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又一芯片存儲(chǔ)項(xiàng)目開業(yè)，地標(biāo)江蘇
- 據(jù)揚(yáng)州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)消息，5月15日，在揚(yáng)州經(jīng)開區(qū)智谷大廈，國創(chuàng)芯科技（江蘇）有限公司正式開業(yè)，本次活動(dòng)吸引了存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈上SMT制造、封測、顆粒等廠商，以及聯(lián)想、中興、曙光、浪潮、同方、寶德等整機(jī)客戶。資料顯示，國創(chuàng)芯科技是合肥大唐存儲(chǔ)科技有限公司子公司，是一家致力于存儲(chǔ)控制器芯片及安全固件的研發(fā)企業(yè)，同時(shí)還能為客戶提供先進(jìn)的安全存儲(chǔ)解決方案。據(jù)介紹，大唐存儲(chǔ)科技是國內(nèi)一家安全存儲(chǔ)方案企業(yè)，深耕存儲(chǔ)控制器芯片及安全固件的研發(fā)，是存儲(chǔ)行業(yè)國際首家通過EAL5+認(rèn)證，首家通過國密芯片二級(jí)、首家通過金融存儲(chǔ)芯片
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) 芯片 項(xiàng)目開發(fā)
DDR3內(nèi)存正式終結(jié)！三星、SK海力士停產(chǎn) 漲價(jià)20％
- 5月15日消息，據(jù)市場消息稱，三星、SK海力士將在下半年停止生產(chǎn)、供應(yīng)DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤更豐厚的DDR5內(nèi)存、HBM系列高帶寬內(nèi)存。DDR3雖然在技術(shù)、性能上已經(jīng)落伍，PC、服務(wù)器都不再使用，但因?yàn)榉浅３墒欤暮蛢r(jià)格都很低，在嵌入式領(lǐng)域依然大有可為，尤其是Wi-Fi路由器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等。但對(duì)于芯片廠商來說，DDR3利潤微薄，無利可圖，形同雞肋。而在AI的驅(qū)動(dòng)下，HBM高帶寬內(nèi)存需求飆升，產(chǎn)能遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法滿足，2024年和2025年的大部分產(chǎn)能都已經(jīng)被訂滿，HBM2E、HBM3、HBM3E等的價(jià)格預(yù)計(jì)明年
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) DDR3 三星 SK海力士
創(chuàng)新存儲(chǔ)如何滿足“既要、又要、還要”的苛刻設(shè)計(jì)需求
- 人工智能大模型的突然爆火，讓發(fā)電這個(gè)近200年的傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)意外再次引起關(guān)注：據(jù)業(yè)界數(shù)據(jù)顯示，僅ChatGPT每天就需要消耗超過50萬千瓦時(shí)電力，相當(dāng)于1.7萬個(gè)美國家庭的用電量。而隨著生成式AI的廣泛應(yīng)用，預(yù)計(jì)到2027年，整個(gè)人工智能行業(yè)每年將消耗85至134太瓦時(shí)（1 太瓦時(shí)=10 億千瓦時(shí)）的電力。如此高昂的電力負(fù)擔(dān)對(duì)當(dāng)前任何國家的供電能力而言都是嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，更遑論巨大的用電成本。業(yè)界戲稱，AI的盡頭是綠電。有電力焦慮的不僅人工智能大模型，隨著5G 與物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的廣泛普及，各種嵌入式邊緣智能電子產(chǎn)品一樣
- 關(guān)鍵字： 202405 存儲(chǔ) 兆易創(chuàng)新
存儲(chǔ)大廠業(yè)務(wù)重心轉(zhuǎn)移？
- 近期，媒體報(bào)道三星電子在最新財(cái)報(bào)電話會(huì)議中表示，未來存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的重心不再放在消費(fèi)級(jí)PC和移動(dòng)設(shè)備上，而將放在HBM、DDR5服務(wù)器內(nèi)存以及企業(yè)級(jí)SSD等企業(yè)領(lǐng)域。三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)副總裁 Kim Jae-june在電話會(huì)議上透露，公司計(jì)劃到今年年底，HBM芯片的供應(yīng)量比去年增加3倍以上。2025年HBM芯片產(chǎn)量再翻一番。AI熱潮推動(dòng)下，HBM需求持續(xù)高漲，部分原廠表態(tài)，HBM產(chǎn)品在今年已經(jīng)售罄，有的甚至表態(tài)明年的HBM也已經(jīng)售罄。這一背景下，三星調(diào)整業(yè)務(wù)方向，專攻HBM等高附加值產(chǎn)品也就順理成章。另據(jù)媒體報(bào)道，三
