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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 性能

          性能 文章 最新資訊

          為什么選擇 PCIe 5.0 來(lái)滿足邊緣的功耗、性能和帶寬?

          • 關(guān)鍵PCIe 5.0 仍然是當(dāng)今大多數(shù)應(yīng)用的實(shí)用選擇,允許從 PCIe 4.0 遷移,并且僅在絕對(duì)必要時(shí)遷移到 PCIe 6.0。邊緣人工智能正在推動(dòng)技術(shù)的重大變革,預(yù)計(jì)到 2027-2028 年,50% 的數(shù)據(jù)中心容量將由人工智能驅(qū)動(dòng),這使得 PCIe 5.0 的高帶寬和低延遲至關(guān)重要。PCIe 5.0 為各種應(yīng)用提供了靈活性,平衡了功耗、性能、面積和延遲權(quán)衡,這對(duì)于汽車和高性能計(jì)算等行業(yè)至關(guān)重要。低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)對(duì)于邊緣設(shè)備和節(jié)能系統(tǒng)都至關(guān)重要,PCIe 5.0 支持各種電源狀態(tài),以減少能耗,同時(shí)保持性
          • 關(guān)鍵字: PCIe 5.0  功耗  性能  帶寬  

          聯(lián)發(fā)科技開發(fā)采用臺(tái)積電 2nm 工藝的芯片,實(shí)現(xiàn)性能和能效的里程碑

          • 無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體設(shè)計(jì)領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者聯(lián)發(fā)科宣布與臺(tái)積電合作取得突破性成就。該公司已成功開發(fā)出采用臺(tái)積電尖端 2nm 工藝技術(shù)的旗艦片上系統(tǒng) (SoC),計(jì)劃于 2026 年底量產(chǎn)。這一里程碑加強(qiáng)了聯(lián)發(fā)科和臺(tái)積電之間的長(zhǎng)期合作,臺(tái)積電始終如一地為旗艦移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算、汽車、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用提供高性能、高能效的芯片組。臺(tái)積電的2nm制程技術(shù)引入了納米片晶體管結(jié)構(gòu),這是半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的重大飛躍。這種創(chuàng)新架構(gòu)可以顯著提高性能和能效,為先進(jìn)芯片組樹立新標(biāo)準(zhǔn)。聯(lián)發(fā)科首款基于 2nm 的芯片組預(yù)計(jì)將于 2026 年底首次亮相,將
          • 關(guān)鍵字: 聯(lián)發(fā)科技  臺(tái)積電  2nm  性能  能效  

          Intel 18A制程技術(shù)細(xì)節(jié)曝光:性能與密度全面提升

          • 據(jù)報(bào)道,在2025年英特爾代工大會(huì)及VLSI研討會(huì)上,英特爾進(jìn)一步公布了其最新一代Intel 18A制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。Intel 18A采用了RibbonFET環(huán)繞柵極晶體管(GAA)技術(shù),相比FinFET技術(shù)實(shí)現(xiàn)了重大突破。這一技術(shù)不僅提升了柵極靜電性能,還顯著降低了寄生電容,提高了設(shè)計(jì)靈活性。同時(shí),Intel 18A率先引入了PowerVia背面供電技術(shù),該技術(shù)將單元密度和利用率提升了5%-10%,并顯著降低了供電電阻,使ISO功率性能提升4%。與Intel 3工藝節(jié)點(diǎn)相比,Intel 18A的每瓦性能
          • 關(guān)鍵字: Intel 18A  制程技術(shù)  性能  密度  

          提高傳感器性能的簡(jiǎn)單方法有哪些?

          • 雖然通常不可能提高傳感器的實(shí)際性能,但通過(guò)適當(dāng)?shù)倪x擇、系統(tǒng)設(shè)計(jì)和集成,在系統(tǒng)級(jí)別提高傳感器性能是非??赡艿摹?捎糜趥鞲衅餍阅軆?yōu)化的工具包括選擇、放置、作和信號(hào)調(diào)節(jié)/處理。首先選擇具有適當(dāng)范圍、分辨率、靈敏度、精度、響應(yīng)時(shí)間和其他性能規(guī)格的傳感器。在設(shè)計(jì)過(guò)程中,盡量減少/管理噪聲和干擾源。到達(dá)現(xiàn)場(chǎng)后,定期校準(zhǔn)可能很重要。傳感器性能支柱與優(yōu)化傳感器系統(tǒng)作相關(guān)的挑戰(zhàn)可能很復(fù)雜,但可以分為四個(gè)主要考慮因素:選擇、放置、作和數(shù)據(jù)處理(圖 1)。優(yōu)化每個(gè)性能支柱可以通過(guò)回答一系列五個(gè)問(wèn)題來(lái)設(shè)想:目標(biāo)是什么?為什么測(cè)量
          • 關(guān)鍵字: 傳感器  性能  

