2025年 10 月 23 日，愛達(dá)荷州博伊西市 — 在當(dāng)今時代，人工智能（AI）實(shí)現(xiàn)了前所未有的創(chuàng)新和發(fā)展，整個數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)正在向更節(jié)能的基礎(chǔ)設(shè)施轉(zhuǎn)型，以支持可持續(xù)增長。隨著內(nèi)存在 AI 系統(tǒng)中逐漸發(fā)揮越來越重要的作用，低功耗內(nèi)存解決方案已成為這一轉(zhuǎn)型的核心。美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布其 192GB SOCAMM2（small outline compression attached memory modules，小型壓縮附加內(nèi)存模塊）已正式送樣，以積極拓展低功耗內(nèi)存在 AI 數(shù)據(jù)中心的廣泛應(yīng)用。2025 年 3 月，美光發(fā)布了業(yè)界首款 LPDRAM SOCAMM，而新一代 SOCAMM2 則在此基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了功能的進(jìn)一步拓展，在相同的規(guī)格尺寸中實(shí)現(xiàn) 50% 的容量提升，增加的容量可以將實(shí)時推理工作負(fù)載中首個 token 生成時間（TTFT）顯著縮短 80% 以上^[1]。192GB SOCAMM2 采用美光領(lǐng)先的 1-gamma DRAM 制程技術(shù)，能效提高 20% 以上^[2]，有助于實(shí)現(xiàn)大型數(shù)據(jù)中心集群的電源設(shè)計(jì)優(yōu)化。這一能效提升在全機(jī)架 AI 安裝中尤為顯著，可配置超過 40TB 的 CPU 附加低功耗 DRAM 主存儲^[3]。SOCAMM2 的模塊化設(shè)計(jì)提升了可維護(hù)性，并為未來的容量擴(kuò)展奠定了基礎(chǔ)。

基于與 NVIDIA 的五年合作，美光率先將低功耗服務(wù)器內(nèi)存引入數(shù)據(jù)中心使用。SOCAMM2 為 AI 系統(tǒng)的主存儲帶來了 LPDDR5X 超低功耗和高帶寬的內(nèi)在優(yōu)勢。SOCAMM2 的設(shè)計(jì)旨在滿足大規(guī)模 AI 平臺不斷擴(kuò)展的需求，提供 AI 工作負(fù)載所需的高數(shù)據(jù)吞吐量，同時實(shí)現(xiàn)新的能效水平，并為 AI 訓(xùn)練和推理系統(tǒng)設(shè)定新標(biāo)準(zhǔn)。這些優(yōu)勢的結(jié)合將使 SOCAMM2 成為未來幾年業(yè)界領(lǐng)先 AI 平臺的關(guān)鍵內(nèi)存解決方案。

美光資深副總裁暨云端內(nèi)存事業(yè)部總經(jīng)理 Raj Narasimhan 表示：“隨著 AI 工作負(fù)載變得更加復(fù)雜而嚴(yán)苛，數(shù)據(jù)中心服務(wù)器必須提升效率，為每瓦特的功率提供更多 tokens。憑借在低功耗 DRAM 領(lǐng)域公認(rèn)的領(lǐng)先地位，美光能確保我們的 SOCAMM2 模塊提供所需的數(shù)據(jù)吞吐量、能效、容量和數(shù)據(jù)中心級別的品質(zhì)，這些對于驅(qū)動下一代 AI 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器至關(guān)重要?！?/span>

通過專門的設(shè)計(jì)功能和增強(qiáng)測試，美光 SOCAMM2 產(chǎn)品從最初為手機(jī)設(shè)計(jì)的低功耗 DRAM 升級為數(shù)據(jù)中心級解決方案。多年來，美光在高質(zhì)量數(shù)據(jù)中心 DDR 內(nèi)存方面的豐富經(jīng)驗(yàn)，使 SOCAMM2 具備滿足數(shù)據(jù)中心高標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用所需的質(zhì)量與可靠性。

與同等能效的 RDIMM 相比，SOCAMM2 模塊的能效提高了三分之二以上^[4]，同時將其性能封裝到三分之一大小的模塊中^[5]，不僅優(yōu)化了數(shù)據(jù)中心占地面積，還最大限度地提高了容量和帶寬。SOCAMM 的模塊化設(shè)計(jì)和創(chuàng)新的堆疊技術(shù)提高了可維護(hù)性，并有助于液冷服務(wù)器的設(shè)計(jì)。

美光一直是 JEDEC SOCAMM2 規(guī)范制定的積極參與者，并與行業(yè)合作伙伴密切合作，共同推動標(biāo)準(zhǔn)演進(jìn)，加快 AI 數(shù)據(jù)中心的低功耗應(yīng)用，以助力整個行業(yè)的能效提升。目前，SOCAMM2 樣品已送樣客戶，單一模組容量高達(dá) 192GB，速率達(dá) 9.6 Gbps，后續(xù)量產(chǎn)作業(yè)將配合客戶的產(chǎn)品推出日程規(guī)劃。

[1] 經(jīng)美光內(nèi)部測試驗(yàn)證的性能提升：使用 LMCache GH200 NVL2 平臺（288GB HBM3E + 1TB LPDDR5x）上的 Llama 3 70B 模型進(jìn)行推斷，OSL=128。

[2] 與美光的上一代 LPDDR5X 相比。

[3] 內(nèi)存容量基于 NVL144 機(jī)架系統(tǒng)，每個系統(tǒng)可為每 36 個 CPU 集成 6 個 192GB 的 SOCAMM2 模組。

[4] 與兩個 128GB、128 位總線寬度的 DDR5 RDIMM 模組相比，基于一個 128GB、128 位總線寬度的 SOCAMM2 模組的功耗（瓦特）計(jì)算。

[5] 計(jì)算將 SOCAMM2 的面積（14 x 90mm）與標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)器 RDIMM 進(jìn)行對比。