蘋(píng)果2026年的2納米芯片陣容

蘋(píng)果正在為其硅路線圖在 2026 年進(jìn)行重大飛躍，將推出基于臺(tái)積電 2 納米工藝技術(shù)的四款新芯片 。這代表著蘋(píng)果激進(jìn)“Tick-tock”芯片演進(jìn)的下一步，緊隨其基于 3 納米的 A17 和 M3 系列之后。根據(jù)供應(yīng)鏈報(bào)告，蘋(píng)果已經(jīng)鎖定臺(tái)積電初始 2 納米產(chǎn)量的約 50% 來(lái)生產(chǎn)這些芯片，凸顯了它們對(duì)蘋(píng)果未來(lái)產(chǎn)品的重要性。以下是預(yù)期中的蘋(píng)果 2 納米芯片及其目標(biāo)設(shè)備的概述：

很明顯，蘋(píng)果并沒(méi)有將 2 納米技術(shù)局限于單一產(chǎn)品線；該公司本質(zhì)上計(jì)劃在 2026 年將（至少在高端產(chǎn)品上）整個(gè)產(chǎn)品組合遷移到 2 納米技術(shù)。這反映了蘋(píng)果過(guò)去快速采用新制程節(jié)點(diǎn)的策略：例如，蘋(píng)果在 2020 年率先使用 A14 芯片實(shí)現(xiàn)了 5 納米技術(shù)，并在 2023 年率先使用 A17 Pro 芯片實(shí)現(xiàn)了 3 納米技術(shù)。對(duì)于 2 納米技術(shù)，蘋(píng)果再次將自己定位為臺(tái)積電最新制程節(jié)點(diǎn)的合作伙伴——并在 iPhone、Mac 乃至新的設(shè)備類別中享受每瓦性能優(yōu)勢(shì)。

臺(tái)積電 2nm 制程——更小、更快、更節(jié)能的芯片

轉(zhuǎn)向 “2 納米” 工藝不僅是營(yíng)銷里程碑；它帶來(lái)了切實(shí)的技術(shù)進(jìn)步。臺(tái)積電的 2 納米技術(shù)（N2）預(yù)計(jì)將在 2025 年底開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)，這標(biāo)志著臺(tái)積電首次在一個(gè)大規(guī)模生產(chǎn)的制程中從傳統(tǒng)的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管轉(zhuǎn)向全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管 。從 2 納米制程轉(zhuǎn)向 GAA 是一項(xiàng)重大的工程轉(zhuǎn)變：在全環(huán)繞柵極晶體管中，電流通過(guò)完全被柵極包圍的水平堆疊納米片流動(dòng)，相比鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)側(cè)面的柵極鰭，提供了更好的控制。結(jié)果是，在極小的尺度上實(shí)現(xiàn)了卓越的性能和能效。

根據(jù)臺(tái)積電及其發(fā)布合作伙伴的說(shuō)法，2nm 工藝節(jié)點(diǎn)相比當(dāng)前的 3nm（N3E）有顯著提升。早期數(shù)據(jù)顯示，在相同功耗下，速度最高可提升 10-18%，或在相同性能下功耗降低 30-36%，邏輯密度增加約 20%。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，原本幾乎耗盡 iPhone 電池的芯片設(shè)計(jì)，在 2nm 工藝上可以更快地完成相同任務(wù)，同時(shí)能耗降低三分之一。這些提升直接轉(zhuǎn)化為更流暢的性能和更長(zhǎng)的電池續(xù)航，適用于智能手機(jī)和筆記本電腦等設(shè)備——或者，讓蘋(píng)果能夠在相同的功耗預(yù)算和散熱限制下，集成更多功能（更多核心、更高時(shí)鐘速度、新的 AI 協(xié)處理器等）。

刻有先進(jìn)芯片的半導(dǎo)體晶圓。蘋(píng)果的 A20 將利用臺(tái)積電的前沿 2 納米制程，該制程使用納米片晶體管，在更小的空間內(nèi)集成更多性能。

2nm 工藝預(yù)計(jì)還將引入新的制造技術(shù)。臺(tái)積電的第一代 2nm 將使用極紫外光刻（EUV），并可能在關(guān)鍵層采用一些多重圖形技術(shù)，還可能推出背面電源傳輸 （一種通過(guò)從晶體管層下方供電來(lái)降低電阻的創(chuàng)新技術(shù)）。所有這些技術(shù)都是為了緩解晶體管縮放帶來(lái)的挑戰(zhàn)。然而，這些尖端的制造方法是有代價(jià)的——字面意義上的代價(jià)。據(jù)估計(jì)，臺(tái)積電的 2nm 將是其有史以來(lái)最昂貴的制程 ，每片晶圓的成本約為 3 萬(wàn)美元 。蘋(píng)果的雄厚資金和巨大的需求量（每年數(shù)億顆 A 系列芯片）使其能夠承擔(dān)這些成本，并優(yōu)先獲得供應(yīng)。

封裝突破：晶圓級(jí)多芯片模塊 (WMCM)

