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沒有薄膜的EUV光刻：低產(chǎn)量的解釋

雖然隨機(jī)缺陷將產(chǎn)量與其量子性質(zhì)導(dǎo)致的EUV光刻的實(shí)際分辨率聯(lián)系起來[1]，但EUV工藝的極低產(chǎn)量更容易與使用沒有薄膜的EUV掩模有關(guān)。薄膜是掩模上的薄膜膜覆蓋物（無論波長(zhǎng)如何：EUV、DUV和i-line），用于防止顆粒落在掩模上的圖案上。顆?？梢月湓诒∧ど?，但它們不會(huì)打印，因?yàn)樗鼈儠?huì)失焦。如果沒有薄膜，僅僅是讓一些顆粒落在掩模上，產(chǎn)量就會(huì)顯著下降[2]。令人驚訝的是，最近有報(bào)道稱，EUV用戶通常不使用薄膜[3,4]。關(guān)鍵原因是薄膜可能會(huì)因EUV光照射而損壞甚至破裂[5]。臺(tái)積電還在2023年報(bào)告稱，其E
關(guān)鍵字：薄膜 EUV光刻低產(chǎn)量

2022 年，半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模約為 0.6 萬億美元，商業(yè)分析師預(yù)計(jì)到 2030 年將翻一番 1.0 萬億美元至 1.3 萬億美元。半導(dǎo)體制造業(yè)的大幅增長(zhǎng)可以在光刻工藝中體現(xiàn)出。光刻是一種圖案化過程，將平面設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)移到晶圓基板的表面，創(chuàng)造復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，如晶體管和線互連。這是通過通過復(fù)雜的多步過程選擇性地將光敏聚合物或光刻膠暴露于特定波長(zhǎng)的光下來完成的。最近，光刻技術(shù)的進(jìn)步在生產(chǎn)最先進(jìn)的半導(dǎo)體方面創(chuàng)造了競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，使人工智能（AI）、5G 電信和超級(jí)計(jì)算等最先進(jìn)的技術(shù)成為可能。因此，先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)會(huì)影響國(guó)家安全和
關(guān)鍵字： EUV光刻

半導(dǎo)體制造中微型化的進(jìn)展使得光刻掩膜和晶圓上的幾何圖形不斷增加。準(zhǔn)確模擬這些圖形產(chǎn)生的衍射要求運(yùn)用精 ...
關(guān)鍵字：光學(xué)光刻 EUV光刻掩膜晶圓形貌

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