n2 文章 最新資訊
搶先試產(chǎn)的英特爾18A PK 臺積電N2
- 英特爾周四表示，該公司已開始批量生產(chǎn)其 Core Ultra 3 系列“Panther Lake”處理器。英特爾的 Panther Lake 是該公司的關(guān)鍵 CPU，旨在展示英特爾開發(fā)具有競爭力的處理器并使用其領(lǐng)先的制造技術(shù)在內(nèi)部生產(chǎn)的能力。這是為了提高公司在客戶、公眾和潛在代工客戶中的聲譽(yù)。雖然 18A 的正式開始生產(chǎn)對該公司來說是一場勝利，因?yàn)樗诩夹g(shù)上是第一個(gè)在產(chǎn) 2nm 級節(jié)點(diǎn)的公司，但它仍然面臨著臺積電的強(qiáng)大敵人——新節(jié)點(diǎn)僅僅代表迎頭趕上而不是領(lǐng)先。以下是這兩個(gè)節(jié)點(diǎn)的疊加方式。英特爾
- 關(guān)鍵字： 搶先試產(chǎn) 英特爾 18A 臺積電 N2
UCIe IP 子系統(tǒng)支持 36G 芯片間數(shù)據(jù)速率
- Alphawave Semi 公司宣布其 UCIe IP 子系統(tǒng)在 TSMC N2 工藝上成功流片，支持 36G 芯片間數(shù)據(jù)傳輸速率。該 IP 與 TSMC 的 Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS)先進(jìn)封裝技術(shù)完全集成，為下一代芯片 let 架構(gòu)解鎖了突破性的帶寬密度和可擴(kuò)展性。這一里程碑，基于 Alphawave Semi 最近發(fā)布的 AI 平臺，展示了其支持未來異構(gòu) SoC 和擴(kuò)展超大規(guī)模 AI 和 HPC 工作負(fù)載的能力。通過這次流片，Alphawave Semi 成
- 關(guān)鍵字： 臺積電 N2
臺積電公布N2 2nm缺陷率：比3/5/7nm都要好
- 4月26日消息，在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上，臺積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺積電沒有給出具體數(shù)據(jù)，只是比較了幾個(gè)工藝缺陷率隨時(shí)間變化的趨勢。臺積電N2首次引入了GAAFET全環(huán)繞晶體管，目前距離大規(guī)模量產(chǎn)還有2個(gè)季度，也就是要等到年底。N2試產(chǎn)近2個(gè)月來，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點(diǎn)，同時(shí)顯著優(yōu)于N7/N6、N3/N3P。從試產(chǎn)到量產(chǎn)半年的時(shí)間周期內(nèi)，N7/N6的綜合缺陷率是最高的，N3/N3P從量產(chǎn)開始就低得多了，
- 關(guān)鍵字： 臺積電 N2 2nm 缺陷率 3nm 5nm 7nm
AMD拿下臺積電2nm工藝首發(fā)
- 4月15日，AMD宣布其新一代Zen 6 EPYC處理器「Venice」正式完成投片（tape out），成為業(yè)界首款采用臺積電2nm（N2）制程技術(shù)的高效能運(yùn)算（HPC）處理器，預(yù)計(jì)將于明年上市。這也是AMD首次拿下臺積電最新制程工藝的首發(fā)，而以往則都是由蘋果公司的芯片首發(fā)。N2是臺積電首個(gè)依賴于全環(huán)繞柵極晶體管（Gate All Around，GAA）的工藝技術(shù)，預(yù)計(jì)與N3（3nm）相比，可將功耗降低24%至35%，或者在相同運(yùn)行電壓下的性能提高15%，同時(shí)晶體管密度是N3的1.15倍，這些提升主要得
- 關(guān)鍵字： AMD N2 制程 臺積電
N2 Purge在LPCVD爐管氮化硅工藝中的應(yīng)用
- 在亞微米的生產(chǎn)制造技術(shù)中，氮化硅工藝的particle已經(jīng)成為產(chǎn)品良率的主要影響因素。本文主要針對立式LPCVD氮...
- 關(guān)鍵字： N2 purge 氮化硅生產(chǎn) Particle問題
| 共5條 1/1 1 |
n2介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條n2!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對n2的理解，并與今后在此搜索n2的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對n2的理解，并與今后在此搜索n2的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
相關(guān)主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473