除了晶體管縮小之外，蘋(píng)果 2026 年的芯片還將受益于一種全新的芯片封裝技術(shù) 。蘋(píng)果將從目前用于 iPhone 芯片的 InFO（集成扇出）封裝轉(zhuǎn)向?yàn)?A20 SoC 使用晶圓級(jí)多芯片模塊（WMCM） 封裝。這標(biāo)志著蘋(píng)果首次在消費(fèi)級(jí)移動(dòng)設(shè)備中采用這種先進(jìn)的多芯片封裝技術(shù)，而此前這種技術(shù)在高性能服務(wù)器和 AI 芯片中更為常見(jiàn)。

那么，WMCM 是什么，為什么它如此重要？本質(zhì)上，WMCM 允許將多個(gè)硅片——例如，主 SoC 和內(nèi)存——在切割和封裝之前在晶圓級(jí)別進(jìn)行集成 。在蘋(píng)果的情況下，這意味著 A20 芯片可以由獨(dú)立的芯片或瓦片（一個(gè)硅片上的 CPU/GPU 核心，另一個(gè)硅片上可能有 SRAM 或 DRAM 內(nèi)存）緊密地粘合在一起，以至于它們表現(xiàn)得像一個(gè)芯片。這是在沒(méi)有傳統(tǒng)基板或中介層的情況下完成的。而不是將內(nèi)存芯片放在處理器旁邊，并通過(guò)相對(duì)較長(zhǎng)的布線或中介層橋連接它們，WMCM 粘合將它們直接在晶圓上連接，這大大縮短了信號(hào)傳輸?shù)木嚯x，并減少了寄生損耗。

實(shí)際上，A20 的 RAM 可能會(huì)直接集成在 CPU/GPU 的同一封裝（或晶圓）上，而不是像目前手機(jī)那樣放在單獨(dú)的 LPDDR 封裝中。蘋(píng)果長(zhǎng)期以來(lái)一直使用“PoP”（封裝上封裝）堆疊技術(shù)，即將移動(dòng) DRAM 安裝在 SoC 封裝的頂部。WMCM 技術(shù)則更進(jìn)一步，在硅片級(jí)別進(jìn)行鍵合。其優(yōu)勢(shì)是多方面的： 更高的帶寬和更低的延遲內(nèi)存訪問(wèn)（芯片可以更快地獲取數(shù)據(jù)），改進(jìn)的能效（減少在長(zhǎng)距離線纜上傳輸數(shù)據(jù)時(shí)浪費(fèi)的能量），甚至節(jié)省設(shè)備內(nèi)部空間。蘋(píng)果的下一代芯片不僅會(huì)因 2nm 工藝而更小，它還將在物理上更靠近其內(nèi)存 ，這將提升密集型任務(wù)（如 AI 處理、圖形和游戲）的性能，并有助于降低功耗 。

這種模塊化方法的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)在于芯片設(shè)計(jì)的靈活性。蘋(píng)果不必創(chuàng)建一個(gè)需要滿足所有用例的巨大單片晶圓，而是可以混合搭配組件。理論上，A20 的不同層級(jí) （標(biāo)準(zhǔn)版與 Pro 版）可以通過(guò)改變 GPU 核心或神經(jīng)引擎的數(shù)量作為獨(dú)立的芯片單元來(lái)實(shí)現(xiàn)， 而無(wú)需依賴“分選”（禁用未達(dá)到頂級(jí)規(guī)格的芯片部分）。正如 AppleInsider 所指出的，這種方法讓蘋(píng)果能夠從模塊化部件生產(chǎn)多種 A20 變體，這意味著例如，可以為入門(mén)級(jí) iPhone 生產(chǎn)配備單個(gè) GPU 單元的 A20，而為 Pro 版 iPhone 生產(chǎn)配備雙 GPU 單元的 A20 Pro——所有這些都將使用相同的底層架構(gòu)。這為性能層級(jí)上的更多 iPhone 型號(hào)差異化打開(kāi)了大門(mén)，并且可能由于良率可以提高（較小的芯片單元更容易無(wú)缺陷制造并組合）而使芯片生產(chǎn)更加高效。 事實(shí)上，行業(yè)內(nèi)部人士推測(cè)，使用 WMCM “可能意味著 iPhone 18 機(jī)型之間的性能差異會(huì)更大”，因?yàn)樘O(píng)果可以輕松地更換不同的 CPU/GPU/神經(jīng)引擎組合。

