ddr5 dram 文章 最新資訊
為什么存內(nèi)計(jì)算對邊緣AI如此重要
- 在流行媒體中，“AI”通常意味著在昂貴、耗電的數(shù)據(jù)中心中運(yùn)行的大型語言模型。但是，對于許多應(yīng)用程序，在本地硬件上運(yùn)行的較小模型更適合。自動(dòng)駕駛汽車需要實(shí)時(shí)響應(yīng)，沒有數(shù)據(jù)傳輸延遲。醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用通常依賴于無法與第三方共享的敏感數(shù)據(jù)。但是，盡管邊緣 AI 應(yīng)用程序可以更快、更安全，但它們的計(jì)算資源要有限得多。它們沒有 TB 內(nèi)存占用或有效無限的功率。對于數(shù)據(jù)中心來說，可能有些抽象的約束對邊緣人工智能施加了硬性限制。在 2025 年 IEEE 國際內(nèi)存研討會(huì)的一篇特邀論文和隨后的預(yù)印本中，ETH 計(jì)算機(jī)科學(xué)教授
- 關(guān)鍵字： 存內(nèi)計(jì)算 邊緣AI DRAM
美光正式送樣業(yè)界高容量 SOCAMM2 模組，滿足 AI 數(shù)據(jù)中心對低功耗 DRAM 的需求
- 2025年 10 月 23 日，愛達(dá)荷州博伊西市 — 在當(dāng)今時(shí)代，人工智能（AI）實(shí)現(xiàn)了前所未有的創(chuàng)新和發(fā)展，整個(gè)數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)正在向更節(jié)能的基礎(chǔ)設(shè)施轉(zhuǎn)型，以支持可持續(xù)增長。隨著內(nèi)存在 AI 系統(tǒng)中逐漸發(fā)揮越來越重要的作用，低功耗內(nèi)存解決方案已成為這一轉(zhuǎn)型的核心。美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布其 192GB SOCAMM2（small outline compression attached memory modules，小型壓縮附加內(nèi)存模塊）已正式送樣，以積極拓展低功耗內(nèi)存在
- 關(guān)鍵字： 美光 SOCAMM2 DRAM
DRAM老三SK的大逆襲！專家揭稱霸全球關(guān)鍵技術(shù)
- 在人工智能（AI）熱潮帶動(dòng)下，全球存儲(chǔ)器市場迎來三年來最強(qiáng)勁的復(fù)蘇，第四季DRAM報(bào)價(jià)漲幅可望擴(kuò)大至三成以上。 財(cái)信傳媒董事長謝金河指出，韓國SK海力士憑借高帶寬記憶體（HBM）技術(shù)脫穎而出，從過去的DRAM老三躍升為全球第一，今年股價(jià)狂飆近500%，且海力士專注于高階制程，不僅拉高產(chǎn)品附加價(jià)值，也導(dǎo)致DDR4與DDR5大缺貨，同時(shí)帶旺整個(gè)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)。謝金河在臉書發(fā)文指出，韓國是今年全亞洲表現(xiàn)最亮眼的股市，尤其自總統(tǒng)李在明上任后，韓股從2284.71點(diǎn)一路漲到3617.86點(diǎn)，漲幅高達(dá)58.35%。 這波
- 關(guān)鍵字： DRAM SK海力士
內(nèi)存模組廠十一長假大蓋牌！ 消費(fèi)性DRAM暫停報(bào)價(jià)
- DRAM缺貨潮加速顯現(xiàn)，在中國十一長假期間，存儲(chǔ)器市場詢單備貨的動(dòng)能不增反減，短期內(nèi)現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)飆升。近一周來，DDR4 DRAM漲幅已逾1成，DDR5 16Gb也調(diào)漲約8%。 盡管終端消費(fèi)市場需求平淡，但各家存儲(chǔ)器模組廠觀察到市場價(jià)格漲勢兇猛，包括臺(tái)系業(yè)者的威剛、十銓、宇瞻等先后均「蓋牌」暫停報(bào)價(jià)，等待長假結(jié)束后更明確的漲價(jià)行情。 據(jù)悉，此波暫停報(bào)價(jià)儼然已形成了連鎖效應(yīng)，威剛率先從上周實(shí)施暫停報(bào)價(jià)，以缺貨最為嚴(yán)重的DDR4、DDR5為主，而NAND Flash、固態(tài)硬盤（SSD）等產(chǎn)品仍維持繼
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存模組 DRAM
因涉嫌向中國泄露DRAM技術(shù)被捕的三星、海力士前高管獲保釋
- 據(jù)悉，三星電子和海力士半導(dǎo)體（現(xiàn)SK海力士）前高管崔振錫因向中國泄露三星電子自主研發(fā)的投資4萬億韓元的DRAM工藝技術(shù)而被起訴，在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級法官）15日批準(zhǔn)崔某保釋。崔于去年9月因違反《防止泄露和保護(hù)工業(yè)技術(shù)法》等罪名被捕起訴，并于今年3月被額外起訴。根據(jù)《刑事訴訟法》，一審拘留期為六個(gè)月。法院在拘留期屆滿前依職權(quán)準(zhǔn)予保釋。此外，據(jù)報(bào)道，與崔一起被捕并被起訴的前三星電子高級研究員吳氏已于 8 月 28 日被保釋。吳某于同月21日申請保釋，法院受理。
