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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 晶圓廠

          晶圓廠 文章 最新資訊

          臺(tái)積電1.4納米晶圓廠將于11月5日破土動(dòng)工

          • 臺(tái)積電將于 11 月 5 日在臺(tái)中中部科學(xué)園破土動(dòng)工。該晶圓廠計(jì)劃于 2028 年下半年開始量產(chǎn)。這將耗資 490 億美元。預(yù)計(jì)年收入高達(dá)159億美元,雇用8-10,000名員工。最初,臺(tái)積電的計(jì)劃是在該地點(diǎn)建造四座晶圓廠,第一波建設(shè)中建造兩座 1.4 納米晶圓廠,然后再建造兩座 1nm 工藝晶圓廠。然而,據(jù)說每片晶圓售價(jià) 1.4 美元的 45 納米工藝的需求如此之強(qiáng)勁,以至于臺(tái)積電已被說服同時(shí)建造四座晶圓廠——所有晶圓廠都能夠運(yùn)行 1.4 納米工藝。1nm晶圓廠將建在臺(tái)南科學(xué)園的沙侖。隨著英特爾上周在錢
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  1.4納米  晶圓廠  

          SEMI:到2028年全球300毫米晶圓廠設(shè)備支出將達(dá)到 $374B

          • 根據(jù) SEMI 在 SEMICON West 上發(fā)布的最新 300 毫米晶圓廠展望報(bào)告,預(yù)計(jì) 2026 年至 2028 年間,全球 300 毫米晶圓廠設(shè)備支出將達(dá)到 3740 億美元。這一激增反映了區(qū)域晶圓廠的擴(kuò)張、人工智能芯片需求的蓬勃發(fā)展以及全球半導(dǎo)體自給自足的推動(dòng)。對(duì)于eeNews Europe的讀者來說,這些預(yù)測(cè)凸顯了芯片制造能力以及相應(yīng)的設(shè)備機(jī)會(huì)下一步將擴(kuò)大到哪里,從而影響歐洲不斷發(fā)展的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中的供應(yīng)商、代工廠和材料供應(yīng)商。人工智能和區(qū)域化推動(dòng)晶圓廠擴(kuò)張根據(jù) SEMI 的數(shù)據(jù),2025
          • 關(guān)鍵字: SEMI  300毫米  晶圓廠  

          德州儀器將因關(guān)閉150毫米晶圓廠而裁員400

          • 德州儀器 (TI) 已通知員工其位于德克薩斯州的達(dá)拉斯和謝爾曼晶圓廠即將裁員。據(jù)當(dāng)?shù)匦侣劽襟w KXII 報(bào)道,該公告于 9 月 25 日發(fā)布,預(yù)計(jì)約有 400 名員工將受到該公司在該州關(guān)閉的 150 毫米晶圓廠裁員的影響。一位匿名員工告訴 KXII,工人們此前曾被告知,如果他們幫助關(guān)閉舊晶圓廠,他們將優(yōu)先在新的 300 毫米工廠工作,這是該公司投資超過 600 億美元在德克薩斯州和猶他州建設(shè)七個(gè)芯片晶圓廠的計(jì)劃的一部分。其中包括德克薩斯州謝爾曼和理查森以及猶他州李海的“大型站點(diǎn)”,其中
          • 關(guān)鍵字: 德州儀器  150毫米  晶圓廠  

          三安宣布 8 英寸 SiC 芯片生產(chǎn)線投產(chǎn)完成

          • 8 月 27 日,三安在投資者關(guān)系平臺(tái)上宣布,其湖南三安半導(dǎo)體基地的 8 英寸碳化硅(SiC)芯片生產(chǎn)線正式投產(chǎn)。湖南三安的 8 英寸 SiC 芯片線從建設(shè)到投產(chǎn)不到一年,進(jìn)展比預(yù)期更快。截至 2025 年 8 月,湖南三安已建立起相對(duì)完整的 SiC 產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)能:6 英寸 SiC 產(chǎn)能為每月 16000 片,8 英寸襯底和外延產(chǎn)能分別為每月 1000 片和 2000 片。此外,該公司還有氮化鎵-on-Silicon 產(chǎn)能為每月 2000 片。湖南三安碳化硅項(xiàng)目的總投資額為160億元人民幣,目標(biāo)是建立一個(gè)兼
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  芯片  晶圓廠  