采用 WMCM 技術(shù)需要蘋(píng)果為其供應(yīng)鏈做好準(zhǔn)備。分析師明基修（Ming-Chi Kuo）透露，臺(tái)積電（TSMC）已為這項(xiàng)先進(jìn)封裝技術(shù)設(shè)立了專用生產(chǎn)線（被稱為 AP7），預(yù)計(jì)到 2026 年產(chǎn)能將達(dá)到每月約 10,000 個(gè)晶圓模組，之后將迅速擴(kuò)張。蘋(píng)果甚至已經(jīng)鎖定了材料供應(yīng)商——例如，中國(guó)臺(tái)灣的永恒材料（Eternal Materials）將成為蘋(píng)果 2026 年 iPhone 和 Mac 芯片封裝所需特殊模塑料和底部填充化學(xué)品的獨(dú)家供應(yīng)商。所有這些準(zhǔn)備工作都突顯了 WMCM 技術(shù)對(duì)蘋(píng)果路線圖的重要性。從更廣泛的背景來(lái)看，這表明曾經(jīng)專用于超高性能計(jì)算的技術(shù)現(xiàn)在正進(jìn)入移動(dòng)領(lǐng)域——正如一份報(bào)告所說(shuō)，“曾經(jīng)專用于數(shù)據(jù)中心 GPU 和 AI 加速器的技術(shù)正逐漸進(jìn)入智能手機(jī)?！?/p>

蘋(píng)果 2 納米技術(shù)如何與英特爾、AMD、高通和三星相比

蘋(píng)果將不會(huì)在 2 納米時(shí)代孤單——其最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在移動(dòng)和 PC 芯片領(lǐng)域都在競(jìng)相進(jìn)入類似的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)并部署自己的封裝創(chuàng)新。以下是蘋(píng)果計(jì)劃中的 2 納米芯片與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手當(dāng)前和即將推出的技術(shù)相比情況：

英特爾：18A 工藝和 3D 芯片組

英特爾正積極追趕工藝競(jìng)賽，其“英特爾 18A”節(jié)點(diǎn)（大致相當(dāng)于 1.8 納米）。英特爾的路線圖目標(biāo)是在 2025 年下半年實(shí)現(xiàn) 18A 的大規(guī)模生產(chǎn)，這可能會(huì)使英特爾的工藝技術(shù)到蘋(píng)果 A20 和 M6 到達(dá)時(shí)與臺(tái)積電的 2 納米技術(shù)相當(dāng)。英特爾 18A 將使用絲帶 FET GAA 晶體管 （英特爾自己的 GAA 實(shí)現(xiàn)）和背面電源傳輸 ——類似于臺(tái)積電的 GAA 轉(zhuǎn)型。該公司的目標(biāo)是重新奪回工藝領(lǐng)導(dǎo)地位，甚至已經(jīng)提出計(jì)劃向無(wú)晶圓廠客戶提供 18A 產(chǎn)能（包括可能蘋(píng)果，盡管到目前為止蘋(píng)果仍然忠于臺(tái)積電）。

在產(chǎn)品方面，英特爾在 2023 年推出了其首款采用解耦芯片（晶粒）架構(gòu)和先進(jìn) 3D 封裝（Foveros 堆疊）的客戶 CPU Meteor Lake。Meteor Lake 的設(shè)計(jì)將 CPU 核心、GPU、IO 和 SoC 功能分割成獨(dú)立的晶粒，其中一些基于英特爾自己的 7 納米級(jí)工藝制造，而另一些（如 GPU 晶粒）則采用臺(tái)積電的 5 納米工藝，所有這些都通過(guò) Foveros 集成在一個(gè)封裝中。這標(biāo)志著英特爾傳統(tǒng)單片芯片的重大轉(zhuǎn)變。到 2026 年，英特爾將超越 Meteor Lake 幾個(gè)代：即將推出的 Arrow Lake 和 Lunar Lake 芯片預(yù)計(jì)將分別采用英特爾 20A 和 18A 工藝，并采用更先進(jìn)的晶粒技術(shù)。展望未來(lái)，Nova Lake 系列（據(jù)傳為 2026-27 年）預(yù)計(jì)將基于 18A 進(jìn)行徹底的架構(gòu)革新，可能采用混合設(shè)計(jì)，桌面 CPU 上最多配備 52 個(gè)核心 。 英特爾也在研發(fā)像 EMIB 和 Foveros Omni/Direct 這樣的封裝技術(shù)，用于混合搭配芯片組，這與蘋(píng)果在移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域所做的工作類似。

總的來(lái)說(shuō)，當(dāng)蘋(píng)果的 2 納米芯片推出時(shí)， 英特爾最好的可能是其酷睿 Ultra 處理器，采用 18A 工藝并支持多晶圓集成。競(jìng)爭(zhēng)格局將非常有趣：蘋(píng)果的優(yōu)勢(shì)在于其芯片針對(duì)特定設(shè)備（手機(jī)、Mac）的效率進(jìn)行了定制，并將利用臺(tái)積電最先進(jìn)的工藝和新型封裝技術(shù)。而英特爾則將憑借其原始的 x86 核心數(shù)量和自身的封裝技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)。蘋(píng)果的 M 系列已經(jīng)在性能每瓦方面與英特爾展開(kāi)激烈競(jìng)爭(zhēng)；2 納米的 M6 可能會(huì)在筆記本電腦上進(jìn)一步擴(kuò)大這一差距，而英特爾將試圖通過(guò) brute-force 的方式在臺(tái)式機(jī)領(lǐng)域超越蘋(píng)果（例如，為 PC 推出多核心的 Nova Lake-S 芯片）。兩者在策略上也存在差異：英特爾采用芯片組混合工藝（例如，將部分組件保留在稍舊但更便宜的工藝節(jié)點(diǎn)上），而蘋(píng)果則全力投入單一的超小 SoC。這是一場(chǎng)哲學(xué)上的碰撞——單體高效與模塊化高功率之爭(zhēng)——而 2026-2027 年將揭曉哪種策略能帶來(lái)更好的實(shí)際效果。