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星 海力士
三大存儲(chǔ)器巨頭正在投資1c DRAM，瞄準(zhǔn)AI和HBM市場
- 各大存儲(chǔ)器企業(yè)正專注于1c DRAM量產(chǎn)的新投資和轉(zhuǎn)換投資。主要內(nèi)存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設(shè)量產(chǎn)線，據(jù)報(bào)道，SK海力士正在討論其近期轉(zhuǎn)型投資的具體計(jì)劃。美光本月還獲得了日本政府的補(bǔ)貼，用于其新的 1c DRAM 設(shè)施。1c DRAM是各大內(nèi)存公司計(jì)劃在今年下半年量產(chǎn)的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內(nèi)存）中主動(dòng)采用 6c DRAM。SK海力士和美光計(jì)劃在包括服務(wù)器在內(nèi)的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 1c DRAM AI HBM 三星 SK海力士 美光
美光恢復(fù)報(bào)價(jià)全面調(diào)漲 DDR5漲勢兇猛試探市場水溫
- AI帶動(dòng)存儲(chǔ)器市況快速回溫，內(nèi)存大廠美光（Micron）日前曾暫停報(bào)價(jià)，隨著財(cái)報(bào)公布后，已恢復(fù)對外報(bào)價(jià)，DRAM及NAND Flash雙雙應(yīng)聲上漲，除了即將停產(chǎn)的DDR4供應(yīng)稀缺下，漲幅最高超過2成，DDR5也呈現(xiàn)強(qiáng)勁漲勢。 供應(yīng)鏈指出，近期云端服務(wù)（CSP）客戶搶貨積極，帶動(dòng)服務(wù)器相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格明顯反彈，若終端報(bào)價(jià)調(diào)漲一舉成功，上游內(nèi)存顆粒第4季價(jià)格也將順應(yīng)接受調(diào)漲。美光執(zhí)行副總裁暨業(yè)務(wù)執(zhí)行長Sumit Sadana在財(cái)報(bào)會(huì)議后指出，對于2025年會(huì)計(jì)年度的營運(yùn)成果感到非常振奮，不僅營收成長了將近50%，
- 關(guān)鍵字： 美光 調(diào)漲 DDR5
SK 海力士據(jù)報(bào)道與客戶協(xié)商價(jià)格調(diào)整，跟隨美光和三星
- 存儲(chǔ)巨頭們正準(zhǔn)備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價(jià)。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據(jù) SeDaily 和 Business Korea 報(bào)道，正與客戶協(xié)商根據(jù)市場條件調(diào)整價(jià)格。在三大巨頭中，美光是第一個(gè)宣布提價(jià)的，據(jù) EE Times China9 月 12 日報(bào)道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價(jià)格將上漲 20%-30%，提價(jià)不僅涉及消費(fèi)級和工業(yè)級存儲(chǔ)，還包括汽車電子，后者的價(jià)格漲幅可能達(dá)到 70%。行業(yè)消息來源還表
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND 三星 AI 海力士
存儲(chǔ)器行情來得又急又快 DRAM報(bào)價(jià)10月看漲雙位數(shù)
- 全球存儲(chǔ)器市場在生成式AI與大型云端服務(wù)商（CSP）急單帶動(dòng)下，正式進(jìn)入新一輪長線上行。 隨著業(yè)界開始惜售，業(yè)者預(yù)期，10月DDR4與DDR5合約價(jià)及現(xiàn)貨價(jià)，皆將出現(xiàn)雙位數(shù)漲幅。產(chǎn)業(yè)界大老指出，這一波內(nèi)存行情漲得又快又急，可望一路延續(xù)到2026年底。根據(jù)業(yè)界對10月漲幅最新預(yù)估，DDR5合約價(jià)將上漲10~15%，現(xiàn)貨價(jià)漲15~25%; DDR4合約價(jià)將上漲逾10%，現(xiàn)貨價(jià)漲幅則超過15%，隨著市場供貨趨緊，現(xiàn)貨價(jià)漲幅還有進(jìn)一步拉升的可能。業(yè)者分析，此波漲幅的原因有二：一是AI應(yīng)用與儲(chǔ)存需求強(qiáng)勁，推升NAN
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM
國產(chǎn)廠商切入下一代存儲(chǔ)技術(shù)：3D DRAM
