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三星Exynos 2600性能超越蘋果
- 據(jù)業(yè)內(nèi)人士10月20日消息，三星電子系統(tǒng)LSI事業(yè)部已經(jīng)完成了Exynos 2600的開發(fā)，并將于下個月開始量產(chǎn)其自己設(shè)計(jì)的移動應(yīng)用處理器（AP）Exynos 2600，目前已確認(rèn)將其安裝在Galaxy S26系列中，這將是該公司將在四年來首次將自己的AP用于頂級產(chǎn)品線Ultra型號。Exynos系列是目前唯一一個由一家公司完全設(shè)計(jì)并生產(chǎn)制造的移動處理器，三星電子決定將其用于旗艦系列得益于性能和良率的顯著提高。根據(jù)三星電子的內(nèi)部測試，Exynos 2600的神經(jīng)處理單元（NPU）性能是大型語言模型（LLM
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三星購買了兩款A(yù)SML高數(shù)值孔值EUV工具
- 據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，據(jù)報(bào)道，三星將于今年晚些時候收到其首款高數(shù)值孔徑 （high-NA） EUV 掃描儀——Twinscan EXE：5200B，隨后將于 2026 年上半年推出第二臺掃描儀。報(bào)告補(bǔ)充說，雖然該公司已經(jīng)在其華城市園區(qū)運(yùn)營了一種研究用途的高 NA EUV 工具，但新系統(tǒng)將標(biāo)志著其首次旨在大規(guī)模生產(chǎn)的收購。報(bào)告指出，競爭對手臺積電目前正在測試該系統(tǒng)的研發(fā)版本，但尚未將其部署用于商業(yè)規(guī)模制造。報(bào)道援引消息人士的話稱，SK海力士在9月份證實(shí)已經(jīng)訂購了生產(chǎn)級高NA EUV系統(tǒng)。據(jù)報(bào)道援引消息人士
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NVIDIA將三星工廠添加到NVLink Fusion 生態(tài)系統(tǒng)中用于定制芯片制造
- 在最近的 NVIDIA 與英特爾合作之后——讓英特爾構(gòu)建通過 NVLink Fusion 直接插入 NVIDIA 平臺的 x86 CPU——Team Green 正在以令人驚訝的舉措擴(kuò)展其 NVLink 生態(tài)系統(tǒng)，現(xiàn)在引入了 Samsung Foundry。據(jù) NVIDIA 稱，三星將幫助滿足對定制 CPU 和 XPU 不斷增長的需求，為定制芯片提供全面的設(shè)計(jì)到制造支持。在圣何塞舉行的 2025 年 OCP 全球峰會（10 月 13 日至 16 日）上，HPC 和超大規(guī)模副總裁 Ian
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三星押注新Exynos芯片重振系統(tǒng)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)
- 三星電子指望其下一代移動處理器 Exynos 2600 能夠?qū)⑵湎萑肜Ь车南到y(tǒng)半導(dǎo)體部門從季度虧損超過 2 萬億韓元的長期低迷中拉出來。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星最近開始量產(chǎn)Exynos 2600，這是一款基于該公司先進(jìn)的2納米工藝技術(shù)打造的旗艦移動應(yīng)用處理器（AP）。該芯片由三星系統(tǒng) LSI 部門設(shè)計(jì)并由其代工部門制造，預(yù)計(jì)將于明年為即將推出的 Galaxy S26 智能手機(jī)系列提供動力。新款 Exynos 對三星非存儲半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的一次關(guān)鍵考驗(yàn)，自 2024 年底以來，三星非存儲半導(dǎo)體業(yè)務(wù)屢屢遭受虧損。由于性
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OpenAI攜手AMD和三星設(shè)定新路線，試圖打破NVIDIA和SK AI芯片壟斷
- - ChatGPT 開發(fā)商 OpenAI 將于 2026 年推出- AMD 正式宣布大規(guī)模采用下一代 AI 芯片。- 郭明錤：“三星將為 MI450 提供 HBM4。- NVIDIA 和 SK 海力士聯(lián)盟面臨挑戰(zhàn)主導(dǎo)人工智能（AI）半導(dǎo)體市場的 NVIDIA 大本營出現(xiàn)了裂縫。開創(chuàng)AI時代的ChatGPT開發(fā)商OpenAI決定量產(chǎn)AMD的下一代AI加速器，該加速器被認(rèn)為是NVIDIA的唯一競爭對手。下一代AI芯片的核心部件是HBM4（第6代高帶寬內(nèi)存）。三星電子（005930）有觀察稱，英偉達(dá)將作為主要供
