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封裝
封裝 文章 最新資訊
ST推出采用2 x 3mm MLP8微型封裝的串行EEPROM系列產(chǎn)品
- 意法半導(dǎo)體宣布該公司存儲(chǔ)密度2 Kbit到64 Kbit的所有串行EEPROM芯片（SPI和I2C接口兩個(gè)系列）都將采用2 x 3mm MLP8微型封裝，與上一代的4 x 5mm S08N封裝相比，新封裝能夠?yàn)楦叨讼M(fèi)電子和通信產(chǎn)品節(jié)省大量的空間和成本。 ST是市場(chǎng)第一個(gè)用小封裝提供全系列低密度串行EEPROM產(chǎn)品的半導(dǎo)體廠商。與其它封裝相比，新的超薄(0.6mm)細(xì)節(jié)距雙平面2 x 3mm微型引腳框架封裝(MLP)取得了多項(xiàng)重大技術(shù)改良，而且新系列產(chǎn)品的占位面積在2 Kbit到64 Kbit整
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Vishay推出采用LLP1713封裝的8二極管ESD保護(hù)陣列
- Vishay推出在超小型無(wú)鉛 LLP1713 封裝中整合了八個(gè)二極管的ESD 保護(hù)陣列。 憑借 0.55mm 的超薄厚度，VESD05A8A-HNH在提供 ESD 保護(hù)的同時(shí)可節(jié)省面向移動(dòng)計(jì)算、移動(dòng)通信、消費(fèi)類、工業(yè)、汽車及醫(yī)療應(yīng)用的便攜式電子設(shè)備中的板面空間。 這種新型器件可在雙向非對(duì)稱 (BiAs) 模式下保護(hù)八條信號(hào)或數(shù)據(jù)線，并且還可在雙向?qū)ΨQ (BiSy) 模式下作為七線保護(hù)器件。該 ESD 二極管陣列具有 30pF 的低典型電容，以及在 5V 時(shí)不到 1uA 的低最大漏電電流。
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PI推出SO-8封裝的LinkSwitch產(chǎn)品系列ICs
- Power Integrations公司宣布所有 LinkSwitch®-TN, -LP 與 -XT 系列產(chǎn)品 ICs 都可提供 SO-8 封裝貨品，以支持LED燈泡、小型充電器等新興應(yīng)用產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。 LinkSwitch 器件是完全集成的單片700 V升降壓與回掃式功率轉(zhuǎn)換ICs．它能夠直接操作在寬范圍 (85 to 265 Vac) 交流輸入電壓并同時(shí)提供低壓恒電壓與恒電流(CV/CC)輸出. 這種小型封裝器件非常適用于體積受限制的電源應(yīng)用場(chǎng)合，如短小的手機(jī)充電器，小型的家用電子電器，LED
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PI提供SO-8封裝的LinkSwitch 產(chǎn)品系列 ICs
- Power Integrations 公司宣布所有 LinkSwitch(r)-TN, -LP 與 -XT 系列產(chǎn)品 ICs 都可提供 SO-8 封裝貨品，以支持LED燈泡、小型充電器等新興應(yīng)用產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。 LinkSwitch 器件是完全集成的單片700 V升降壓與回掃式功率轉(zhuǎn)換ICs．它能夠直接操作在寬范圍 (85 to 265 Vac) 交流輸入電壓并同時(shí)提供低壓恒電壓與恒電流(CV/CC)輸出. 這種小型封裝器件非常適用于體積受限制的電源應(yīng)用場(chǎng)合，如短小的手機(jī)充電器，小型的家用電子電器，
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Microchip推出簡(jiǎn)單SOT-23封裝單節(jié)鋰離子/鋰聚合物電池充電器
- Microchip Technology近日宣布，推出MCP73811和MCP73812（MCP7381X）鋰離子/鋰聚合物電池充電管理控制器。全新單電池器件采用5引腳SOT-23封裝，可提供全集成充電管理功能，及高達(dá)500 mA的可選或可編程充電電流。新產(chǎn)品兼容USB，同時(shí)片上配備集成電流感應(yīng)、傳輸晶體管及反向電池保護(hù)功能，實(shí)現(xiàn)更小巧、更具成本效益的設(shè)計(jì)。 MCP7381X充電管理控制器符合USB輸出功率規(guī)格，因此終端用戶無(wú)需連接外部電源適配器，就可以通過多數(shù)個(gè)人計(jì)算機(jī)的US