          臺(tái)積電將于下個(gè)月破土動(dòng)工1.4nm晶圓廠

          • 經(jīng)濟(jì)新聞日?qǐng)?bào)》道,臺(tái)積電將于 10 月破土動(dòng)工,耗資 490 億美元的 Fab 25 工廠用于其 1.4 納米工藝。1.4nm 的試生產(chǎn)計(jì)劃于 2027 年底在構(gòu)成 Fab 25 的四個(gè)晶圓廠中的第一個(gè)進(jìn)行。Fab 25 將在臺(tái)中市附近的臺(tái)灣中部科學(xué)園區(qū)舉行。所有四個(gè)晶圓廠都將運(yùn)行 1.4nm 工藝,能夠生產(chǎn) 50k wpm。該工廠將容納四家工廠,最初的晶圓廠計(jì)劃于 2027 年底開始試生產(chǎn),并于 2028 年下半年量產(chǎn)。臺(tái)積電的第二代 GAA 工藝 1.4nm 工藝與 20nm 工藝相比,邏輯密度超過
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  1.4nm  晶圓廠  

          美國(guó)撤銷對(duì)三星、SK 海力士的中國(guó)芯片制造工具許可證:解碼市場(chǎng)影響

          • 三星和 SK 海力士雖然暫時(shí)免于美國(guó)政府入股的風(fēng)險(xiǎn),但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進(jìn)口美國(guó)芯片制造設(shè)備——根據(jù) 路透社和 彭博社的數(shù)據(jù),三星和 SK 海力士在中國(guó)遇到了新的障礙 。正如聯(lián)邦文件所示,報(bào)告表明撤銷將在 120 天后開始。報(bào)道補(bǔ)充說,值得注意的是,美國(guó)政府表示將批準(zhǔn)三星和 SK 海力士的許可,以維持其在中國(guó)現(xiàn)有晶圓廠的運(yùn)營(yíng),但不會(huì)批準(zhǔn)產(chǎn)能擴(kuò)張或技術(shù)升級(jí)。路透社指出,英特爾也上市,盡管它已經(jīng)在今年早些時(shí)候通過出售其大連工廠
          • 關(guān)鍵字: 三星  海力士  晶圓廠  NAND  

          臺(tái)積電美國(guó)廠快速獲利,產(chǎn)能告急!

          • 據(jù)臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道,今年二季度臺(tái)積電稅后凈利潤(rùn)為新臺(tái)幣3982.7億元,其中剛量產(chǎn)不久的美國(guó)晶圓廠(TSMC Arizona)繳出稅后凈利潤(rùn)為新臺(tái)幣42.32億元,首度為母公司貢獻(xiàn)投資收益,與日本熊子公司JASM持續(xù)虧損的狀態(tài)呈現(xiàn)出鮮明的對(duì)比。而在2024年第三季和第四季臺(tái)積電美國(guó)廠分別虧損新臺(tái)幣49.76億元和新臺(tái)幣49.79億元,但是在今年一季度就已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了新臺(tái)幣4.96億元的盈利,不過母公司認(rèn)列的投資收益仍虧損達(dá)新臺(tái)幣19.31億元。上季度臺(tái)積電美國(guó)廠首度為母公司臺(tái)積電帶來新臺(tái)幣64.47億元投
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  2nm  晶圓廠  

          特朗普威脅臺(tái)積電的兩個(gè)條件 卻是對(duì)英特爾最大的羞辱

          • 根據(jù)最近多個(gè)消息源的確認(rèn),特朗普政府以臺(tái)積電投資4000億或收購(gòu)英特爾49%股權(quán)的條件,來?yè)Q取對(duì)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的關(guān)稅減免,目前看這個(gè)消息應(yīng)該不是空穴來風(fēng)。如果真的如此,那么對(duì)臺(tái)積電來說,基本是不可接受的條件,但是這樣的條件曝光出來,似乎臺(tái)積電在特朗普心中的價(jià)值似乎又高大偉岸了一些,反觀作為籌碼的英特爾,這可能是比裁員、股價(jià)暴跌還要屈辱的事情。 首先來看一下這個(gè)事件的背景。最近特朗普政府針對(duì)不同國(guó)家和地區(qū)的關(guān)稅調(diào)整稅率紛紛公布,其中,中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的關(guān)稅定為了20%,這個(gè)數(shù)字要明顯高于日本和韓國(guó)的15
          • 關(guān)鍵字: 特朗普  臺(tái)積電  英特爾  晶圓廠  