AMD：芯粒領(lǐng)先地位與 2 納米 Zen 6

AMD 一直是 CPU 芯粒方法的先驅(qū)，在向 2 納米轉(zhuǎn)型時(shí)將繼續(xù)利用這一優(yōu)勢(shì)。目前，AMD 的 Zen 4 和即將推出的 Zen 5 架構(gòu)使用臺(tái)積電 5 納米/4 納米制造 CPU 核心芯粒，并在 6 納米或 4/3 納米上使用更大的 I/O 芯片。這種分裂設(shè)計(jì)使 AMD 能夠混合節(jié)點(diǎn)以優(yōu)化成本，并分別集成大量緩存或集成圖形。

對(duì)于 Zen 6 世代（可能在桌面端品牌為 Ryzen 9000 系列，目標(biāo)于 2026 年發(fā)布），AMD 已確認(rèn)其核心計(jì)算芯片組（CCDs）將采用 TSMC 的 2nm 工藝制造——具體為增強(qiáng)型 N2P 變體——而 I/O 芯片將使用 TSMC 3nm 工藝。換句話說(shuō)，AMD 將把最新的 2nm 硅片保留給性能關(guān)鍵部分（CPU 核心），而內(nèi)存控制器、PCIe 和其他外設(shè)則采用稍成熟的節(jié)點(diǎn)。Zen 6 預(yù)計(jì)將帶來(lái)顯著的架構(gòu)提升，并可能每個(gè)芯片組擁有更多核心 ；據(jù)傳聞，每個(gè) CCD 核心數(shù)可達(dá) 12 個(gè)（相比 Zen 5 的 8 個(gè)），這意味著桌面 CPU 可通過(guò)兩個(gè) CCD 集成 24 個(gè)核心。借助 2nm 工藝，AMD 可以在每個(gè)核心中集成更多晶體管——可能擁有更大的緩存或額外的功能單元——從而顯著提升 IPC（每時(shí)鐘周期指令數(shù)）。結(jié)合更高的時(shí)鐘速度余量和 2nm 帶來(lái)的效率提升，Zen 6 CPU 預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)跨代雙位數(shù)的性能提升。

從時(shí)間線來(lái)看，TSMC 在 2026 年第三季度的 2 納米量產(chǎn)計(jì)劃與 AMD 的計(jì)劃相符，因此如果一切順利，我們可能在 2026 年晚些時(shí)候（或 2027 年初）看到早期的 Zen 6 Ryzen 芯片。這意味著 AMD 的 2 納米 CPU 可能在蘋(píng)果 M6 Macs 上架售的同一時(shí)間出現(xiàn)。在高性能端，AMD 將用其 Zen 6（主流臺(tái)式機(jī)可能高達(dá) 24 核，而在 EPYC 服務(wù)器芯片中甚至更多核心）對(duì)陣 Intel 的基于 18A 的處理器。對(duì)于蘋(píng)果的 M 系列，AMD 的芯片瞄準(zhǔn)不同的市場(chǎng)（Windows PC、服務(wù)器），但在高端筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)領(lǐng)域存在重疊，蘋(píng)果的 M6 可能會(huì)挑戰(zhàn) x86 產(chǎn)品。蘋(píng)果仍將保持巨大的能效優(yōu)勢(shì)——MacBook 中的 M6 可能無(wú)風(fēng)扇或低功耗，而 AMD 的最高核心芯片是為具有充足散熱功能的臺(tái)式機(jī)設(shè)計(jì)的——但 AMD 可以將其設(shè)計(jì)向上擴(kuò)展，而蘋(píng)果（到目前為止）在 Mac 上還沒(méi)有這樣做。如果蘋(píng)果最終生產(chǎn)一款臺(tái)式機(jī)級(jí)別的 2 納米芯片（比如 Mac Pro 的 M6 Ultra 或 Extreme），以及它如何與 2 納米 EPYC 服務(wù)器 CPU 或高核心 Threadripper 競(jìng)爭(zhēng)，這將非常有趣。

在封裝方面，AMD 也在進(jìn)行創(chuàng)新：它已經(jīng)使用 3D 堆疊（V-Cache）將額外的 L3 緩存芯片放置在 CPU 頂部，以在特定任務(wù)中獲得額外的性能提升。到 Zen 6 或 Zen 7 時(shí)，AMD 可能會(huì)引入更多 3D 堆疊——或許堆疊 SRAM，甚至垂直集成芯片。而蘋(píng)果的 WMCM 是關(guān)于在移動(dòng) SoC 上緊密耦合內(nèi)存，AMD 的方法可能涉及堆疊緩存，甚至堆疊 CPU 芯片在主動(dòng)中介層上（路線圖中暗示的概念）。這兩種策略都旨在通過(guò)超越“單片式芯片”來(lái)突破性能極限，但針對(duì)不同的需求——蘋(píng)果針對(duì)移動(dòng)功耗效率，AMD 針對(duì)最大化吞吐量。