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) HBM 先進(jìn)封裝
存儲(chǔ)行業(yè)市場迎來反轉(zhuǎn)，國產(chǎn)賽道競爭激烈
- 1 AI崛起、終端復(fù)蘇及供求變化驅(qū)動(dòng)儲(chǔ)存市場復(fù)蘇隨著AI的大規(guī)模普及，半導(dǎo)體行業(yè)市場迎來了新的浪潮，受到大模型時(shí)代的高算力、大存儲(chǔ)的現(xiàn)實(shí)需求推動(dòng)，下游市場復(fù)蘇疊加AI浪潮驅(qū)動(dòng)，將GPU及存儲(chǔ)需求迅速提升。對(duì)于NAND行業(yè)而言，NAND閃存類存儲(chǔ)本身處在AI生態(tài)鏈中，任何數(shù)據(jù)如果沒有SSD便無法運(yùn)轉(zhuǎn)起來，因此大模型興起客觀上就會(huì)引發(fā)對(duì)NAND需求。根據(jù)功能性及使用的主要存儲(chǔ)芯片類型不同，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)芯片（簡稱RAM）和非易失性存儲(chǔ)芯片（簡稱ROM）。RAM可分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（簡稱SRAM）和
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SK海力士開發(fā)新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”
- · 作為業(yè)界最高性能產(chǎn)品，將于今年第3季度開始量產(chǎn)并搭載于端側(cè)AI手機(jī)· 與前一代產(chǎn)品相比，長期使用所導(dǎo)致的性能下降方面實(shí)現(xiàn)大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領(lǐng)域引領(lǐng)面向AI的存儲(chǔ)器市場”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開發(fā)出用于端側(cè)（On-Device）AI*的移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品，其產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高
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三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)重心轉(zhuǎn)向企業(yè)領(lǐng)域： 目標(biāo)今年 HBM 產(chǎn)量增加 3 倍，明年再翻番
- IT之家 5 月 8 日消息，三星公司在最近召開的財(cái)報(bào)電話會(huì)議中表示，未來公司存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的重心不再放在消費(fèi)級(jí) PC 和移動(dòng)設(shè)備上，而是放在 HBM、DDR5 服務(wù)器內(nèi)存、企業(yè)級(jí) SSD 等企業(yè)市場。IT之家翻譯三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)副總裁 Kim Jae-june 在電話會(huì)議上表達(dá)內(nèi)容如下：我們計(jì)劃到 2024 年年底，HBM 芯片的供應(yīng)量比去年增加 3 倍以上。我們已經(jīng)完成協(xié)調(diào) HBM 芯片供應(yīng)商，在共同努力下目標(biāo)在 2025 年讓 HBM 芯片產(chǎn)量再翻一番。英偉達(dá)目前已經(jīng)轉(zhuǎn)型成為 AI 硬件巨頭，成為全
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全球五大存儲(chǔ)原廠最新財(cái)報(bào)公布！
- 近期，存儲(chǔ)五大廠三星、SK海力士、美光、鎧俠、西部數(shù)據(jù)最新一季財(cái)報(bào)已紛紛披露，五大廠業(yè)績均呈上行態(tài)勢。目前觀察市況手機(jī)、PC和服務(wù)器等終端應(yīng)用需求回溫，帶動(dòng)存儲(chǔ)器需求上漲，但值得注意的是，行業(yè)總體復(fù)蘇態(tài)勢有所放緩，市場期待后續(xù)存儲(chǔ)新技術(shù)帶動(dòng)市場持續(xù)回溫。存儲(chǔ)五大廠業(yè)績均呈上行態(tài)勢三星：新機(jī)發(fā)布疊加存儲(chǔ)漲價(jià)，一季度凈利潤同比增長931.87%4月30日，三星電子發(fā)布一季度最新財(cái)報(bào)。據(jù)悉，受益于Galaxy S24旗艦手機(jī)銷售強(qiáng)勁，加上存儲(chǔ)器價(jià)格上漲，并且高附加值產(chǎn)品需求提升，三星電子一季度財(cái)銷售額71.
