需求激增及供應(yīng)短缺
- 隨著全球數(shù)據(jù)中心部署的加速，云巨頭正將其需求從訓(xùn)練 AI 轉(zhuǎn)向推理 AI，推動了對大容量內(nèi)存需求的持續(xù)增長，并導(dǎo)致內(nèi)存供應(yīng)緊張從 DRAM 轉(zhuǎn)向 NAND。供應(yīng)鏈消息人士透露，在上周閃迪將 NAND 價格上調(diào) 10%之后，美光也通知客戶將暫停所有產(chǎn)品的價格一周。行業(yè)內(nèi)部人士報告稱，美光將從今天開始停止向分銷商和 OEM/ODM 制造商報價，涵蓋 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品，甚至不愿意討論明年的長期合同。供應(yīng)鏈消息人士表示，在審查客戶 FCST（需求預(yù)測）后，美光發(fā)現(xiàn)將面臨嚴(yán)重的供應(yīng)短缺，促使公司緊急暫停
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SK 海力士完成全球首款 HBM4，量產(chǎn)準(zhǔn)備就緒，待英偉達(dá)批準(zhǔn)
- SK hynix 今日宣布，已完成 HBM4 的開發(fā)，并最終準(zhǔn)備好大規(guī)模生產(chǎn)——成為世界上首家完成這一壯舉的公司。根據(jù)其新聞稿，該公司現(xiàn)在已準(zhǔn)備好按照客戶的時間表交付頂級 HBM4。在其新聞稿中，SK hynix 強調(diào)，其現(xiàn)已成為大規(guī)模生產(chǎn)準(zhǔn)備的 HBM4 提供了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的數(shù)據(jù)處理速度和能效。通過采用 2,048 個 I/O 端，帶寬已翻倍——是上一代的兩倍，而能效提高了 40%以上。該公司還預(yù)計 HBM4 將使 AI 服務(wù)性能提高高達(dá) 69%，有助于克服數(shù)據(jù)瓶頸，并顯著降低數(shù)據(jù)中心電力成本，據(jù)
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UltraRAM 接近商業(yè)化：DRAM 速度，NAND 耐用性，1000 年數(shù)據(jù)壽命
- 據(jù) TechNews 報道，引用了 Tom’s Hardware 和 Blocks & Files 的信息，新型存儲技術(shù)“UltraRAM”，結(jié)合了 DRAM 和 NAND 的優(yōu)勢，在商業(yè)化方面取得了顯著進(jìn)展。英國半導(dǎo)體初創(chuàng)公司 Quinas Technology，UltraRAM 的開發(fā)者，與 IQE 合作，將其制造推進(jìn)到工業(yè)規(guī)模。UltraRAM 被認(rèn)為是一種融合了 DRAM 和 NAND 優(yōu)勢的新型存儲器。據(jù) Tom’s Hardw
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美光發(fā)布 G9 NAND SSD 用于人工智能，發(fā)送全球首款 PCIe Gen6 NVMe 樣品
- 美光基于其 G9 NAND 平臺推出了三款突破性數(shù)據(jù)中心 SSD，鞏固了其在存儲領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。根據(jù)其新聞稿 ，該新系列提供了全球首款 PCIe Gen6 NVMe SSD，行業(yè)領(lǐng)先的 E3.S 容量，以及專為人工智能數(shù)據(jù)中心設(shè)計的低延遲主流 Gen5 SSD。Micron 9650 SSD：全球首款 PCIe Gen6 數(shù)據(jù)中心 SSD根據(jù)美光的說法，9650 SSD 無與倫比的 28 GB/s 性能極大地加速了 AI 訓(xùn)練和推理工作負(fù)載。與 Gen5 SSD 相比，9650 在每瓦性能方面表
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HBM 混合鍵合需求據(jù)報道在 2025 年下半年上升，BESI 和 ASMPT 展望增長