高通和聯(lián)發(fā)科：安卓旗艦的2納米芯片

在移動(dòng) SoC 領(lǐng)域（安卓手機(jī)）， 高通和聯(lián)發(fā)科是兩大主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，它們同樣依賴臺(tái)積電（有時(shí)也依賴三星）來(lái)制造尖端芯片。它們自然地緊隨蘋(píng)果之后采用新的制程節(jié)點(diǎn)，盡管通常會(huì)落后幾個(gè)月。

高通驍龍系列計(jì)劃于 2024 年達(dá)到 3 納米（驍龍 8 Gen 4 據(jù)傳將使用臺(tái)積電的 N3E 工藝）。到 2025-2026 年，高通預(yù)計(jì)將為其下一代旗艦產(chǎn)品（可能是驍龍 8 Gen 4 之后的芯片，可能命名為“驍龍 8 Gen 5”或“精英”變體）躍升至 2 納米。事實(shí)上，行業(yè)報(bào)告稱高通將在 2026 年推出其首款 2 納米移動(dòng)芯片組，時(shí)間與蘋(píng)果的 A20 發(fā)布時(shí)間相近。然而，蘋(píng)果可能仍持有時(shí)間優(yōu)勢(shì)：如果搭載 A20 的 iPhone 18 于 2026 年 9 月發(fā)布，那么首款 2 納米驍龍可能要到 2026 年底或 2027 年初（可能出現(xiàn)在 Galaxy S27 等手機(jī)中）。高通當(dāng)前的時(shí)間表顯示，2025 年將再推出一代 3 納米產(chǎn)品，然后在 2026 年底推出 2 納米產(chǎn)品。值得注意的是，高通也一直在為特定產(chǎn)品探索多芯片封裝技術(shù)。 例如，預(yù)計(jì)在 2025 年底推出的 Snapdragon 8 Gen 4（代號(hào)“Snapdragon 8 Elite”），據(jù)報(bào)道將與 12 GB 的 LPDDR5X DRAM 同封裝——表明采用 PoP 或類似方法緊密集成內(nèi)存，這與蘋(píng)果的方向類似。這款芯片還首次采用了高通自研的 Oryon CPU 核心（來(lái)自其 Nuvia 收購(gòu)），采用 3nm 工藝。當(dāng)高通轉(zhuǎn)向 2nm Oryon 核心時(shí)，它可能會(huì)采用更先進(jìn)的封裝技術(shù)（或許接近蘋(píng)果正在采用的技術(shù)，如果不是晶圓級(jí)鍵合，則可能使用中介層或 3D 堆疊用于 AI 加速器）。

聯(lián)發(fā)科（MediaTek），另一家主要的移動(dòng) SoC 廠商，也有類似的節(jié)奏。聯(lián)發(fā)科宣布，它與臺(tái)積電合作完成了首款 2nm 旗艦 SoC 的流片，目標(biāo)是在 2026 年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這款芯片可能會(huì)為高端安卓手機(jī)（或許在 Dimensity 系列下）提供動(dòng)力，并可能在 2026 年末或 2027 年初出現(xiàn)在設(shè)備中。聯(lián)發(fā)科的聲明還證實(shí)了臺(tái)積電在 2nm 工藝中使用了納米片 GAA 晶體管，并給出了具體數(shù)據(jù)：密度提升約 1.2 倍，速度提升高達(dá) 18%或功耗降低 36%（與 N3E 相比）——這基本上就是蘋(píng)果將享受到的相同好處。聯(lián)發(fā)科的目標(biāo)是成為“首批之一”擁有 2nm 技術(shù)，但由于蘋(píng)果的優(yōu)先使用權(quán)，聯(lián)發(fā)科的首批產(chǎn)品可能會(huì)稍晚一些或產(chǎn)量較低。

