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          ?sk海力士 文章
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          SK海力士美國建廠計劃遭居民抗議，芯片法案項目遇阻
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)韓媒abcNEWS援引美國當?shù)孛襟wLafayette Journal & Courier報道，SK海力士在美國印第安納州西拉法葉市的半導體工廠投資計劃遭遇當?shù)鼐用駨娏曳磳?。這一項目是美國商務部批準的芯片法案支持項目之一，總投資達38.7億美元，美國政府預計將提供最多4.58億美元的補助。工廠將專注高帶寬存儲器（HBM）封裝與AI用半導體后段制程，預計2028年完工。工廠選址位于普渡大學北側，由普渡大學研究基金會所有的土地上。自2025年5月重新分區(qū)決議通過后，爭議不斷。當?shù)鼐用駥K海力士的計劃
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  芯片法案                          
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          DRAM老三SK的大逆襲！專家揭稱霸全球關鍵技術
          
                                                            
            
                    	
          • 在人工智能（AI）熱潮帶動下，全球存儲器市場迎來三年來最強勁的復蘇，第四季DRAM報價漲幅可望擴大至三成以上。 財信傳媒董事長謝金河指出，韓國SK海力士憑借高帶寬記憶體（HBM）技術脫穎而出，從過去的DRAM老三躍升為全球第一，今年股價狂飆近500%，且海力士專注于高階制程，不僅拉高產品附加價值，也導致DDR4與DDR5大缺貨，同時帶旺整個存儲器產業(yè)。謝金河在臉書發(fā)文指出，韓國是今年全亞洲表現(xiàn)最亮眼的股市，尤其自總統(tǒng)李在明上任后，韓股從2284.71點一路漲到3617.86點，漲幅高達58.35%。 這波
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          • 關鍵字：
                        DRAM  SK海力士                          
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          三大存儲器巨頭正在投資1c DRAM，瞄準AI和HBM市場
          
                                                            
            
                    	
          • 各大存儲器企業(yè)正專注于1c DRAM量產的新投資和轉換投資。主要內存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設量產線，據(jù)報道，SK海力士正在討論其近期轉型投資的具體計劃。美光本月還獲得了日本政府的補貼，用于其新的 1c DRAM 設施。1c DRAM是各大內存公司計劃在今年下半年量產的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內存）中主動采用 6c DRAM。SK海力士和美光計劃在包括服務器在內的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
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          • 關鍵字：
                        存儲器  1c DRAM  AI  HBM  三星  SK海力士  美光                          
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          三星、SK海力士股價飆升的原因:全球科技熱潮推動存儲芯片需求
          
                                                            
            
                    	
          • 市場觀察人士周一表示，三星電子和SK海力士的股價在外國強勁的購買和全球科技繁榮的背景下飆升。這一表現(xiàn)反映了投資者情緒的更深層次轉變。信息技術 （IT） 和半導體制造商的股價正在上漲，這得益于人工智能 （AI） 的大量投資導致的強勁盈利預測。尤其是三星電子的漲勢將保持強勁，這得益于摩根士丹利的一份報告建議增持，表明未來幾個月價格將進一步上漲。這家全球投資銀行巨頭表示，三星股票是其首選，將其目標價從之前的 96,000 韓元上調至 69 韓元（86,000 美元）。該公司在最新報告中表示，IT 行業(yè)將面臨“一
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          • 關鍵字：
                        三星  SK海力士                          
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          三星存儲業(yè)務注入強心劑：12層HBM3E通過英偉達認證
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 據(jù)韓國媒體最新報道，三星第五代12層HBM3E產品通過了英偉達的認證測試，成功進入其供應鏈體系，這一重大突破對三星意義非凡。隨著其技術實力獲英偉達認可，這家韓國巨頭已與SK海力士、美光形成三足鼎立之勢，未來HBM市場的技術競爭料將更趨白熱化。三星作為全球頭部的三大主要DRAM制造商之一，過去一直是全球最大的DRAM廠商，但是卻由于在HBM競爭中落后SK海力士，使得其被成功反超。本次三星通過英偉達的認證花費了約18個月，去年2月三星向英偉達提供首批12層HBM3E芯片樣品測試，期間曾多次嘗試達到英偉達嚴苛的
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          • 關鍵字：
                        三星  存儲  HBM3E  英偉達  SK海力士  美光                          
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          中國對美國的半導體監(jiān)管也可能影響SK海力士
          