          混合動(dòng)力汽車也是超級(jí)跑車:強(qiáng)調(diào)性能,而不是里程

          • 除了有四個(gè)輪子之外,很難看出 30,000 美元的豐田凱美瑞與 300 萬(wàn)美元的法拉利 F80 有什么共同之處。但這些市場(chǎng)擋是一場(chǎng)不為人知的技術(shù)革命的例子。從經(jīng)濟(jì)型交通工具到超級(jí)跑車,每類內(nèi)燃機(jī)汽車現(xiàn)在都在利用混合動(dòng)力技術(shù)。在“隨著電動(dòng)汽車銷售停滯不前,插電式混合動(dòng)力車重新啟動(dòng)”中,我描述了這一新混合動(dòng)力熱潮的先鋒:增程式電動(dòng)汽車,如 2025 Ram 1500 Ramcharger,其續(xù)航里程超過(guò) 1,000 公里。世界領(lǐng)先的高性能品牌也在采用混合動(dòng)力電動(dòng)汽車技術(shù),這不僅是為了減少排放或提高效率,還因?yàn)?/li>
          • 關(guān)鍵字: 混合動(dòng)力汽車  超級(jí)跑車  性能  里程  

          英偉達(dá)H20現(xiàn)身基準(zhǔn)測(cè)試:內(nèi)核數(shù)量相比H100減少41%,性能降低28%

          • 去年英偉達(dá)為了適應(yīng)美國(guó)政府對(duì)尖端人工智能(AI)芯片新的出口管制,推出中國(guó)特供版的H20計(jì)算卡,基于Hopper架構(gòu)打造,取代了以往銷售的A800和H800。雖然性能有不小的下降,但是可以滿足部分客戶的使用需求,而英偉達(dá)也獲得了更多的收益。至于H20和全球范圍內(nèi)熱賣的H100之間規(guī)格有多大差異,具體性能差多少,英偉達(dá)并沒(méi)有透露。據(jù)Wccftech報(bào)道,H20現(xiàn)身Geekbench 6數(shù)據(jù)庫(kù),顯示其配備了78組SM。搭載GH100芯片完整的配置為144組SM,不過(guò)實(shí)際的H100產(chǎn)品中沒(méi)有全部打開,其
          • 關(guān)鍵字: 英偉達(dá)  H20  基準(zhǔn)測(cè)試  內(nèi)核  性能  

          世界最慢的PC誕生 單核跑分不到13900K的百分之一

          • 電腦裝機(jī),大部分人的訴求是預(yù)算一定的情況下,性能越快越好,然而現(xiàn)在有人反其道行之,裝出來(lái)一套世界最慢的PC電腦,R15單核跑分只有17分,這個(gè)性能連酷睿i9-13900K的百分之一都沒(méi)有。這臺(tái)最慢PC是PCWorld 執(zhí)行編輯 Gordon Mah Ung搞出來(lái)的,雖然是追求最差性能,但他使用的配件并非很古老的,而是一些很奇特甚至口碑不好的,比如電源是Gigabyte P750GM,以容易爆炸著稱。主板是少見的BTX規(guī)格,來(lái)自戴爾臺(tái)式機(jī),處理器是賽揚(yáng)D,由于散熱器太過(guò)巨大,以致于顯卡都沒(méi)法安裝,F(xiàn)ury
          • 關(guān)鍵字: PC  性能  

          代工價(jià)格高達(dá)14萬(wàn)元 臺(tái)積電3nm真實(shí)性能大縮水:僅比5nm好了5%

          • 臺(tái)積電當(dāng)前量產(chǎn)最先進(jìn)的工藝是5nm及改進(jìn)版的4nm,3nm工藝因?yàn)榉N種原因一直推遲,9月份就說(shuō)量產(chǎn)了,又說(shuō)年底量產(chǎn),不過(guò)這個(gè)月就算量產(chǎn),真正放量也要到明年了。根據(jù)臺(tái)積電之前的消息,3nm節(jié)點(diǎn)上至少有5代衍生版工藝,分別是N3、N3P、N3S、N3X及N3E,其中N3工藝是最早量產(chǎn)的,但是這版工藝遭到客戶棄用,很大可能就放棄了,明年直接上N3E工藝。對(duì)比N5工藝,N3功耗可降低約25-30%,性能可提升10-15%,晶體管密度提升約70%。N3E在N3的基礎(chǔ)上提升性能、降低功耗、擴(kuò)大應(yīng)用范圍,對(duì)比N5同等性
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  3nm  性能  