三星移動(dòng)（Exynos）： 我們還需要考慮三星自家的 Exynos 芯片，這些芯片在安卓設(shè)備中競(jìng)爭(zhēng)。三星晶圓廠正與臺(tái)積電走相同的道路——它在 2022 年推出了 3nm GAA 工藝（盡管良率存在問(wèn)題），并計(jì)劃在 2025 年底開(kāi)始 2nm 生產(chǎn) 。三星確認(rèn)計(jì)劃在該時(shí)間范圍內(nèi)使用 2nm 制造移動(dòng)芯片，業(yè)內(nèi)知情人士普遍預(yù)計(jì)首款產(chǎn)品將是 Exynos 2600，該芯片預(yù)計(jì)將在 2026 年初用于 Galaxy S26 系列。如果屬實(shí)，三星在技術(shù)上可能比蘋(píng)果更早（因?yàn)?S26 可能在 2026 年 1 月左右發(fā)布）在智能手機(jī)中使用 2nm 級(jí) SoC。然而，也存在質(zhì)疑：據(jù)報(bào)道三星的 3nm GAA 表現(xiàn)不佳 （一項(xiàng)分析稱三星最初的 3nm 性能僅與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的 4nm FinFET 相當(dāng)），良率也較低。三星表示從 3nm 中吸取了教訓(xùn)，并將迅速穩(wěn)定其 2nm 工藝，但即使 Exynos 2600 出現(xiàn)，它可能在效率上無(wú)法超越蘋(píng)果的 A20，也可能僅限于特定型號(hào)。 之前 此外，三星通常會(huì)在旗艦機(jī)型中選用 Exynos 和 Qualcomm 芯片；鑒于 Qualcomm 的進(jìn)展，三星可能會(huì)分散風(fēng)險(xiǎn)?？偠灾?，在移動(dòng)領(lǐng)域 蘋(píng)果有望在 2026 年底前擁有最成熟的 2nm 產(chǎn)品 ，Qualcomm 和 MediaTek 緊隨其后，而三星正試圖展示其晶圓代工實(shí)力，但在良率和能效方面仍需追趕。

以下是2025-2026年預(yù)期尖端芯片的簡(jiǎn)要比較：

表格：即將推出的約2納米級(jí)技術(shù)的關(guān)鍵芯片及其預(yù)期用途。

如表格所示， 蘋(píng)果的 A20 將成為許多消費(fèi)者最早接觸到的 2 納米 SoC，鑒于 iPhone 的年度周期和巨大銷量。高通和聯(lián)發(fā)科的 2 納米芯片將確保安卓旗艦在工藝技術(shù)上不會(huì)落后太遠(yuǎn)，但這些芯片可能要晚一個(gè)季度或兩個(gè)月才會(huì)推出。在 PC 方面，英特爾和 AMD 都將利用 2 納米（或同等）技術(shù)來(lái)提升計(jì)算能力，但它們的策略不同（單片式與芯片組）。值得注意的是，蘋(píng)果在手機(jī) SoC 中使用晶圓級(jí)多芯片封裝的技術(shù)目前無(wú)出其右 ——英特爾和 AMD 使用多芯片設(shè)計(jì)來(lái)制造更大芯片，但還沒(méi)有在同一晶圓上為客戶設(shè)備集成 RAM。高通在包中集成 RAM（如在驍龍 8 Gen 4 中看到的那樣）是朝著這個(gè)方向邁出的一步，暗示蘋(píng)果的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手看到了大趨勢(shì)：內(nèi)存帶寬是下一個(gè)戰(zhàn)場(chǎng)，特別是隨著人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)工作負(fù)載成為移動(dòng)和 PC 體驗(yàn)的核心。

市場(chǎng)影響及其對(duì)消費(fèi)者的意義

蘋(píng)果的2納米芯片計(jì)劃不僅僅是一項(xiàng)技術(shù)升級(jí)——它具有重大的市場(chǎng)影響和用戶體驗(yàn)意義：

• 移動(dòng)性能領(lǐng)先： 蘋(píng)果的 A 系列芯片已經(jīng)在智能手機(jī)性能上領(lǐng)先；2nm 上的 A20 將延續(xù)這一優(yōu)勢(shì)。我們可以期待 iPhone 18 Pro 在速度上有顯著提升——蘋(píng)果自己的估計(jì)（基于過(guò)去的節(jié)點(diǎn)跳躍）通常翻譯成大約10–15%更快的 CPU 性能和 20+%更快的圖形 ，這與新節(jié)點(diǎn)的預(yù)期收益相符。更重要的是，能效提升意味著即使 iPhone 的處理器越來(lái)越強(qiáng)大，它們也能運(yùn)行更涼爽并在負(fù)載下耗電更少 。對(duì)用戶來(lái)說(shuō)，這意味著 iPhone 在游戲或視頻編輯時(shí)能保持高性能而不降頻，并且盡管性能提升，典型使用情況下電池續(xù)航可能延長(zhǎng)一小時(shí)或更久 。蘋(píng)果可能也將部分效率提升用于增強(qiáng)神經(jīng)引擎和 GPU，以支持設(shè)備端的 AI 和 AR 任務(wù)，使實(shí)時(shí)語(yǔ)言翻譯、圖像識(shí)別或混合現(xiàn)實(shí)體驗(yàn)更加流暢。