                                                            
            
                    	
          • 中國正在收緊針對全球半導體公司的所謂并購陷阱。分析師表示，已經陷入中美貿易緊張局勢的美國芯片巨頭英偉達是主要目標，但韓國公司也遠非安全。中國國家市場監(jiān)督管理總局（SAMR）9月15日宣布，英偉達違反了該國的反壟斷法，并將對該公司展開進一步調查。監(jiān)管機構于去年 12 月開始調查，并于本周發(fā)布了中期調查結果。根據(jù)結果，市場監(jiān)管總局可能會處以公司上一年收入的 1% 至 10% 的罰款。該案的重點是英偉達 2020 年收購以色列高速互連芯片和解決方案開發(fā)商 Mellanox。其InfiniBand技術廣泛應用于大
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          • 關鍵字：
                        中國  美國  半導體監(jiān)管  SK海力士                          
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          SK海力士引入全球首臺High-NA EUV設備
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)SK海力士官方消息，2025年9月3日，該公司在韓國利川M16工廠成功引進了業(yè)界首款量產型高數(shù)值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV），并舉行了設備入廠慶祝儀式。此次引進的設備為荷蘭ASML公司開發(fā)的TWINSCAN EXE:5200B，是全球首款量產型High-NA EUV設備。相比現(xiàn)有EUV設備（NA 0.33），其光學性能（NA 0.55）提升了40%，能夠繪制精密度高達1.7倍的電路圖案，同時將芯片集成度提升2.9倍。這一技術突破將顯著推動半導體制造向更微細化和高集成度方向發(fā)展。SK海力士自
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          • 關鍵字：
                        SK海力士  High-NA  EUV設備                          
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          2025年第二季度DRAM營收增長，SK海力士蟬聯(lián)第一
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2025年第二季度，全球DRAM產業(yè)營收達到316.3億美元，相比第一季度增長了17.1%。這一增長主要得益于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價的上漲以及出貨量的顯著提升，同時HBM出貨規(guī)模的擴大也起到了推動作用。集邦咨詢分析稱，PC OEM、智能手機以及CSP廠商的采購需求逐步回升，推動DRAM原廠加速去庫存化，多數(shù)產品的合約價已止跌回升。在廠商排名方面，SK海力士、三星和美光繼續(xù)穩(wěn)居前三。三星在第二季度的表現(xiàn)相對平穩(wěn)，其售價和位元出貨量均
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          • 關鍵字：
                        DRAM  SK海力士                          
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          美國撤銷三大半導體企業(yè)在華的設備豁免
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 當?shù)貢r間8月29日，根據(jù)美國《聯(lián)邦公報》（Federal Register）發(fā)布的通知顯示，美國商務部工業(yè)與安全局（BIS）修訂《出口管理條例》（EAR），將英特爾半導體（大連）有限公司（已于今年完成交割至SK集團Solidigm相關資產體系）、三星中國半導體有限公司以及SK海力士半導體（中國）有限公司從對中華人民共和國（PRC）現(xiàn)有經驗證最終用戶（Validated End-User, VEU）授權名單中移除。值得一提的是，臺積電在中國大陸的晶圓廠此次并沒有被提及，或許其之前獲得的永久豁免依然有限。這一
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          • 關鍵字：
                        半導體  三星  英特爾  SK海力士                          
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          三星和SK海力士失去美國芯片裝備豁免
          
                                                            
            