          小米10 Pro穩(wěn)定版推送升級(jí)GPU驅(qū)動(dòng)版本 張國(guó)全:性能大幅提升

          • 據(jù)悉,小米手機(jī)系統(tǒng)軟件部總監(jiān)張國(guó)全提醒米10 Pro用戶:小米10 Pro穩(wěn)定版開始推送升級(jí)。
          • 關(guān)鍵字: 小米10 Pro  GPU  性能  

          車輛性能試驗(yàn)用簡(jiǎn)易太陽(yáng)模擬器的研制

          • 太陽(yáng)輻射模擬設(shè)備可以用于試驗(yàn)各種材料,如有機(jī)合成材料的抗太陽(yáng)輻射能力;用于試驗(yàn)太陽(yáng)能集熱器的性能;用于照射植物生長(zhǎng)的人工太陽(yáng)房[1-2]。歐美國(guó)家
          • 關(guān)鍵字: 性能  模擬  

          提高DSP代碼運(yùn)行性能的研究

          • 提高DSP代碼運(yùn)行性能的研究,1 引言
            隨著微控制器技術(shù)的發(fā)展,以TI公司TMS320C2000系列為代表的DCS型數(shù)字信號(hào)處理器DSP應(yīng)用廣泛。該類型DSP內(nèi)部集成Flash存儲(chǔ)器,可將二進(jìn)制代碼同化到其內(nèi)部的Flash存儲(chǔ)器直接運(yùn)行。這種運(yùn)行方式在傳統(tǒng)嵌入
          • 關(guān)鍵字: DSP  代碼  運(yùn)行  性能  

          討論差分信號(hào)鏈在3G和4G無(wú)線應(yīng)用中的性能和優(yōu)點(diǎn)

          • 通信系統(tǒng)設(shè)計(jì)的主要挑戰(zhàn)之一是如何成功捕獲高保真度信號(hào)。為了避免強(qiáng)干擾效應(yīng)、信號(hào)失真和靈敏度降低,蜂窩通信系統(tǒng)必須滿足蜂窩標(biāo)準(zhǔn)的嚴(yán)格要求,比如
          • 關(guān)鍵字: 差分信號(hào)鏈  無(wú)線應(yīng)用  性能  

          妙用\"虛擬遠(yuǎn)端采樣\"改善負(fù)載調(diào)節(jié)性能(二)

          • 改良工業(yè)應(yīng)用VRS 還可以用來(lái)簡(jiǎn)化工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)改良。例如,一對(duì)電源線可用于新設(shè)備,但是負(fù)載端調(diào)節(jié)不符合設(shè)備規(guī)范要求。這時(shí)VRS可以非常容易地用來(lái)控
          • 關(guān)鍵字: 虛擬  采樣  負(fù)載調(diào)節(jié)  性能  

          妙用\"虛擬遠(yuǎn)端采樣\"改善負(fù)載調(diào)節(jié)性能(一)

          • 當(dāng)電源和負(fù)載之間存在較大壓降時(shí),準(zhǔn)確調(diào)節(jié)負(fù)載電壓可能很難。即使穩(wěn)壓器在自己的輸出端產(chǎn)生非常穩(wěn)定的電壓,負(fù)載電流的變化也會(huì)影響沿導(dǎo)線產(chǎn)生的IR壓
          • 關(guān)鍵字: 虛擬  采樣  負(fù)載調(diào)節(jié)  性能  

          LED驅(qū)動(dòng)電源綜合性能比較

          • 作為一名LED驅(qū)動(dòng)電源研發(fā)工程師,在平時(shí)的工作中,你更喜歡線性電源還是阻容降壓電源呢?這兩種LED電源的綜合性能究竟誰(shuí)更勝一籌呢?在今天的文章中,我
          • 關(guān)鍵字: LED  驅(qū)動(dòng)電源  性能  
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          性能介紹

          性能-介紹 作為中藥學(xué)術(shù)語(yǔ)應(yīng)用時(shí),泛指藥物的四氣、五味、歸經(jīng)、升降沉浮、補(bǔ)瀉等特性和功能。 [ 查看詳細(xì) ]

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