          據(jù)報(bào)道,臺(tái)積電的 2 納米節(jié)點(diǎn)計(jì)劃在 2026 年每月產(chǎn)量達(dá)到 60K,價(jià)格比 3 納米高 50%

          • 根據(jù)聯(lián)合報(bào)報(bào)道,臺(tái)積電預(yù)計(jì)明年將擁有四座滿負(fù)荷運(yùn)行的 2 納米晶圓廠,月總產(chǎn)量將達(dá)到 60,000 片。然而,正如 Wccftech 指出的那樣,雖然臺(tái)積電正在準(zhǔn)備大規(guī)模的 2 納米生產(chǎn),但據(jù)報(bào)道該公司沒有計(jì)劃向客戶提供折扣。 聯(lián)合報(bào)援引行業(yè)消息人士稱,每片 2 納米晶圓的價(jià)格可能高達(dá) 30,000 美元,比 3 納米晶圓價(jià)格上漲了 50%。值得注意的是,聯(lián)合報(bào)還表示,來自人工智能相關(guān)客戶的需求強(qiáng)勁,導(dǎo)致在相同時(shí)期內(nèi),2 納米的晶圓流片數(shù)量超過了 3 納米和 5 納米。幾乎所
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  晶圓廠  2nm  

          中國(guó)本土晶圓廠產(chǎn)能接近飽和,大量成熟制程訂單流向韓國(guó)

          • 近期,韓國(guó)晶圓代工行業(yè)迎來一波來自中國(guó)市場(chǎng)的訂單熱潮。據(jù)韓國(guó)媒體《Newdaily》報(bào)道,隨著中國(guó)半導(dǎo)體需求持續(xù)攀升,本土晶圓廠產(chǎn)能接近飽和,大量成熟制程訂單正加速流向韓國(guó)8英寸晶圓代工廠。業(yè)內(nèi)人士指出,以DB HiTek和SK Key Foundry為代表的韓國(guó)企業(yè)正成為這波需求外溢的主要受益者。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,韓國(guó)第二大8英寸晶圓代工廠DB HiTek的產(chǎn)能利用率從2024年下半年的74%躍升至2025年初的85%以上,2025年第一季度2.76萬億韓元的總營(yíng)收中,中國(guó)客戶就貢獻(xiàn)了約1.7萬億韓元,占比
          • 關(guān)鍵字: 晶圓廠  成熟制程  

          臺(tái)積電加快了對(duì)亞利桑那州芯片綜合體的投資,因?yàn)槿峭七t了德克薩斯州的晶圓廠

          • 根據(jù)兩份新報(bào)告,臺(tái)積電和三星電子正在將其在美國(guó)的晶圓廠業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)向不同的方向?!度A爾街日?qǐng)?bào)》今天援引消息人士的話說,臺(tái)積電正在加速對(duì)其亞利桑那州晶圓廠的投資。與此同時(shí),據(jù)報(bào)道,三星正在推遲德克薩斯州一家芯片工廠的竣工。兩家公司的建設(shè)項(xiàng)目預(yù)計(jì)耗資超過 1800 億美元。 據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》報(bào)道,臺(tái)積電正在放慢在日本的晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目,以便為其在亞利桑那州的加速投資計(jì)劃提供更多資源。后一項(xiàng)計(jì)劃將使該公司在鳳凰城附近建造一個(gè)龐大的制造中心,該中心將容納九個(gè)不同的設(shè)施。該中心預(yù)計(jì)將滿負(fù)荷雇用 6,000 名專業(yè)
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  三星  晶圓廠  