- 隨著 ChatGPT 等人工智能應(yīng)用的爆發(fā)式增長，全球?qū)λ懔Φ男枨笳灾笖?shù)級態(tài)勢攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強(qiáng)勁的計(jì)算芯片，更離不開高性能內(nèi)存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內(nèi)存已難以滿足 AI 芯片對數(shù)據(jù)傳輸速度的要求，而高帶寬內(nèi)存（HBM）憑借創(chuàng)新的堆疊設(shè)計(jì)，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制這三大關(guān)鍵難題，為 AI 應(yīng)用的高效運(yùn)行提供了重要支撐。但如今，傳統(tǒng) HBM 已經(jīng)受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時(shí)還能進(jìn)一步優(yōu)化功耗表現(xiàn)，全球的存儲(chǔ)廠商也普遍將 3D
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM
2025年第二季度DRAM營收增長，SK海力士蟬聯(lián)第一
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2025年第二季度，全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收達(dá)到316.3億美元，相比第一季度增長了17.1%。這一增長主要得益于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價(jià)的上漲以及出貨量的顯著提升，同時(shí)HBM出貨規(guī)模的擴(kuò)大也起到了推動(dòng)作用。集邦咨詢分析稱，PC OEM、智能手機(jī)以及CSP廠商的采購需求逐步回升，推動(dòng)DRAM原廠加速去庫存化，多數(shù)產(chǎn)品的合約價(jià)已止跌回升。在廠商排名方面，SK海力士、三星和美光繼續(xù)穩(wěn)居前三。三星在第二季度的表現(xiàn)相對平穩(wěn)，其售價(jià)和位元出貨量均
- 關(guān)鍵字： DRAM SK海力士
內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴
- 根據(jù) ZDNet 的報(bào)道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先，但它仍然嚴(yán)重依賴日本的關(guān)鍵材料。該報(bào)告援引消息人士的話警告說，除非本地化進(jìn)程更快地推進(jìn)，否則這種依賴可能會(huì)成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結(jié)構(gòu)性風(fēng)險(xiǎn)。報(bào)告指出，在 SK 海力士的 HBM 價(jià)值鏈中，超細(xì) TSV（硅通孔）堆疊結(jié)構(gòu)依賴于由日本公司主要壟斷的關(guān)鍵材料和設(shè)備。報(bào)告強(qiáng)調(diào)，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進(jìn)展緩慢。此外，SK
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 NAND DRAM
實(shí)現(xiàn)120層堆疊，下一代3D DRAM將問世
- 高密度 3D DRAM 可能即將到來。
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM
2025年第二季度全球DRAM市場分析
- 在AI需求爆發(fā)與高價(jià)值產(chǎn)品滲透的雙重推動(dòng)下，2025年第二季度全球DRAM市場實(shí)現(xiàn)量價(jià)齊升。根據(jù)CFMS最新數(shù)據(jù)，二季度市場規(guī)模環(huán)比增長20%至321.01億美元，同比增長37%，創(chuàng)歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發(fā)優(yōu)勢，二季度DRAM銷售收入達(dá)122.71億美元，環(huán)比增長25.1%，市場份額提升至38.2%，連續(xù)第二個(gè)季度穩(wěn)居全球第一，并進(jìn)一步拉開與三星的差距?！?三星以107.58億美元收入位列第二，環(huán)比增長13%，市場份額33.5%；· 美光科技收入70.71億
- 關(guān)鍵字： DRAM SK海力士 三星 美光 HBM
ddr5 dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
ddr5 dram相關(guān)帖子
ddr5 dram資料下載
ddr5 dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473