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臺(tái)積電晶背供電A16來(lái)襲英偉達(dá)不畏價(jià)高有望率先采用

臺(tái)積電迎來(lái)AI成長(zhǎng)黃金期！隨著2納米制程進(jìn)入量產(chǎn)，成長(zhǎng)動(dòng)能將由HPC貢獻(xiàn)。業(yè)者認(rèn)為，2026年除手機(jī)大廠將使用臺(tái)積電2納米外，AMD以2納米打造的HPC（高效能運(yùn)算）芯片也將于明年登場(chǎng); 面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)，供應(yīng)鏈消息直指英偉達(dá)已考慮導(dǎo)入最先進(jìn)制程，也就是臺(tái)積電明年下半年量產(chǎn)的A16（擁有晶背供電版本的2納米制程），這將是由AI應(yīng)用第一次主導(dǎo)臺(tái)積電最先進(jìn)制程的重要轉(zhuǎn)折。業(yè)界透露，這是英偉達(dá)繼之前0.11微米以來(lái)，再次使用臺(tái)積電最先進(jìn)制程技術(shù)制作芯片。法人看好，未來(lái)AI相關(guān)營(yíng)收貢獻(xiàn)增速，明年其資本支出將再締新猷
關(guān)鍵字：臺(tái)積電晶背供電 A16 英偉達(dá)

一些芯片大廠近期宣布在其邏輯芯片的開(kāi)發(fā)藍(lán)圖中導(dǎo)入晶背供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）。比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本文攜手硅智財(cái)公司Arm，介紹一種展示特定晶背供電網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）方案，其中采用了奈米硅穿孔及埋入式電源軌來(lái)進(jìn)行晶背布線。他們展示如何在高效能運(yùn)算應(yīng)用充分發(fā)揮該晶背供電網(wǎng)絡(luò)的潛力，并介紹在標(biāo)準(zhǔn)單元進(jìn)行晶背連接的其它設(shè)計(jì)選擇，探察晶背直接供電方案所能發(fā)揮的最大微縮潛能。長(zhǎng)久以來(lái)，訊號(hào)處理與供電網(wǎng)絡(luò)都在硅晶圓正面進(jìn)行，晶背供電技術(shù)打破了這種傳統(tǒng)，把整個(gè)配電網(wǎng)絡(luò)都移到晶圓背面。硅穿
關(guān)鍵字：晶背供電 DTCO 晶背連接

比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國(guó)際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）透過(guò)這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對(duì)
關(guān)鍵字： imec 晶背供電邏輯IC 布線 3D IC

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