3d dram 文章最新資訊

美光正式送樣業(yè)界高容量 SOCAMM2 模組，滿足 AI 數(shù)據(jù)中心對(duì)低功耗 DRAM 的需求

2025年 10 月 23 日，愛(ài)達(dá)荷州博伊西市 — 在當(dāng)今時(shí)代，人工智能（AI）實(shí)現(xiàn)了前所未有的創(chuàng)新和發(fā)展，整個(gè)數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)正在向更節(jié)能的基礎(chǔ)設(shè)施轉(zhuǎn)型，以支持可持續(xù)增長(zhǎng)。隨著內(nèi)存在 AI 系統(tǒng)中逐漸發(fā)揮越來(lái)越重要的作用，低功耗內(nèi)存解決方案已成為這一轉(zhuǎn)型的核心。美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布其 192GB SOCAMM2（small outline compression attached memory modules，小型壓縮附加內(nèi)存模塊）已正式送樣，以積極拓展低功耗內(nèi)存在
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DRAM老三SK的大逆襲！專(zhuān)家揭稱霸全球關(guān)鍵技術(shù)

在人工智能（AI）熱潮帶動(dòng)下，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)迎來(lái)三年來(lái)最強(qiáng)勁的復(fù)蘇，第四季DRAM報(bào)價(jià)漲幅可望擴(kuò)大至三成以上。財(cái)信傳媒董事長(zhǎng)謝金河指出，韓國(guó)SK海力士憑借高帶寬記憶體（HBM）技術(shù)脫穎而出，從過(guò)去的DRAM老三躍升為全球第一，今年股價(jià)狂飆近500%，且海力士專(zhuān)注于高階制程，不僅拉高產(chǎn)品附加價(jià)值，也導(dǎo)致DDR4與DDR5大缺貨，同時(shí)帶旺整個(gè)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)。謝金河在臉書(shū)發(fā)文指出，韓國(guó)是今年全亞洲表現(xiàn)最亮眼的股市，尤其自總統(tǒng)李在明上任后，韓股從2284.71點(diǎn)一路漲到3617.86點(diǎn)，漲幅高達(dá)58.35%。這波
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3D-IC將如何改變芯片設(shè)計(jì)

專(zhuān)家在座：半導(dǎo)體工程與西門(mén)子 EDA 產(chǎn)品管理高級(jí)總監(jiān) John Ferguson 坐下來(lái)討論 3D-IC 設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)以及堆疊芯片對(duì) EDA 工具和方法的影響;Mick Posner，Cadence 計(jì)算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級(jí)產(chǎn)品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費(fèi)薩爾;是德科技新機(jī)會(huì)業(yè)務(wù)經(jīng)理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺(tái)產(chǎn)品管理高級(jí)總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。本討論的第 1 部分在這里，第 2&
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內(nèi)存模組廠十一長(zhǎng)假大蓋牌！消費(fèi)性DRAM暫停報(bào)價(jià)

DRAM缺貨潮加速顯現(xiàn)，在中國(guó)十一長(zhǎng)假期間，存儲(chǔ)器市場(chǎng)詢單備貨的動(dòng)能不增反減，短期內(nèi)現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)飆升。近一周來(lái)，DDR4 DRAM漲幅已逾1成，DDR5 16Gb也調(diào)漲約8%。盡管終端消費(fèi)市場(chǎng)需求平淡，但各家存儲(chǔ)器模組廠觀察到市場(chǎng)價(jià)格漲勢(shì)兇猛，包括臺(tái)系業(yè)者的威剛、十銓、宇瞻等先后均「蓋牌」暫停報(bào)價(jià)，等待長(zhǎng)假結(jié)束后更明確的漲價(jià)行情。據(jù)悉，此波暫停報(bào)價(jià)儼然已形成了連鎖效應(yīng)，威剛率先從上周實(shí)施暫停報(bào)價(jià)，以缺貨最為嚴(yán)重的DDR4、DDR5為主，而NAND Flash、固態(tài)硬盤(pán)（SSD）等產(chǎn)品仍維持繼
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)全面完成股改，估值已超1600億元