- 根據(jù) ZDNet 在 25 日的報道，引用行業(yè)消息人士稱，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體后端設(shè)備制造商預(yù)計將在 2025 年下半年擴(kuò)大其 HBM 混合鍵合業(yè)務(wù)。BESI 預(yù)計 2025 年下半年混合鍵合訂單將增長7 月 24 日，荷蘭設(shè)備制造商 BESI 在其 2025 年第二季度財報中表示，預(yù)計第三季度將表現(xiàn)強勁，先進(jìn)封裝設(shè)備訂單（包括混合鍵合系統(tǒng)）將增加。該公司指出，混合鍵合工具的需求預(yù)計在 2025 年下半年將顯著增長——與上半年相比，也與 2024 年同期相比——因為客戶
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內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：DDR4 價格下滑放緩，韓國內(nèi)存制造商引發(fā)大幅漲價
- 根據(jù) TrendForce 最新內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關(guān)于 DDR4，由于兩家主要韓國供應(yīng)商對消費級 DRAM 芯片實施了顯著的月度價格上調(diào)，之前的價格下跌趨勢有所緩解。至于 NAND 閃存，高容量產(chǎn)品受到買方和賣方預(yù)期價格差異的限制，實際交易中變得稀缺。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：關(guān)于 DDR4 產(chǎn)品的現(xiàn)貨價格，由于兩家主要韓國供應(yīng)商對消費級 DRAM 芯片實施了大幅度的月度漲價，之前的價格下跌趨勢有所緩和。目前，DDR4 市場顯示現(xiàn)貨價格已停止下跌，交易量有明顯增加。轉(zhuǎn)向 DDR5 產(chǎn)品，隨著合約價
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DDR6 預(yù)計將于 2027 年大規(guī)模應(yīng)用，據(jù)報道內(nèi)存巨頭已最終完成原型設(shè)計
- 隨著 JEDEC 于 7 月 9 日發(fā)布 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)，內(nèi)存巨頭正競相滿足來自移動和 AI 設(shè)備的激增需求。值得注意的是，據(jù)行業(yè)消息人士援引 商業(yè)時報 的報道，DDR6 預(yù)計將于 2027 年進(jìn)入大規(guī)模應(yīng)用。領(lǐng)先的 DRAM 制造商，包括三星、美光和 SK 海力士，已經(jīng)啟動了 DDR6 開發(fā)，重點關(guān)注芯片設(shè)計、控制器驗證和封裝模塊集成。正如商業(yè)時報所述，三大主要 DRAM 制造商已完成 DDR6 原型芯片設(shè)計，現(xiàn)在正與內(nèi)存控制器和平臺參與者如英特爾和 AMD 合作進(jìn)行接口測試。在
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SOCAMM 在 HBM 之后點燃新的內(nèi)存戰(zhàn)——三星和 SK 海力士加入競爭
- 據(jù)稱，英偉達(dá)今年計劃采購高達(dá) 80 萬個 SOCAMM 單位，三大內(nèi)存巨頭之間一個新的戰(zhàn)場正在形成。美國美光似乎正在領(lǐng)先，據(jù)報道，美光已開始為英偉達(dá)生產(chǎn) SOCAMM 模塊。與此同時，三星和 SK 海力士正積極加入競爭。以下是他們最新的進(jìn)展。什么是 SOCAMM？如 Hansbiz 所述，SOCAMM（小型輪廓壓縮附加內(nèi)存模塊）是一種新型服務(wù)器內(nèi)存模塊，使用低功耗 DRAM（LPDDR），并針對現(xiàn)有 HBM 無法完全支持的負(fù)載。韓國 Herald 解釋說，SOCAMM 垂直堆
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SK 海力士據(jù)報道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價格上調(diào) 20%，因 Q3 需求保持強勁
