晶圓廠 文章 最新資訊
為什么半導體人不愿意進晶圓廠？
- 半導體行業(yè)作為現(xiàn)代最先進的科技領(lǐng)域，其工作往往待遇不菲。隨著國家和社會大量資金融入，不少人有意進入半導體行業(yè)。然而，在另一方面，卻有一批半導體人在逃離晶圓廠。晶圓廠的崗位工作和內(nèi)容晶圓廠也稱之為 Fab，也就是制造工廠的意思，也可稱作 foundry，比如臺積電、中芯國際等公司。區(qū)別于 Fab 的 Fabless，則指代芯片設(shè)計公司，沒有制造工廠，中國大陸目前的芯片設(shè)計公司多如牛毛。負責 Fab 生產(chǎn)的工程師種類繁多，有工藝工程師，設(shè)備工程師，工藝整合工程師，良率工程師，質(zhì)量工程師，制造工程師等。一般在半
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110億美元：印度首座12英寸晶圓廠定了
- 2024年9月27日，晶圓代工大廠力積電宣布，其與印度塔塔集團旗下塔塔電子（Tata Electronics）于新德里簽訂了雙方合作最終協(xié)議（Definitive Agreement），力積電將協(xié)助塔塔電子在印度古吉拉特邦（Gujarat）多雷拉（Dholera）建設(shè)印度首座12英寸晶圓廠，并移轉(zhuǎn)成熟制程技術(shù)以及培訓印度員工。在當天的簽約儀式上，力積電總經(jīng)理朱憲國與印度塔塔電子CEO Randhir Thakur 正式簽訂了最終的合作協(xié)議。力積電董事長黃崇仁也親自出席見證。投資110億元，力積電與塔塔電子
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良品率還不到20％！三星2nm工藝仍舊不堪大用
- 在不靠譜這臺路上，三星似乎一直很靠譜……根據(jù)集邦咨詢的最新報告，三星的2nm工藝仍然面臨極大困難，目前的良品率只有可憐的10-20％，完全無法投入量產(chǎn)。受此壓力，三星計劃在海外更大規(guī)模地裁員，從美國得克薩斯州的泰勒工廠撤回更多人員。事實上，據(jù)稱三星晶圓廠的整體良品率都不到50％，尤其是在3nm及更先進工藝上非常差勁。要知道，臺積電的整體良率約有60-70％。三星官方的計劃是，2025年量產(chǎn)2nm，包括SF2、SF2P、SF2X、SF2A、SF2Z等多個不同版本，2027年繼續(xù)量產(chǎn)1.4nm。據(jù)悉，三星2n
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世界先進和恩智浦合資成立VSMC公司，新加坡12英寸晶圓廠預計今年下半年動工
- 9月4日，世界先進（VIS）和恩智浦半導體（NXP）宣布已取得相關(guān)單位的核準，依計劃進行注資，正式成立VisionPower Semiconductor Manufacturing Company（VSMC）合資公司，并計劃下半年于新加坡動工興建12英寸晶圓廠，預計于2027年開始量產(chǎn)。VSMC在首座晶圓廠成功量產(chǎn)后，世界先進公司及恩智浦半導體將考慮建造第二座晶圓廠。據(jù)了解，該晶圓廠總投資額為78億美元，其中世界先進將注資24億美元持有60%股權(quán)，恩智浦將注資16億美元持有40%股權(quán)。VSMC的首
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臺積電首座歐洲晶圓廠將在德國動工
- 據(jù)媒體報道，全球晶圓代工龍頭臺積電首座歐洲晶圓廠將于8月20日在德國德累斯頓舉行動土典禮，預計刷新近年半導體大廠在歐洲的投資速度紀錄。該晶圓廠預計導入28/22nm平面互補金屬氧化物半導體（CMOS）技術(shù)，以及16/12nm鰭式場效晶體管（FinFET）制程。按照規(guī)劃，該工廠將在2027年底正式投入運營，初期月產(chǎn)能將達到40000片300mm（12英寸）晶圓。對此，臺積電回應本次活動代表著臺積電與投資伙伴在歐洲半導體產(chǎn)業(yè)的一個重要里程碑。2023年8月，臺積電與博世、英飛凌和恩智浦半導體共同宣布合資成立歐
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環(huán)球晶圓40億美元建廠，獲美國至多4億美元補助
- 當?shù)貢r間7月17日，美國商務部宣布與全球第三大半導體晶圓供應商環(huán)球晶圓（GlobalWafers）簽署了不具約束力的初步備忘錄（PMT）。環(huán)球晶圓承諾在美國投資約40億美元（約合人民幣290億元）建設(shè)兩座12英寸晶圓制造工廠。美國政府將向環(huán)球晶圓提供至多4億美元（約合人民幣29億元）的《芯片法案》直接補助，以加強半導體元件供應鏈。據(jù)悉，環(huán)球晶圓將在德克薩斯州謝爾曼建立第一家用于先進芯片的300mm硅晶圓制造廠，在密蘇里州圣彼得斯建立生產(chǎn)300mm絕緣體上硅（“SOI”）晶圓的新工廠。環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭表
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賺錢窗口期出現(xiàn)，芯片廠要下重注了