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三星展開2nm價格競爭，報(bào)價只有臺積電的三分之二
- 據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星為了與臺積電2nm（N2）制程競爭，已明確將2nm工藝（SF2）制程晶圓的報(bào)價降至2萬美元，較臺積電3萬美元的傳聞報(bào)價低了整整三分之一。當(dāng)前全球尖端芯片生產(chǎn)普遍處于滿負(fù)荷狀態(tài)，即便像英偉達(dá)這樣的科技巨頭也幾乎無法獲得足夠的供應(yīng)來滿足其需求。盡管眼下屬于賣方市場，芯片代工廠之間仍存在激烈競爭。 —— 三星此次降價舉措旨在吸引更多客戶，以提升其2nm晶圓廠的產(chǎn)能利用率，也是為保障投資回報(bào)的必然選擇。根據(jù)之前的消息顯示，三星2nm初期良率低于30%，但是其正全力投入良率的改進(jìn)，目標(biāo)
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三星代工的2nm驍龍8 Elite Gen5被砍，廠商無人問津
- 知名博主數(shù)碼閑聊站透露，由三星代工的2nm制程版本驍龍8 Elite Gen5芯片已被取消，目前沒有任何廠商計(jì)劃采用這款芯片。高通于今年9月發(fā)布的驍龍8 Elite Gen5（型號為SM8850）由臺積電負(fù)責(zé)代工，采用臺積電3nm工藝制程。目前各大廠商推出的旗艦機(jī)型均搭載了這一版本的芯片。盡管三星也為驍龍8 Elite Gen5提供代工服務(wù)，采用其SF2（2nm制程）工藝，且套片報(bào)價低于臺積電3nm版本，但由于三星過往的工藝表現(xiàn)不佳，廠商對其持謹(jǐn)慎態(tài)度，導(dǎo)致該版本芯片無人采購。回顧歷史，三星曾代工過高通的
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因涉嫌向中國泄露DRAM技術(shù)被捕的三星、海力士前高管獲保釋
- 據(jù)悉，三星電子和海力士半導(dǎo)體（現(xiàn)SK海力士）前高管崔振錫因向中國泄露三星電子自主研發(fā)的投資4萬億韓元的DRAM工藝技術(shù)而被起訴，在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級法官）15日批準(zhǔn)崔某保釋。崔于去年9月因違反《防止泄露和保護(hù)工業(yè)技術(shù)法》等罪名被捕起訴，并于今年3月被額外起訴。根據(jù)《刑事訴訟法》，一審拘留期為六個月。法院在拘留期屆滿前依職權(quán)準(zhǔn)予保釋。此外，據(jù)報(bào)道，與崔一起被捕并被起訴的前三星電子高級研究員吳氏已于 8 月 28 日被保釋。吳某于同月21日申請保釋，法院受理。
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三大存儲器巨頭正在投資1c DRAM，瞄準(zhǔn)AI和HBM市場
- 各大存儲器企業(yè)正專注于1c DRAM量產(chǎn)的新投資和轉(zhuǎn)換投資。主要內(nèi)存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設(shè)量產(chǎn)線，據(jù)報(bào)道，SK海力士正在討論其近期轉(zhuǎn)型投資的具體計(jì)劃。美光本月還獲得了日本政府的補(bǔ)貼，用于其新的 1c DRAM 設(shè)施。1c DRAM是各大內(nèi)存公司計(jì)劃在今年下半年量產(chǎn)的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內(nèi)存）中主動采用 6c DRAM。SK海力士和美光計(jì)劃在包括服務(wù)器在內(nèi)的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
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三星是否可以挑戰(zhàn)臺積電的統(tǒng)治力？
- 埃隆·馬斯克 （Elon Musk） 在 X 上宣布，特斯拉正在與三星合作，幫助生產(chǎn)其定制人工智能芯片。這一發(fā)展似乎令人震驚，因?yàn)榕_積電占據(jù)了全球芯片代工業(yè)務(wù)近 70% 的份額。雖然三星與特斯拉的合作代表著一次重大勝利，但關(guān)于這筆交易還有一些重要的細(xì)微差別需要理解。當(dāng)投資者想到半導(dǎo)體行業(yè)的巨頭時，主導(dǎo)話題的通常名稱是英偉達(dá)、AMD和博通。這些公司負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)高性能芯片和網(wǎng)絡(luò)硬件，以前所未有的規(guī)模為下一代數(shù)據(jù)中心提供動力。然而，在幕后更安靜地運(yùn)營的是臺積電。雖然臺積電在人工智能 （AI） 芯片競賽中不如同行那么
