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雖然隨機(jī)缺陷將產(chǎn)量與其量子性質(zhì)導(dǎo)致的EUV光刻的實(shí)際分辨率聯(lián)系起來(lái)[1]，但EUV工藝的極低產(chǎn)量更容易與使用沒有薄膜的EUV掩模有關(guān)。薄膜是掩模上的薄膜膜覆蓋物（無(wú)論波長(zhǎng)如何：EUV、DUV和i-line），用于防止顆粒......
英偉達(dá)預(yù)計(jì)推出針對(duì)中國(guó)大陸市場(chǎng)的新款降規(guī)芯片，以Blackwell為架構(gòu)，初步名稱為「B30A」最新消息指出，該晶片采用雙晶片設(shè)計(jì)，搭配HBM3E內(nèi)存，使用臺(tái)積電N4P制程，為5納米的強(qiáng)化版本，預(yù)計(jì)在今年第四季亮相。 外......
臺(tái)積電排除萬(wàn)難實(shí)現(xiàn)芯片「美國(guó)制造」，再度替印度、越南、卡塔爾等重燃芯片大夢(mèng)。半導(dǎo)體業(yè)者透露，地緣政治下，歐、美、日以強(qiáng)大國(guó)力實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體制造目標(biāo)，屬于第一梯次，新加坡與馬來(lái)西亞也全力補(bǔ)強(qiáng)實(shí)力。 印度、越南、中東則是第三梯次......
隨著臺(tái)積電的 2 納米工藝計(jì)劃于 2025 年下半年量產(chǎn)，多家主要客戶已經(jīng)加入，中國(guó)臺(tái)灣的聯(lián)發(fā)科是最新加入者。這家手機(jī)芯片制造商今天宣布，其首個(gè)旗艦 SoC 在臺(tái)積電的 2 納米工藝上成功流片，量產(chǎn)計(jì)劃定于 2026 年......
日前，LGES與現(xiàn)代汽車合資的電池工廠在美國(guó)格魯吉亞州遭美國(guó)國(guó)安與移民部門突襲查緝，導(dǎo)致300多名韓籍員工被拘留。這一事件引發(fā)韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界的高度關(guān)注，尤其是三星位于德州泰勒市的半導(dǎo)體工廠，其簽證問題也成為焦點(diǎn)。據(jù)韓媒《......
2021 年，全球汽車制造商因無(wú)法獲得一美元微控制器而停止生產(chǎn)。先進(jìn)半導(dǎo)體的等待時(shí)間從 12 周躍升至超過 26 周，這表明全球供應(yīng)鏈已經(jīng)變得多么脆弱。良率損失和制造缺陷不僅僅是技術(shù)問題，它們是影響采購(gòu)領(lǐng)導(dǎo)者、供應(yīng)鏈經(jīng)理......
隔離芯片：NSi6602VA存儲(chǔ)芯片： MX25L51245GZ2IRTC芯片：PT7C4563BWEXPHY芯片：RTL8261BE-CGPOE芯片：sk49781LDO芯片：TPL910ADJALDO芯片：TPL93......
臺(tái)積電迎來(lái)AI成長(zhǎng)黃金期！ 隨著2納米制程進(jìn)入量產(chǎn)，成長(zhǎng)動(dòng)能將由HPC貢獻(xiàn)。 業(yè)者認(rèn)為，2026年除手機(jī)大廠將使用臺(tái)積電2納米外，AMD以2納米打造的HPC（高效能運(yùn)算）芯片也將于明年登場(chǎng); 面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)，供應(yīng)鏈消息直指英偉......
國(guó)政府的一份帖子顯示，美國(guó)周五對(duì)兩家為中國(guó)頂級(jí)芯片制造商中芯國(guó)際公司（SMIC，中芯國(guó)際）購(gòu)買美國(guó)芯片制造設(shè)備的中國(guó)公司進(jìn)行了處罰，其中包括被列入美國(guó)商務(wù)部限制貿(mào)易名單的 32 家實(shí)體之一。32 個(gè)中有 23 個(gè)在中國(guó)。......
臺(tái)積電承受了地緣政治巨大風(fēng)險(xiǎn)壓力，在外界不看好下，不得不宣布高成本的長(zhǎng)期海外擴(kuò)產(chǎn)大計(jì)。 其中，美國(guó)亞利桑那首座廠建置難關(guān)重重，人才、成本與法令的困難接二連三出現(xiàn)，臺(tái)積電與相關(guān)廠務(wù)、設(shè)備及材料供應(yīng)鏈，正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。......
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