- 2023 年，全球芯片市場低迷，需求不振，使得各大晶圓廠（包括晶圓代工和 IDM）產(chǎn)能利用率都不高，抑制了晶圓廠投資。據(jù) SEMI 統(tǒng)計，2023 年，全球晶圓廠設(shè)備支出同比下降了 22%。近兩年，先進制程工藝（5nm 及以下）還處在投入期，整體發(fā)展情況還不錯，但僅限于那兩三家頭部企業(yè)。而涉及晶圓廠數(shù)量和產(chǎn)業(yè)鏈更多、更廣的成熟制程市場則很慘淡，整體產(chǎn)能利用率不高，這對于整個半導體產(chǎn)業(yè)，不管是設(shè)備還是材料來說，都很不利，全面影響著產(chǎn)業(yè)投入和資本支出。2023 年的低預算據(jù) TrendForce 統(tǒng)計，202
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美光愛達荷與紐約晶圓廠預計分別于2027、2028年投產(chǎn)
- 日前，美光（Micron）舉行2024年Q3財報電話會議。美光總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在報告中提到，其位于愛達荷州博伊西的晶圓廠預計將于2027財年投入運營，而紐約州的克萊晶圓廠則預計將在2028財年或之后開始生產(chǎn)。2022年，美光曾宣布擬于未來20年投資1000億美元，在紐約州克萊建設(shè)大型晶圓廠項目。其中包含2座晶圓廠的首階段項目將耗資200億美元，定于2029年投運。此外，美光還計劃未來在紐約州克萊再建設(shè)兩座晶圓廠，目標2041年投運。同年，美光還宣布計劃在10年內(nèi)投資150億美
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1.5億美元，這座12英寸晶圓廠獲臺積電技術(shù)授權(quán)
- 昨日（6月26日），晶圓代工廠商世界先進發(fā)布公告稱，旗下新加坡子公司VSMC董事會同意向臺積電取得無形資產(chǎn)。世界先進表示，VSMC將向臺積電取得包括130納米至40納米BCD等在內(nèi)的七項技術(shù)授權(quán)，技術(shù)授權(quán)費總金額1.5億美元，將以自有資金、借款或現(xiàn)金增資方式支應。資料顯示，VSMC是世界先進和恩智浦（NXP）在新加坡共同成立的合資公司，將建設(shè)一座12英寸晶圓廠，投資金額約為78億美元，其中世界先進公司將注資24億美元，并持有60%股權(quán)，恩智浦半導體將注資16億美元，持有40%股權(quán)，由世界先進負責運營。據(jù)悉
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2024年全球半導體晶圓廠產(chǎn)能預計增長6%
- 國際半導體行業(yè)權(quán)威機構(gòu)SEMI（國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）發(fā)布的最新季度《世界晶圓廠預測報告》顯示，為了跟上芯片需求持續(xù)增長的步伐，全球半導體制造產(chǎn)能預計將在2024年增長6%，并在2025年實現(xiàn)7%的增長，達到每月晶圓產(chǎn)能3370萬片的歷史新高（以8英寸當量計算）?！?整體產(chǎn)能變化情況。圖源 SEMI行業(yè)習慣將7nm及以下的芯片劃分為先進制程，28nm及以上芯片為成熟制程。而最新的一輪擴產(chǎn)潮兩者均有涉及：一方面是來自AI算力需求的激增，以先進制程芯片的擴產(chǎn)最為明顯；另一方面是中國大陸廠商在成熟制程領(lǐng)域的集中擴
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4nm→2nm，三星或升級美國德州泰勒晶圓廠制程節(jié)點
- 根據(jù)韓國媒體Etnews的報導，晶圓代工大廠三星正在考慮將其設(shè)在美國德州泰勒市的晶圓廠制程技術(shù)，從原計劃的4納米改為2納米，以加強與臺積電美國廠和英特爾的競爭。消息人士稱，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報導指出，三星的美國德州泰勒市晶圓廠投資于2021年，2022年開始興建，計劃于2024年底開始分階段運營。以三星電子DS部門前負責人Lee Bong-hyun之前的說法表示，到2024年底，我們將開始從這里出貨4納米節(jié)點制程的產(chǎn)品。不過，相較于三星泰勒市晶圓廠，英特爾計劃2024年在亞利桑那州和俄亥
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彌費科技8吋&12吋晶圓廠AMHS系統(tǒng)驗收，打破行業(yè)長期海外壟斷
- 彌費科技近期宣布已在兩家12吋晶圓廠完成自動物料搬運系統(tǒng)（AMHS）的驗收，成為國內(nèi)首家在晶圓廠領(lǐng)域打破海外長期壟斷的國產(chǎn)AMHS供應商。在晶圓廠整廠AMHS系統(tǒng)級驗收上，彌費科技已累計完成一家8吋碳化硅晶圓廠，一家12吋IDM晶圓制造廠和一家12吋標準代工廠國產(chǎn)化驗證平臺，并打通了驗證平臺和量產(chǎn)代工廠之間的銜接，實現(xiàn)了該驗證平臺上的所有國產(chǎn)化晶圓生產(chǎn)設(shè)備和量產(chǎn)線之間的無縫切換，既完成了國產(chǎn)化率和供應鏈安全的目標，也幫客戶實現(xiàn)了整廠晶圓制造效率的顯著提升。不同應用領(lǐng)域?qū)MHS系統(tǒng)的性能要求不同。相比于面
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