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Atmel將AVR 8位微控制器與LIN系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片集成為小封裝單芯片
- 愛特梅爾公司宣布其ATA6602和ATA6603多芯片模組現(xiàn)已推出市場(chǎng)，進(jìn)一步擴(kuò)展了愛特梅爾針對(duì) LIN 應(yīng)用而設(shè)現(xiàn)有的IC 產(chǎn)品系列。這些全新器件特為汽車舒適性應(yīng)用 (比如車窗升降器、反光鏡和座椅調(diào)節(jié)器) 和動(dòng)力系統(tǒng)常見的致動(dòng)器裝置而設(shè)計(jì)。加上體積小巧，ATA6602和ATA6603還適合于傳感器節(jié)點(diǎn)的應(yīng)用，如控制面板、空調(diào)、下雨/日曬傳感器等等。 通過多芯片模組的方式，ATA6602和ATA6603將微控制器 (8位AVR
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ADI推出最小封裝最靈活的多通道數(shù)模轉(zhuǎn)換器
- ADI在馬薩諸塞州諾伍德市發(fā)布業(yè)界最小、最靈活的多通道數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）AD57xx系列。該DAC能夠滿足特定DAC在高電壓應(yīng)用中設(shè)計(jì)工程師對(duì)其靈活性的需求，例如工廠過程控制以及儀表儀器和直流（DC）設(shè)定點(diǎn)控制應(yīng)用，該系列包括12款采用單電源或雙電源寬電壓范圍、12～16 bit雙通道和四通道DAC。此外，可靈活配置的軟件可編程功能，DAC每通道可獨(dú)立設(shè)置單極性和雙極性電壓輸出范圍，從而允許設(shè)計(jì)工程師無(wú)需選擇大量的精密元件，例如精密電阻器、開關(guān)和外部放大器。該DAC采用小型引腳兼容薄小外形
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ADI推出最小封裝最靈活的多通道數(shù)模轉(zhuǎn)換器
- ADI在馬薩諸塞州諾伍德市發(fā)布業(yè)界最小、最靈活的多通道數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）AD57xx系列。該DAC能夠滿足特定DAC在高電壓應(yīng)用中設(shè)計(jì)工程師對(duì)其靈活性的需求，例如工廠過程控制以及儀表儀器和直流（DC）設(shè)定點(diǎn)控制應(yīng)用，該系列包括12款采用單電源或雙電源寬電壓范圍、12～16 bit雙通道和四通道DAC。此外，可靈活配置的軟件可編程功能，DAC每通道可獨(dú)立設(shè)置單極性和雙極性電壓輸出范圍，從而允許設(shè)計(jì)工程師無(wú)需選擇大量的精密元件，例如精密電阻器、開關(guān)和外部放大器。該DAC采用小型引腳兼容薄小外形
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Power Integrations提供SO-8封裝的LinkSwitch產(chǎn)品系列ICs
- Power Integrations宣布所有 LinkSwitch-TN, -LP 與 -XT 系列產(chǎn)品 ICs 都可提供 SO-8 封裝貨品，以支持LED燈泡、小型充電器等新興應(yīng)用產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。 LinkSwitch 器件是完全集成的單片700 V升降壓與回掃式功率轉(zhuǎn)換ICs．它能夠直接操作在寬范圍 (85 to 265 Vac)
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日月光落戶蘇州影響內(nèi)地封裝策略企業(yè)格局
