臺(tái)積電的CoWoS-L技術(shù)已引起NVIDIA的高度關(guān)注。作為3D Fabric平臺(tái)的重要組成部分，CoWoS-L是CoWoS-S技術(shù)的延伸版本。其中，“L”代表局部矽互連（LSI），通過(guò)類似“矽橋”的技術(shù)，結(jié)合RDL中介層形成“重構(gòu)中介層”。

CoWoS-L技術(shù)憑借更高的布線密度和嵌入式深溝槽電容（eDTC），能夠?qū)崿F(xiàn)更大尺寸的高效運(yùn)算（HPC）芯片異質(zhì)整合。其光罩尺寸可達(dá)3.3倍以上，甚至向4倍、5倍乃至9倍邁進(jìn)，可整合的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）數(shù)量超過(guò)12顆。

進(jìn)入2025年第四季度，CoWoS產(chǎn)能持續(xù)緊張，成為AI芯片封裝不可或缺的關(guān)鍵制程。市場(chǎng)消息稱，2026年臺(tái)積電約50%的CoWoS-L產(chǎn)能將優(yōu)先供應(yīng)NVIDIA的AI GPU芯片，但即便如此，NVIDIA仍面臨不小的產(chǎn)能缺口。