• 新設(shè)備功能： 先進(jìn)封裝技術(shù)與 2nm 工藝的結(jié)合可能解鎖此前在移動(dòng)設(shè)備上難以實(shí)現(xiàn)的功能。例如，將內(nèi)存集成在芯片上，A20 的帶寬可能會(huì)大幅提升。這對(duì)于人工智能工作負(fù)載 （如設(shè)備上運(yùn)行大型語(yǔ)言模型）和高保真圖形至關(guān)重要。我們可能會(huì)看到蘋(píng)果宣傳 iPhone 18 能夠運(yùn)行更復(fù)雜的本地機(jī)器學(xué)習(xí)模型 ，從而提升 Siri 的智能性或?qū)崿F(xiàn)由更快的片上 AI 驅(qū)動(dòng)的全新計(jì)算攝影功能。同樣，額外的 GPU 性能和效率可能讓 iPhone 和 iPad 實(shí)現(xiàn)主機(jī)級(jí)的游戲體驗(yàn)而不耗盡電池。在 AR/VR 領(lǐng)域，Vision Pro 2 中采用的 2nm R2 芯片將允許更輕的頭戴設(shè)備或更長(zhǎng)的無(wú)線使用時(shí)間，并能處理更高級(jí)的傳感器處理——這意味著更高刷新率或更優(yōu)環(huán)境映射的沉浸式體驗(yàn)。在 Mac 上，2nm 工藝的 M6 芯片可能會(huì)繼續(xù)蘋(píng)果的軌跡，提供每瓦性能超越英特爾/AMD 筆記本電腦的 MacBook。 專業(yè)人士如果蘋(píng)果選擇，可以在無(wú)風(fēng)扇 MacBook Air 上獲得工作站級(jí)性能 ，或者擁有驚人的電池續(xù)航（想象一下 MacBook 能電池運(yùn)行 20 多個(gè)小時(shí)）。

• 競(jìng)爭(zhēng)壓力： 蘋(píng)果的大膽舉動(dòng)將迫使競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手采取相應(yīng)措施。當(dāng) iPhone 在真實(shí)世界中展現(xiàn)出電池續(xù)航或速度優(yōu)勢(shì)時(shí)，它會(huì)影響消費(fèi)者認(rèn)知。高通和安卓設(shè)備制造商將需要推廣他們的 2 納米產(chǎn)品，并可能投資于類似的多芯片封裝技術(shù)，以在規(guī)格競(jìng)賽中保持競(jìng)爭(zhēng)力。我們可能會(huì)看到 2027 年的安卓旗艦手機(jī)宣傳“2 納米人工智能強(qiáng)大芯片”，或者采用堆疊內(nèi)存（例如，如果可行，三星可以在設(shè)備中使用自己的 eMRAM 或 HBM 技術(shù)）。在個(gè)人電腦領(lǐng)域，如果蘋(píng)果的 M6（以及后續(xù)的 M7）繼續(xù)縮小與高端英特爾/AMD 芯片的性能差距——同時(shí)功耗更低——它可能會(huì)促使更多消費(fèi)者甚至企業(yè)考慮蘋(píng)果的 Mac 生態(tài)系統(tǒng)，以獲得其效率優(yōu)勢(shì)。英特爾和 AMD 已經(jīng)感受到了壓力；正如一位科技評(píng)論員所說(shuō)，“錯(cuò)失移動(dòng)市場(chǎng)導(dǎo)致“工藝領(lǐng)導(dǎo)地位”的喪失是英特爾面臨的核心生存威脅?！?蘋(píng)果獲得臺(tái)積電一半的 2 納米產(chǎn)能，這加劇了這一威脅，因?yàn)樗艚o其他人的產(chǎn)能更少，并鞏固了蘋(píng)果作為臺(tái)積電優(yōu)先客戶的角色。

• 產(chǎn)品細(xì)分與定價(jià)： 隨著這些先進(jìn)技術(shù)的到來(lái)，也帶來(lái)了復(fù)雜性和成本。蘋(píng)果可能會(huì)更清晰地細(xì)分其產(chǎn)品線 。據(jù)傳聞，標(biāo)準(zhǔn)版 iPhone 18（以及一款新的“iPhone 18 Air”型號(hào)）最初可能不會(huì)配備 A20 芯片，而是會(huì)稍晚推出或使用上一代芯片，而只有 Pro 型號(hào)才會(huì)搭載昂貴的新硅芯片。這有助于蘋(píng)果管理 2nm 芯片的成本和供應(yīng)（這些芯片將會(huì)很昂貴）。類似地，在 Mac 產(chǎn)品中，或許只有 MacBook Pro 和高端 Mac 才能率先配備第一代 2nm M 系列芯片，而 MacBook Air 和 iMac 則需要稍等。消費(fèi)者應(yīng)該做好準(zhǔn)備，尖端技術(shù)最初可能會(huì)保留在價(jià)格更高的型號(hào)上。晶圓級(jí)封裝的引入也可能略微增加制造成本，但蘋(píng)果將力求通過(guò)性能每美元的增益以及可能通過(guò)簡(jiǎn)化組件設(shè)計(jì)（例如，集成 RAM 可以降低某些組件成本或節(jié)省空間以實(shí)現(xiàn)更小的設(shè)備設(shè)計(jì)）來(lái)平衡這一成本。

