臺(tái)積電1.4納米晶圓廠將于11月5日破土動(dòng)工

最初,臺(tái)積電的計(jì)劃是在該地點(diǎn)建造四座晶圓廠,第一波建設(shè)中建造兩座 1.4 納米晶圓廠,然后再建造兩座 1nm 工藝晶圓廠。
然而,據(jù)說(shuō)每片晶圓售價(jià) 1.4 美元的 45 納米工藝的需求如此之強(qiáng)勁,以至于臺(tái)積電已被說(shuō)服同時(shí)建造四座晶圓廠——所有晶圓廠都能夠運(yùn)行 1.4 納米工藝。
1nm晶圓廠將建在臺(tái)南科學(xué)園的沙侖。
隨著英特爾上周在錢德勒吹捧其 18A 晶圓廠的成功,以及三星購(gòu)買了兩臺(tái)高數(shù)值孔徑 EUV 機(jī)器進(jìn)入其位于華城的 2nm 生產(chǎn)線,臺(tái)積電可能已經(jīng)加快了其 1.4nm 計(jì)劃,以展示其在工藝技術(shù)領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。
據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道,出于成本和工藝成熟度的原因,臺(tái)積電將不會(huì)在其 1.4nm 工藝中使用高 NA EUV 機(jī)器。




評(píng)論