- 隨著內(nèi)存制造商逐步淘汰 DDR4，預(yù)計出貨將在 2026 年初結(jié)束，合同價格持續(xù)上漲。據(jù)中國的 華爾街見聞 報道，SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內(nèi)存的合同價格上調(diào)約 20%，標(biāo)志著新一輪價格上漲。這種趨勢與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應(yīng)，該機(jī)構(gòu)指出，三大主要 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能重新分配給高端產(chǎn)品，并逐步淘汰 PC、服務(wù)器級 DDR4 和移動 LPDDR4X。因此，據(jù) TrendForce 預(yù)測，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
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主要內(nèi)存制造商的 DDR4 退出時間表逐漸明朗：三星、SK 海力士和美光計劃
- 隨著主要內(nèi)存制造商將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 DDR5 和 HBM，他們的 DDR4 淘汰時間表逐漸清晰。根據(jù)商業(yè)時報的報道，三星、SK 海力士和美光計劃在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出貨。TrendForce 的最新調(diào)查也顯示，三大 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高端產(chǎn)品，并已開始宣布 PC 和服務(wù)器級 DDR4 以及移動 LPDDR4X 的停產(chǎn)計劃。因此，預(yù)計 2025 年第三季度的傳統(tǒng) DRAM 合同價格將上漲 10%至 15%。包括 HBM 在內(nèi)，整體 DRAM 價格預(yù)計將上漲 15%至 2
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美光是AI存儲領(lǐng)域下一個大贏家嗎？分析師認(rèn)為是的，但風(fēng)險仍然存在
- 人工智能 （AI） 基礎(chǔ)設(shè)施的主導(dǎo)地位將 Micron Technology （MU） 推到了聚光燈下。該公司 2025 年第三季度的銷售額達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的 93 億美元，同比增長 37%，凸顯了其在為 AI 系統(tǒng)供應(yīng)高帶寬內(nèi)存 （HBM） 芯片方面的關(guān)鍵作用。分析師認(rèn)為，美光在 AI 內(nèi)存熱潮中的戰(zhàn)略地位，加上被低估的倍數(shù)，使其成為一個引人注目的游戲。但與所有半導(dǎo)體股一樣，周期性風(fēng)險和估值障礙也迫在眉睫。以下是投資者應(yīng)該注意的原因，以及為什么謹(jǐn)慎仍然很重要。AI Memory 淘金熱美光
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新型單分子磁體技術(shù)或可解鎖容量提升 100 倍的硬盤
- （圖片來源：Getty / Comezora）科學(xué)家們工程化的一種突破性新型分子，可能為存儲技術(shù)開啟100倍于當(dāng)前容量的新大門，這得益于一種能在所需低溫下用常見冷卻劑保持的單分子磁體，這是單分子磁體技術(shù)上的重大突破。曼徹斯特大學(xué)和澳大利亞國立大學(xué)（ANU）的化學(xué)家在《 自然 》上發(fā)表了研究結(jié)果。正如 Phys 所解釋的那樣，現(xiàn)代硬盤通過磁化由許多原子共同組成的小區(qū)域來存儲數(shù)據(jù)，而單分子磁體可以單獨存儲數(shù)據(jù)，無需鄰近分子的幫助，為超高密度數(shù)據(jù)存儲鋪平了道路。技術(shù)挑戰(zhàn)在
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cún chǔ ?。ù娲鎯Γ? 1.把錢或物等積存起來?！肚鍟涫吕舨俊觳亍罚骸皯舨孔嗖繋炜仗?，應(yīng)行存儲款項?！薄肚鍟洹舨總}場衙門·侍郎職掌》：“每年新漕進(jìn)倉，倉場酌量舊存各色米多寡勻派分儲，將某倉存儲某年米色數(shù)目，造冊先期咨部存案?！?魯迅 《書信集·致李小峰》：“《舊時代之死》之作者之家族，現(xiàn)頗窘，幾個友人為之集款存儲，作孩子讀書之用?！? 2.指積存的錢或物等 [ 查看詳細(xì) ]
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