總部位于武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技控股有限責(zé)任公司（長(zhǎng)存集團(tuán)）召開(kāi)股份公司成立大會(huì)并選舉首屆董事會(huì)，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤(rùn)研究院最新發(fā)布的《2025全球獨(dú)角獸榜》中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以1600億元估值首次入圍，位列中國(guó)十大獨(dú)角獸第9、全球第21，成為半導(dǎo)體行業(yè)估值最高的新晉獨(dú)角獸。根據(jù)公開(kāi)信息，2025年4月，養(yǎng)元飲品子公司泉泓、農(nóng)銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產(chǎn)、工融金投等15家機(jī)構(gòu)同步參與；7月，長(zhǎng)存集團(tuán)新增股東員工持股平臺(tái) —— 武漢市智芯計(jì)劃一號(hào)至六號(hào)企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），上述兩筆
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因涉嫌向中國(guó)泄露DRAM技術(shù)被捕的三星、海力士前高管獲保釋

據(jù)悉，三星電子和海力士半導(dǎo)體（現(xiàn)SK海力士）前高管崔振錫因向中國(guó)泄露三星電子自主研發(fā)的投資4萬(wàn)億韓元的DRAM工藝技術(shù)而被起訴，在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級(jí)法官）15日批準(zhǔn)崔某保釋。崔于去年9月因違反《防止泄露和保護(hù)工業(yè)技術(shù)法》等罪名被捕起訴，并于今年3月被額外起訴。根據(jù)《刑事訴訟法》，一審拘留期為六個(gè)月。法院在拘留期屆滿前依職權(quán)準(zhǔn)予保釋。此外，據(jù)報(bào)道，與崔一起被捕并被起訴的前三星電子高級(jí)研究員吳氏已于 8 月 28 日被保釋。吳某于同月21日申請(qǐng)保釋?zhuān)ㄔ菏芾怼?/li>
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三大存儲(chǔ)器巨頭正在投資1c DRAM，瞄準(zhǔn)AI和HBM市場(chǎng)

各大存儲(chǔ)器企業(yè)正專(zhuān)注于1c DRAM量產(chǎn)的新投資和轉(zhuǎn)換投資。主要內(nèi)存公司正在加快對(duì) 1c（第 6 代 10nm 級(jí)）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開(kāi)始建設(shè)量產(chǎn)線，據(jù)報(bào)道，SK海力士正在討論其近期轉(zhuǎn)型投資的具體計(jì)劃。美光本月還獲得了日本政府的補(bǔ)貼，用于其新的 1c DRAM 設(shè)施。1c DRAM是各大內(nèi)存公司計(jì)劃在今年下半年量產(chǎn)的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內(nèi)存）中主動(dòng)采用 6c DRAM。SK海力士和美光計(jì)劃在包括服務(wù)器在內(nèi)的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
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第一次深入真正的3D-IC設(shè)計(jì)

專(zhuān)家在座：半導(dǎo)體工程坐下來(lái)討論了對(duì) 3D-IC 的初步嘗試以及早期采用者將遇到的問(wèn)題，西門(mén)子 EDA 產(chǎn)品管理高級(jí)總監(jiān) John Ferguson;Mick Posner，Cadence 計(jì)算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級(jí)產(chǎn)品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費(fèi)薩爾;是德科技新機(jī)會(huì)業(yè)務(wù)經(jīng)理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺(tái)產(chǎn)品管理高級(jí)總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。從左到右：是德科技的 Mueth;Synopsys 的
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SK 海力士據(jù)報(bào)道與客戶協(xié)商價(jià)格調(diào)整，跟隨美光和三星

存儲(chǔ)巨頭們正準(zhǔn)備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價(jià)。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據(jù) SeDaily 和 Business Korea 報(bào)道，正與客戶協(xié)商根據(jù)市場(chǎng)條件調(diào)整價(jià)格。在三大巨頭中，美光是第一個(gè)宣布提價(jià)的，據(jù) EE Times China9 月 12 日?qǐng)?bào)道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價(jià)格將上漲 20%-30%，提價(jià)不僅涉及消費(fèi)級(jí)和工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)，還包括汽車(chē)電子，后者的價(jià)格漲幅可能達(dá)到 70%。行業(yè)消息來(lái)源還表
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存儲(chǔ)器行情來(lái)得又急又快 DRAM報(bào)價(jià)10月看漲雙位數(shù)