          臺(tái)積電美國(guó)3nm晶圓廠基建完工,量產(chǎn)時(shí)間表曝光

          • 據(jù)臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道,臺(tái)積電為滿足客戶對(duì)美國(guó)制造需求的增長(zhǎng),正在加速推進(jìn)其亞利桑那州晶圓廠的建設(shè)。供應(yīng)鏈透露,臺(tái)積電亞利桑那州二廠(P2)已完成基建,預(yù)計(jì)將在2027年實(shí)現(xiàn)3nm制程的量產(chǎn)。目前,臺(tái)積電正根據(jù)客戶對(duì)AI芯片的強(qiáng)勁需求,加快量產(chǎn)進(jìn)度,整體時(shí)間表較原計(jì)劃有所提前。供應(yīng)鏈分析指出,臺(tái)積電此舉旨在回應(yīng)客戶需求,并應(yīng)對(duì)美國(guó)政府關(guān)稅政策的影響。據(jù)悉,亞利桑那州二廠的機(jī)臺(tái)最快將在明年9月進(jìn)場(chǎng)安裝,首批晶圓預(yù)計(jì)在2027年下線。通常情況下,晶圓廠在完成基建后,還需要約兩年時(shí)間進(jìn)行內(nèi)部廠務(wù)調(diào)整,臺(tái)積電的推
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  3nm  晶圓廠  

          香港首座8英寸SiC晶圓廠獲得批準(zhǔn)

          • 6月25日,香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技局轄下創(chuàng)新科技署宣布,Jizcube Semiconductor (Hong Kong) Limited提交的「新工業(yè)加速計(jì)劃」申請(qǐng)已獲得評(píng)審委員會(huì)批準(zhǔn)。獲批項(xiàng)目涉及在香港興建寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅 (SiC) 晶圓制造設(shè)施。項(xiàng)目總預(yù)算超過 7 億港元,將獲得 2 億港元的「新產(chǎn)業(yè)加速計(jì)劃」資助。這筆資金預(yù)計(jì)將大大提升香港的先進(jìn)半導(dǎo)體制造能力,并加速其在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展。Jizcube 于 2023 年 10 月在香港注冊(cè)成立,并于 2024 年 6 月正式開始運(yùn)營(yíng),同時(shí)
          • 關(guān)鍵字: 香港  8英寸  SiC  晶圓廠  

          全球晶圓廠擴(kuò)張能否跟上美光HBM的激增

          • 美光在 2025 財(cái)年第三季度創(chuàng)紀(jì)錄的收入是由 HBM 銷售額增長(zhǎng)近 50% 推動(dòng)的,而且這種勢(shì)頭并沒有放緩。正如 ZDNet 所指出的那樣,這家美國(guó)存儲(chǔ)器巨頭現(xiàn)在的目標(biāo)是到年底在 HBM 市場(chǎng)占據(jù)大約 25% 的份額。雖然其樂觀的前景吸引了市場(chǎng)的關(guān)注,但人們也關(guān)注其全球產(chǎn)能擴(kuò)張能否跟上步伐。以下是美光在國(guó)內(nèi)外的最新制造舉措。美國(guó)生產(chǎn)時(shí)間表指向 2027 年開始根據(jù)其新聞稿,2022 年 9 月,美光公布了一項(xiàng)價(jià)值 150 億美元的計(jì)劃,以擴(kuò)建其位于愛達(dá)荷州博伊西的總部,該總部將擁有尖
          • 關(guān)鍵字: 晶圓廠  美光  HBM  

          美恐對(duì)臺(tái)積電等3家在大陸晶圓廠取消技術(shù)授權(quán)

          • 據(jù)知情人士透露,美國(guó)商務(wù)部正在研議撤回先前授予芯片制造大廠臺(tái)積電、三星以及SK海力士的相關(guān)許可證。 此舉可能導(dǎo)致這些公司在中國(guó)大陸的工廠,更難以取得來自美國(guó)的相關(guān)產(chǎn)品與技術(shù)。 然而,有產(chǎn)業(yè)人士示警,若美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商對(duì)海外跨國(guó)企業(yè)的出貨受到限制,反而可能助長(zhǎng)中國(guó)大陸本土競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的崛起,「這無疑是送給對(duì)方一份大禮?!孤吠干鐖?bào)道,消息來源指出,美國(guó)商務(wù)部正考慮撤銷近年來發(fā)給三星電子、SK海力士以及臺(tái)積電等全球領(lǐng)先芯片制造商的許可。 一旦實(shí)施,這些企業(yè)將更難在位于中國(guó)大陸的工廠中,取得美國(guó)生產(chǎn)的產(chǎn)品和技術(shù)。
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  晶圓廠  技術(shù)授權(quán)  
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