                    	
          • 美國總統(tǒng)唐納德·特朗普的政府將使三星電子和SK海力士更難將關鍵設備運送到其在中國的芯片制造業(yè)務，從而對兩家公司在全球最大半導體市場的生產造成潛在打擊。美國商務部在周五發(fā)布的一份通知中表示，它將撤銷三星和 SK 海力士在其中國業(yè)務中使用美國技術的豁免。這些公司一直在中國運營，規(guī)定允許他們進口芯片制造設備，而無需每次都申請新的許可證。此舉將修改所謂的驗證最終用戶 （VEU） 規(guī)則，限制在該國制造芯片的能力，并危及北京獲得某些技術的機會。這些豁免可以追溯到 2023 年，當時美國總統(tǒng)喬·拜登 （Joe Bide
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          • 關鍵字：
                        三星  SK海力士  芯片裝備豁免                          
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          2025年第二季度全球DRAM市場分析
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在AI需求爆發(fā)與高價值產品滲透的雙重推動下，2025年第二季度全球DRAM市場實現(xiàn)量價齊升。根據(jù)CFMS最新數(shù)據(jù)，二季度市場規(guī)模環(huán)比增長20%至321.01億美元，同比增長37%，創(chuàng)歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發(fā)優(yōu)勢，二季度DRAM銷售收入達122.71億美元，環(huán)比增長25.1%，市場份額提升至38.2%，連續(xù)第二個季度穩(wěn)居全球第一，并進一步拉開與三星的差距?！?三星以107.58億美元收入位列第二，環(huán)比增長13%，市場份額33.5%；· 美光科技收入70.71億
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          • 關鍵字：
                        DRAM  SK海力士  三星  美光  HBM                          
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          SK海力士在IEEE VLSI 2025上展示未來DRAM技術路線圖
          
                                                            
            
                    	
          • SK海力士公司今天宣布，在日本京都舉行的20251年IEEE VLSI研討會上，該公司提出了未來30年的DRAM新技術路線圖和可持續(xù)創(chuàng)新的方向。SK海力士首席技術官（CTO）車善勇于6月10日發(fā)表了題為“推動DRAM技術創(chuàng)新：邁向可持續(xù)未來”的全體會議。首席技術官 Cha 在演講中解釋說，通過當前的技術平臺擴展來提高性能和容量變得越來越困難。“為了克服這些限制，SK海力士將在結構、材料和組件方面進行創(chuàng)新，將4F2 VG（垂直門）平臺和3D DRAM技術應用于10納米級或以下的技術。4F2 VG平臺是下一代
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                        SK海力士  IEEE  VLSI 2025  DRAM                          
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          三星與SK海力士擬放緩2025年NAND投資計劃
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)韓媒ZDNet Korea援引業(yè)界消息，三星電子與SK海力士計劃在2025年下半年放緩對先進NAND Flash的投資步伐。這一決策主要是由于市場需求不確定性較高，且企業(yè)資金更多集中于DRAM和封裝領域，導致對NAND的投資負擔加重。三星自2025年初開始，在韓國平澤的P1廠和西安NAND廠推進轉換投資，主要將第6、7代NAND升級至第8、9代。這種轉換投資相較于新建投資成本更低，且能部分利用現(xiàn)有設備，效率較高。然而，近期三星針對最先進NAND的轉換投資速度有所放緩。例如，P1廠的第9代NAND轉換投資
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                        三星  SK海力士  NAND                          
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          SK海力士預計，到2030年AI存儲市場將每年增長30%
          
                                                            
            
                    	
          • 韓國SK海力士（SK Hynix）一位高級管理人員在接受路透社采訪時表示，到2030年，專為人工智能設計的專用存儲芯片市場將以每年30%的速度增長。對用于人工智能的高帶寬內存 （HBM） 全球增長的樂觀預測消除了人們對該行業(yè)幾十年來一直被視為石油或煤炭等商品的價格壓力上升的擔憂?！白罱K用戶對人工智能的需求非常非常堅定和強勁，”SK 海力士 HBM 業(yè)務規(guī)劃主管 Choi Joon Yong 說。Choi 表示，亞馬遜、Microsoft 和 Alphabet 旗下的谷歌等云計算公司預計的數(shù)十億美元的人工智
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                        SK海力士  AI存儲                          
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          Sandisk閃迪與SK海力士攜手推動高帶寬閃存技術標準化
          
                                                            
            
                    	
          • Sandisk閃迪公司正式宣布與SK海力士簽署具有里程碑意義的諒解備忘錄（Memorandum of Understanding，MOU），雙方將攜手制定高帶寬閃存（High Bandwidth Flash，HBFTM）技術規(guī)范。這項新興技術旨在為下一代人工智能推理提供突破性的存儲容量和性能支持。通過此次合作，雙方將致力于推動該技術規(guī)范標準化，明確技術要求，并共同探索構建高帶寬閃存技術生態(tài)系統(tǒng)。閃迪公司執(zhí)行副總裁、首席技術官兼HBF技術顧問委員會成員Alper Ilkbahar表示：“當前，AI行業(yè)對可擴
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                        Sandisk  閃迪  SK海力士  高帶寬閃存                          
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