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江波龍嵌入式存儲(chǔ)選型指南
- FORESEE嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品線于2011年創(chuàng)立，同年推出國內(nèi)首款量產(chǎn)eMMC。經(jīng)過十余年與行業(yè)客戶的共同成長，目前 FORESEE嵌入式存儲(chǔ)涵蓋了Flash、DRAM、多芯片封裝三大 類系列產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)控制、智能手機(jī)、平板電腦、智能電視、智能穿戴、網(wǎng)絡(luò)通信等諸多領(lǐng)域。同時(shí)，嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品與高通（Qualcomm）、聯(lián)發(fā)科（MediaTek）、紫光展銳（UniSOC）等一眾芯片平臺(tái)廠商建 立了長期緊密的合作關(guān)系，全面滿足全球眾多消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)領(lǐng)域、汽車領(lǐng)域等企業(yè)穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品供應(yīng)需求
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全球兩大存儲(chǔ)廠新消息！
- 近日，三星、鎧俠兩大存儲(chǔ)廠公布新消息：三星量產(chǎn)第9代V-NAND、鎧俠新一代UFS 4.0閃存芯片出樣。三星開始量產(chǎn)第9代V-NAND4月23日，三星電子宣布，其1Tb TLC第9代V-NAND已開始量產(chǎn)，鞏固了其在NAND閃存市場的地位。據(jù)三星介紹，第9代V-NAND配備了下一代NAND閃存接口“Toggle 5.1”，支持將數(shù)據(jù)輸入/輸出速度提高33%，達(dá)到3.2Gbps。除了這個(gè)新接口外，三星還計(jì)劃通過擴(kuò)大對(duì)PCIe 5.0的支持來鞏固其在高性能SSD市場的地位。憑借業(yè)界最小的單元尺寸和最薄的模組，
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業(yè)界首創(chuàng)512GB CXL AIC內(nèi)存擴(kuò)展卡，江波龍革新AI與高性能計(jì)算領(lǐng)域內(nèi)存技術(shù)
- 人工智能大模型計(jì)算、高性能計(jì)算（HPC）以及數(shù)據(jù)中心等行業(yè)的迅猛發(fā)展，對(duì)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)存性能的需求日益提升，業(yè)界對(duì)具備高帶寬、低延遲性能且超大容量的內(nèi)存需求也愈發(fā)迫切，以支持CPU和GPU進(jìn)行高速、大吞吐量的浮點(diǎn)運(yùn)算。在此背景下，江波龍日前在CFMS2024展出了一款基于Compute Express Link (CXL)技術(shù)的創(chuàng)新內(nèi)存擴(kuò)展設(shè)備——CXL 2.0 AIC內(nèi)存擴(kuò)展卡，為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)提供了強(qiáng)大的內(nèi)存支持。據(jù)悉，這款CXL 2.0 AIC內(nèi)存擴(kuò)展卡采用了非DRAM on-board封裝設(shè)計(jì)，可兼容多
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價(jià)格和需求同亮眼，HBM存儲(chǔ)及先進(jìn)封裝將迎來擴(kuò)產(chǎn)
- 市場對(duì)人工智能的熱情還在持續(xù)升溫，隨著芯片庫存調(diào)整卓有成效，以及市場需求回暖推動(dòng)，全球存儲(chǔ)芯片價(jià)格正從去年的暴跌中逐步回升，內(nèi)閃存產(chǎn)品價(jià)格均開始漲價(jià)。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于AI需求高漲，目前英偉達(dá)（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供應(yīng)緊俏，除了CoWoS是供應(yīng)瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長，投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個(gè)季度以上所致。行業(yè)人士表示，在產(chǎn)能緊缺下目前DRAM以及綁定英偉達(dá)新款A(yù)I芯片的HBM存儲(chǔ)系統(tǒng)售價(jià)更高。在此帶動(dòng)下，從今年