- 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司與NXP半導(dǎo)體共同宣布雙方簽訂備忘錄，將在商定合資合同的最終條款并取得相關(guān)核準(zhǔn)后，于中國(guó)蘇州合資成立一家半導(dǎo)體封裝測(cè)試公司。預(yù)計(jì)日月光和NXP分別持有新公司60%和40%的股權(quán)，有關(guān)此次合資案的相關(guān)財(cái)務(wù)細(xì)節(jié)沒有對(duì)外公布。作為全球最大的封測(cè)公司，日月光此舉將改變中國(guó)內(nèi)地半導(dǎo)體封測(cè)市場(chǎng)上三股力量的對(duì)比，并將對(duì)中國(guó)內(nèi)地半導(dǎo)體封測(cè)業(yè)格局產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。 臺(tái)灣封測(cè)廠加快布局 中國(guó)內(nèi)地半導(dǎo)體市場(chǎng)的迅速發(fā)展帶動(dòng)了封測(cè)業(yè)的加速增長(zhǎng)，英特爾、NXP、英飛凌等國(guó)際大廠為了提供就近服務(wù)并
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IR授權(quán)使用DirectFET封裝技術(shù)
- IR近日與兩家總部分別位于不同地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商達(dá)成協(xié)議，授權(quán)他們使用 IR 的 DirectFET 封裝技術(shù)。 DirectFET MOSFET封裝技術(shù)基于突破性的雙面冷卻技術(shù)，在2002年推出后迅速成為了先進(jìn)計(jì)算、消費(fèi)及通信應(yīng)用解決安裝散熱受限問題的首選解決方案。自從該技術(shù)推出后，DirectFET 便成為 IR 公司歷史上增長(zhǎng)速度最快的產(chǎn)品。由于 DirecFET 封裝能改善電流密度和性能，I
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安森美推出新SOT-723封裝功率MOSFET
- 安森美半導(dǎo)體推出采用小型SOT-723封裝，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代功率MOSFET，這些新低臨界值功率MOSFET采用安森美半導(dǎo)體領(lǐng)先業(yè)內(nèi)的Trench技術(shù)來(lái)取得能夠和SC-89或SC-75等大上許多封裝MOSFET器件匹敵的電氣和功率性能表現(xiàn)。 NTK3134N是一款20 V, 890 mA的N通道MOSFET，NTK3139P則是-20 V, -780 mA的P通道MOSFET，兩款器件在高于200 mA工作電
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IR授權(quán)使用DirectFET封裝技術(shù)
- IR近日與兩家總部分別位于不同地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商達(dá)成協(xié)議，授權(quán)他們使用 IR 的 DirectFET 封裝技術(shù)。 DirectFET MOSFET封裝技術(shù)基于突破性的雙面冷卻技術(shù)，在2002年推出后迅速成為了先進(jìn)計(jì)算、消費(fèi)及通信應(yīng)用解決安裝散熱受限問題的首選解決方案。自從該技術(shù)推出后，DirectFET 便成為 IR 公司歷史上增長(zhǎng)速度最快的產(chǎn)品。由于 DirecFET 封裝能改善電流密度和性能，I
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封裝介紹
程序 封裝 (encapsulation)
隱藏對(duì)象的屬性和實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)，僅對(duì)外公開接口,控制在程序中屬性的讀和修改的訪問級(jí)別.
封裝 (encapsulation)
封裝就是將抽象得到的數(shù)據(jù)和行為(或功能)相結(jié)合，形成一個(gè)有機(jī)的整體，也就是將數(shù)據(jù)與操作數(shù)據(jù)的源代碼進(jìn)行有機(jī)的結(jié)合，形成“類”，其中數(shù)據(jù)和函數(shù)都是類的成員。
封裝的目的是增強(qiáng)安全性和簡(jiǎn)化編程，使用者不必了解具體的 [ 查看詳細(xì) ]
封裝電路
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