全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)在生成式AI與大型云端服務(wù)商（CSP）急單帶動(dòng)下，正式進(jìn)入新一輪長(zhǎng)線上行。隨著業(yè)界開(kāi)始惜售，業(yè)者預(yù)期，10月DDR4與DDR5合約價(jià)及現(xiàn)貨價(jià)，皆將出現(xiàn)雙位數(shù)漲幅。產(chǎn)業(yè)界大老指出，這一波內(nèi)存行情漲得又快又急，可望一路延續(xù)到2026年底。根據(jù)業(yè)界對(duì)10月漲幅最新預(yù)估，DDR5合約價(jià)將上漲10~15%，現(xiàn)貨價(jià)漲15~25%; DDR4合約價(jià)將上漲逾10%，現(xiàn)貨價(jià)漲幅則超過(guò)15%，隨著市場(chǎng)供貨趨緊，現(xiàn)貨價(jià)漲幅還有進(jìn)一步拉升的可能。業(yè)者分析，此波漲幅的原因有二：一是AI應(yīng)用與儲(chǔ)存需求強(qiáng)勁，推升NAN
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國(guó)產(chǎn)廠商切入下一代存儲(chǔ)技術(shù)：3D DRAM

隨著 ChatGPT 等人工智能應(yīng)用的爆發(fā)式增長(zhǎng)，全球?qū)λ懔Φ男枨笳灾笖?shù)級(jí)態(tài)勢(shì)攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強(qiáng)勁的計(jì)算芯片，更離不開(kāi)高性能內(nèi)存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內(nèi)存已難以滿足 AI 芯片對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度的要求，而高帶寬內(nèi)存（HBM）憑借創(chuàng)新的堆疊設(shè)計(jì)，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過(guò)高以及容量限制這三大關(guān)鍵難題，為 AI 應(yīng)用的高效運(yùn)行提供了重要支撐。但如今，傳統(tǒng) HBM 已經(jīng)受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時(shí)還能進(jìn)一步優(yōu)化功耗表現(xiàn)，全球的存儲(chǔ)廠商也普遍將 3D
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汽車(chē)應(yīng)用3D-IC：利用人工智能驅(qū)動(dòng)的EDA工具打破障礙

汽車(chē)行業(yè)正在經(jīng)歷重大變革，因?yàn)樗捎米詣?dòng)駕駛技術(shù)和超互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對(duì)緊湊型、高性能半導(dǎo)體解決方案的需求不斷增長(zhǎng)，這些解決方案能夠應(yīng)對(duì)日益復(fù)雜的現(xiàn)代汽車(chē)架構(gòu)。一項(xiàng)有前途的發(fā)展是三維集成電路（3D-IC），這是一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)方法，有可能重塑汽車(chē)市場(chǎng)。通過(guò)垂直堆疊多個(gè)芯片，3D-IC 提供卓越的性能、帶寬和能源效率，同時(shí)克服車(chē)輛系統(tǒng)的關(guān)鍵空間和熱限制。然而，盡管 3D-IC 具有潛力，但其設(shè)計(jì)和實(shí)施仍面臨重大挑戰(zhàn)。這就是人工智能驅(qū)動(dòng)的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具發(fā)揮至關(guān)重要作用
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2025年第二季度DRAM營(yíng)收增長(zhǎng)，SK海力士蟬聯(lián)第一

據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2025年第二季度，全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收達(dá)到316.3億美元，相比第一季度增長(zhǎng)了17.1%。這一增長(zhǎng)主要得益于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價(jià)的上漲以及出貨量的顯著提升，同時(shí)HBM出貨規(guī)模的擴(kuò)大也起到了推動(dòng)作用。集邦咨詢分析稱，PC OEM、智能手機(jī)以及CSP廠商的采購(gòu)需求逐步回升，推動(dòng)DRAM原廠加速去庫(kù)存化，多數(shù)產(chǎn)品的合約價(jià)已止跌回升。在廠商排名方面，SK海力士、三星和美光繼續(xù)穩(wěn)居前三。三星在第二季度的表現(xiàn)相對(duì)平穩(wěn)，其售價(jià)和位元出貨量均
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內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國(guó)對(duì)日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴

根據(jù) ZDNet 的報(bào)道，韓國(guó)可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先，但它仍然嚴(yán)重依賴日本的關(guān)鍵材料。該報(bào)告援引消息人士的話警告說(shuō)，除非本地化進(jìn)程更快地推進(jìn)，否則這種依賴可能會(huì)成為韓國(guó)在人工智能和 HBM 競(jìng)賽中的結(jié)構(gòu)性風(fēng)險(xiǎn)。報(bào)告指出，在 SK 海力士的 HBM 價(jià)值鏈中，超細(xì) TSV（硅通孔）堆疊結(jié)構(gòu)依賴于由日本公司主要壟斷的關(guān)鍵材料和設(shè)備。報(bào)告強(qiáng)調(diào)，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進(jìn)展緩慢。此外，SK
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