• 軟件與用例創(chuàng)新： 硬件的進(jìn)步往往能帶來(lái)新的軟件功能。憑借 2nm 工藝和多芯片設(shè)計(jì)，蘋(píng)果可以在 iPhone 上推出更多 AR 功能 ，因?yàn)樾酒軌騽偃芜@些任務(wù)。我們可能會(huì)看到更多設(shè)備端基礎(chǔ)模型 （大型 AI 模型）的應(yīng)用，例如個(gè)人語(yǔ)音合成、離線工作的智能助手，或通過(guò)神經(jīng)引擎增強(qiáng)的高級(jí)健康與生物特征處理。在 Mac 上，開(kāi)發(fā)者可能會(huì)利用額外的 GPU 和神經(jīng)引擎性能來(lái)支持專業(yè)應(yīng)用（視頻編輯、3D 渲染、AI 開(kāi)發(fā)）——延續(xù)了蘋(píng)果硅 Mac 在視頻轉(zhuǎn)碼等任務(wù)上因?qū)Ｓ糜布憩F(xiàn)優(yōu)異的趨勢(shì)。本質(zhì)上，隨著蘋(píng)果提升硅技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用開(kāi)發(fā)者和游戲開(kāi)發(fā)者可以設(shè)計(jì)出對(duì)早期芯片來(lái)說(shuō)過(guò)于苛刻的體驗(yàn)，并確信新設(shè)備能夠勝任。

• 行業(yè)整體轉(zhuǎn)變： 蘋(píng)果在高容量消費(fèi)設(shè)備中采用 WMCM 封裝可能會(huì)促使整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)加大對(duì)這類技術(shù)的投資。臺(tái)積電創(chuàng)建專用 WMCM 線路是證據(jù)，他們預(yù)計(jì)會(huì)有更多客戶跟隨蘋(píng)果的領(lǐng)導(dǎo)。幾年后，"芯片上系統(tǒng)"的概念可能會(huì)演變成"封裝上系統(tǒng)"，其中多個(gè)小型芯片（可能來(lái)自不同的工藝節(jié)點(diǎn)甚至不同的晶圓廠）被無(wú)縫集成。蘋(píng)果在移動(dòng) SoC 領(lǐng)域處于這一趨勢(shì)的前沿。這也可能使存儲(chǔ)器和邏輯之間的界限變得模糊——一些人稱之為 "多芯片模塊"，其他人則稱其為更大的 SoC——但很清楚，隨著傳統(tǒng)的摩爾定律擴(kuò)展放緩，將更多內(nèi)容集成到封裝中是前進(jìn)的方向。

結(jié)論：芯片新時(shí)代即將到來(lái)

2026 年，蘋(píng)果的硅策略將迎來(lái)一個(gè)戲劇性的展示：全球首款 2 納米芯片將廣泛面向消費(fèi)者，從你的手機(jī)到你的筆記本電腦再到你的 AR 頭顯，都將由其驅(qū)動(dòng)。通過(guò)掌握臺(tái)積電 2 納米工藝的先機(jī)，并開(kāi)創(chuàng)先進(jìn)的多芯片封裝技術(shù)，蘋(píng)果不僅致力于提供更快、更高效的設(shè)備——它正在重新定義芯片的設(shè)計(jì)和集成方式。iPhone 18 中的 A20 和下一代 Mac 中的 M6 將體現(xiàn)這種融合尖端制造與巧妙架構(gòu)的新型芯片設(shè)計(jì)范式。

競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手并非停滯不前，技術(shù)對(duì)決的舞臺(tái)已經(jīng)搭建： 英特爾和 AMD 將推出采用類似微小晶體管的 PC 芯片，而高通、三星和聯(lián)發(fā)科將推動(dòng)智能手機(jī)芯片達(dá)到新的高度。對(duì)于消費(fèi)者而言，這場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)是大贏家——這意味著本世紀(jì)下半葉每一代設(shè)備都將顯著更強(qiáng)大。我們能看到能處理主機(jī)級(jí)游戲、無(wú)需云服務(wù)器即可完成以往需要云端處理的 AI 任務(wù)的手機(jī)，能輕松在電池供電下渲染復(fù)雜 3D 場(chǎng)景的筆記本電腦，以及全天舒適且提供豐富混合現(xiàn)實(shí)體驗(yàn)的穿戴設(shè)備。

蘋(píng)果在 2 納米和先進(jìn)封裝方面的策略將受到整個(gè)科技界密切關(guān)注。如果成功，它將延長(zhǎng)蘋(píng)果在硬件和軟件緊密集成方面的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì) （這種整體優(yōu)化使其產(chǎn)品極具吸引力）。它甚至可能開(kāi)辟新的產(chǎn)品類別——例如，當(dāng)您可以在輕巧的框架中放置一個(gè)強(qiáng)大、高效的芯片和片上內(nèi)存時(shí)，超緊湊的蘋(píng)果眼鏡可能會(huì)變得可行。未來(lái)幾年無(wú)疑將帶來(lái)芯片制造商關(guān)于他們“納米”成就和封裝突破的一波發(fā)布。但就目前而言，蘋(píng)果 2026 年的路線圖表明它決心保持硅技術(shù)的最前沿。2 納米時(shí)代即將到來(lái)，蘋(píng)果正準(zhǔn)備通過(guò)一個(gè)微小的晶體管（和一次巨大的飛躍）來(lái)開(kāi)啟它。