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SK 海力士據(jù)報(bào)道與客戶協(xié)商價格調(diào)整，跟隨美光和三星
- 存儲巨頭們正準(zhǔn)備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據(jù) SeDaily 和 Business Korea 報(bào)道，正與客戶協(xié)商根據(jù)市場條件調(diào)整價格。在三大巨頭中，美光是第一個宣布提價的，據(jù) EE Times China9 月 12 日報(bào)道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價格將上漲 20%-30%，提價不僅涉及消費(fèi)級和工業(yè)級存儲，還包括汽車電子，后者的價格漲幅可能達(dá)到 70%。行業(yè)消息來源還表
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三星、SK海力士股價飆升的原因:全球科技熱潮推動存儲芯片需求
- 市場觀察人士周一表示，三星電子和SK海力士的股價在外國強(qiáng)勁的購買和全球科技繁榮的背景下飆升。這一表現(xiàn)反映了投資者情緒的更深層次轉(zhuǎn)變。信息技術(shù) （IT） 和半導(dǎo)體制造商的股價正在上漲，這得益于人工智能 （AI） 的大量投資導(dǎo)致的強(qiáng)勁盈利預(yù)測。尤其是三星電子的漲勢將保持強(qiáng)勁，這得益于摩根士丹利的一份報(bào)告建議增持，表明未來幾個月價格將進(jìn)一步上漲。這家全球投資銀行巨頭表示，三星股票是其首選，將其目標(biāo)價從之前的 96,000 韓元上調(diào)至 69 韓元（86,000 美元）。該公司在最新報(bào)告中表示，IT 行業(yè)將面臨“一
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三星存儲業(yè)務(wù)注入強(qiáng)心劑：12層HBM3E通過英偉達(dá)認(rèn)證
- 據(jù)韓國媒體最新報(bào)道，三星第五代12層HBM3E產(chǎn)品通過了英偉達(dá)的認(rèn)證測試，成功進(jìn)入其供應(yīng)鏈體系，這一重大突破對三星意義非凡。隨著其技術(shù)實(shí)力獲英偉達(dá)認(rèn)可，這家韓國巨頭已與SK海力士、美光形成三足鼎立之勢，未來HBM市場的技術(shù)競爭料將更趨白熱化。三星作為全球頭部的三大主要DRAM制造商之一，過去一直是全球最大的DRAM廠商，但是卻由于在HBM競爭中落后SK海力士，使得其被成功反超。本次三星通過英偉達(dá)的認(rèn)證花費(fèi)了約18個月，去年2月三星向英偉達(dá)提供首批12層HBM3E芯片樣品測試，期間曾多次嘗試達(dá)到英偉達(dá)嚴(yán)苛的
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三星HBM3E熬18個月終獲英偉達(dá)認(rèn)證
- 南韓科技巨擘三星電子在高帶寬記憶體（HBM）競爭賽道上落后于主要競爭對手SK海力士以及美光。 但據(jù)韓媒報(bào)道，如今總算有好消息傳出！ 三星第5代12層高帶寬內(nèi)存HBM3E產(chǎn)品終于通過英偉達(dá)質(zhì)量驗(yàn)證測試。 此一進(jìn)展不僅象征三星在HBM技術(shù)上的突破，也可能改寫其在高端存儲器市場的競爭格局。據(jù)韓媒《Business Korea》與《韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)》（The Korea Economic Daily）報(bào)導(dǎo)，三星從完成HBM3E 12層芯片的開發(fā)，歷經(jīng)多次英偉達(dá)性能測試失敗，到最終通過認(rèn)證，整整耗時18個月，成為繼SK
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三星據(jù)報(bào)道首次外包光掩模，著眼于新的 EUV 光掩模技術(shù)
- 根據(jù) The Elec 報(bào)道，援引行業(yè)消息人士稱，三星首次外包光掩?！酒圃熘兄陵P(guān)重要的組件。報(bào)道稱，三星據(jù)說正在外包低端光掩模用于內(nèi)存芯片，這表明其策略是將資源轉(zhuǎn)向 ArF 和 EUV 掩模生產(chǎn)。本月早些時候，三星據(jù)報(bào)道向美國光掩模制造商 Photronics 的子公司 PKL 訂購了用于內(nèi)存生產(chǎn)的 i-line 和 KrF 光掩模。報(bào)道補(bǔ)充說，日本的 Tekscend Photomask 也在評估中，預(yù)計(jì)很快將收到訂單。報(bào)道指出，由于這些是低端芯片的掩模，三星認(rèn)為它們泄露技術(shù)的
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