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江波龍企業(yè)級(jí)SSD再度通過OpenCloudOS兼容性認(rèn)證，產(chǎn)品力獲認(rèn)可
- 近日，江波龍旗下企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品FORESEE UNCIA 3836系列企業(yè)級(jí)SATA SSD產(chǎn)品完成與OpenCloudOS/TencentOS相互兼容認(rèn)證。測試認(rèn)證期間整體運(yùn)行穩(wěn)定，在功能、性能及兼容性方面表現(xiàn)良好。自研高能固件鍛造硬核產(chǎn)品力FORESEE UNCIA 3836系列SATA SSD由江波龍自主研發(fā)，產(chǎn)品經(jīng)過專業(yè)可靠性設(shè)備驗(yàn)證，打造高可靠、高穩(wěn)定的企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)方案。該款產(chǎn)品采用128層3D eTLC NAND Flash，支持SATA 6.0Gbps接口，容量覆蓋480GB至3.84TB，耐
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首顆自研2D MLC NAND Flash 江波龍構(gòu)建完整的存儲(chǔ)芯片垂直整合能力
- 江波龍研發(fā)布局突破藩籬進(jìn)入到集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，產(chǎn)品及服務(wù)獲得客戶高度認(rèn)可。繼自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)后，首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日問世。該產(chǎn)品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數(shù)據(jù)訪問帶寬可達(dá)400MB/s，將有望應(yīng)用于eMMC、SSD等產(chǎn)品上，為公司存儲(chǔ)產(chǎn)品組合帶來更多可能性。隨著自研2D MLC NAND Flash的推出，江波龍將在半導(dǎo)體存儲(chǔ)品牌企業(yè)的定位和布局上持續(xù)深耕，不斷提升核心競爭力。 越過高門檻NA
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FORESEE全新工規(guī)級(jí)DDR4 SODIMM，高可靠性助力工業(yè)自動(dòng)化數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
- 在智能制造與工業(yè)自動(dòng)化日益精密的今天，數(shù)據(jù)處理的實(shí)時(shí)性、穩(wěn)定性和耐久性成為衡量系統(tǒng)性能的關(guān)鍵指標(biāo)，內(nèi)存條作為存儲(chǔ)系統(tǒng)的核心部件，其性能與穩(wěn)定性直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效果，尤其是在工業(yè)控制、電力應(yīng)用、電信設(shè)備等關(guān)鍵領(lǐng)域，對(duì)內(nèi)存條的穩(wěn)定性和耐用性要求更為嚴(yán)苛。近日，江波龍推出全新的FORESEE工規(guī)級(jí)DDR4 SODIMM，為嚴(yán)苛工業(yè)環(huán)境下的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)提供強(qiáng)大而可靠的“穩(wěn)定內(nèi)核”。FORESEE工規(guī)級(jí)DDR4 SODIMM覆蓋4GB、8GB、16GB、32GB多種容量選擇，擁有1R×8、2R×8、1R×16
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存儲(chǔ)介紹
存儲(chǔ)
cún chǔ ?。ù娲鎯?chǔ)儲(chǔ)） 1.把錢或物等積存起來?！肚鍟?huì)典事例·戶部·庫藏》：“戶部奏部庫空虛，應(yīng)行存儲(chǔ)款項(xiàng)?！薄肚鍟?huì)典·戶部倉場衙門·侍郎職掌》：“每年新漕進(jìn)倉，倉場酌量舊存各色米多寡勻派分儲(chǔ)，將某倉存儲(chǔ)某年米色數(shù)目，造冊先期咨部存案?！?魯迅 《書信集·致李小峰》：“《舊時(shí)代之死》之作者之家族，現(xiàn)頗窘，幾個(gè)友人為之集款存儲(chǔ)，作孩子讀書之用。” 2.指積存的錢或物等 [ 查看詳細(xì) ]
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