海力士 文章 最新資訊
因涉嫌向中國泄露DRAM技術(shù)被捕的三星、海力士前高管獲保釋
- 據(jù)悉，三星電子和海力士半導(dǎo)體（現(xiàn)SK海力士）前高管崔振錫因向中國泄露三星電子自主研發(fā)的投資4萬億韓元的DRAM工藝技術(shù)而被起訴，在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級法官）15日批準(zhǔn)崔某保釋。崔于去年9月因違反《防止泄露和保護(hù)工業(yè)技術(shù)法》等罪名被捕起訴，并于今年3月被額外起訴。根據(jù)《刑事訴訟法》，一審拘留期為六個月。法院在拘留期屆滿前依職權(quán)準(zhǔn)予保釋。此外，據(jù)報道，與崔一起被捕并被起訴的前三星電子高級研究員吳氏已于 8 月 28 日被保釋。吳某于同月21日申請保釋，法院受理。
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SK 海力士據(jù)報道與客戶協(xié)商價格調(diào)整，跟隨美光和三星
- 存儲巨頭們正準(zhǔn)備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據(jù) SeDaily 和 Business Korea 報道，正與客戶協(xié)商根據(jù)市場條件調(diào)整價格。在三大巨頭中，美光是第一個宣布提價的，據(jù) EE Times China9 月 12 日報道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價格將上漲 20%-30%，提價不僅涉及消費(fèi)級和工業(yè)級存儲，還包括汽車電子，后者的價格漲幅可能達(dá)到 70%。行業(yè)消息來源還表
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SK 海力士完成全球首款 HBM4，量產(chǎn)準(zhǔn)備就緒，待英偉達(dá)批準(zhǔn)
- SK hynix 今日宣布，已完成 HBM4 的開發(fā)，并最終準(zhǔn)備好大規(guī)模生產(chǎn)——成為世界上首家完成這一壯舉的公司。根據(jù)其新聞稿，該公司現(xiàn)在已準(zhǔn)備好按照客戶的時間表交付頂級 HBM4。在其新聞稿中，SK hynix 強(qiáng)調(diào)，其現(xiàn)已成為大規(guī)模生產(chǎn)準(zhǔn)備的 HBM4 提供了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的數(shù)據(jù)處理速度和能效。通過采用 2,048 個 I/O 端，帶寬已翻倍——是上一代的兩倍，而能效提高了 40%以上。該公司還預(yù)計 HBM4 將使 AI 服務(wù)性能提高高達(dá) 69%，有助于克服數(shù)據(jù)瓶頸，并顯著降低數(shù)據(jù)中心電力成本，據(jù)
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美國政府考慮為三星和 SK 海力士向其中國晶圓廠供應(yīng)設(shè)備發(fā)放年度許可證
- 據(jù)《彭博社》報道，國政府似乎正在考慮用年度許可證取代為三星和 SK 海力士的無限期晶圓廠設(shè)備出口許可的決定。這一決定將增加顯著的監(jiān)管復(fù)雜性，但至少可以維持晶圓廠運(yùn)營的連續(xù)性，這意味著不會擾亂全球 DRAM 和 NAND 存儲器的高波動供應(yīng)。以前，三星和 SK 海力士在經(jīng)過驗證的最終用戶（VEU）狀態(tài)下運(yùn)營，這使他們能夠根據(jù)事先遵守美國安全和監(jiān)控措施，獲得進(jìn)口受限晶圓廠設(shè)備（WFE）到其中國晶圓廠的全面批準(zhǔn)，這大大簡化了他們的運(yùn)營。這些許可將于今年年底到期。作為 VEU 的替代方案，美國商務(wù)部最近向韓國官員
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ASML 和 SK hynix 在韓國的工廠組裝了業(yè)界首個“商用”High NA EUV 系統(tǒng)
- ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配備 0.55 NA 鏡頭，實現(xiàn) 8 納米分辨率——而當(dāng)前 Low-NA EUV 工具的分辨率僅為 13 納米——使得單次曝光下晶體管尺寸縮小 1.7 倍，晶體管密度提高 2.9 倍。雖然 Low-NA 工具可以通過昂貴的多重圖形匹配來達(dá)到這一效果，但 High-NA EUV 簡化了光刻步驟，盡管這帶來了新的技術(shù)挑戰(zhàn)。鑒于 High-NA EUV 機(jī)器的能力，芯片制造商可以避免雙重或三重 EUV 圖形匹配，因此 NXE:5200B 將首先用于快速推進(jìn)下一
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中國抨擊美國撤銷英特爾、三星和海力士的 VEU 授權(quán)
- 周六，中國商務(wù)部回應(yīng)了美國撤銷英特爾、三星和海力士在中國制造業(yè)務(wù)的“驗證最終用戶”（VEU）授權(quán)的決定。周五，美國商務(wù)部宣布將英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司、三星中國半導(dǎo)體有限公司和SK海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司從VEU名單中刪除。VEU 授權(quán)允許受美國限制的出口商將某些高科技民用物品運(yùn)送到預(yù)先批準(zhǔn)的實體，而無需為每批貨物單獨(dú)出口許可證。中國商務(wù)部將美國此舉描述為“出于美國的政治動機(jī)和自身利益”，并“將出口管制變成政治工具和武器”，以遏制中國在半導(dǎo)體技術(shù)方面的發(fā)展。該部還表示，美國。是“故意擾亂和破壞全球
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美國撤銷對三星、SK 海力士的中國芯片制造工具許可證：解碼市場影響
- 三星和 SK 海力士雖然暫時免于美國政府入股的風(fēng)險，但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進(jìn)口美國芯片制造設(shè)備——根據(jù) 路透社和 彭博社的數(shù)據(jù)，三星和 SK 海力士在中國遇到了新的障礙 。正如聯(lián)邦文件所示，報告表明撤銷將在 120 天后開始。報道補(bǔ)充說，值得注意的是，美國政府表示將批準(zhǔn)三星和 SK 海力士的許可，以維持其在中國現(xiàn)有晶圓廠的運(yùn)營，但不會批準(zhǔn)產(chǎn)能擴(kuò)張或技術(shù)升級。路透社指出，英特爾也上市，盡管它已經(jīng)在今年早些時候通過出售其大連工廠
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據(jù)報道，英偉達(dá)在 2025 年上半年驅(qū)動了 SK 海力士 27%的收入，鞏固了 AI 芯片合作
- 作為英偉達(dá) HBM3 和 HBM3e 的關(guān)鍵供應(yīng)商，也是人工智能繁榮的主要受益者，SK 海力士在其最新發(fā)布的 2025 年半年度報告中展示了其強(qiáng)大的行業(yè)地位，突出了與美國芯片巨頭的緊密合作關(guān)系。據(jù) Yonhap News 報道，該公司僅從英偉達(dá)處在本年度上半年就據(jù)報道賺取了約 110 萬億韓元收入。值得注意的是，據(jù) SK 海力士提供的數(shù)據(jù)，Yonhap 報道稱，來自單個“主要客戶”的收入在 2025 年上半年達(dá)到了 108.9 萬億韓元。同期，SK 海力士合并總收入為 398.7 萬億
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SOCAMM 在 HBM 之后點(diǎn)燃新的內(nèi)存戰(zhàn)——三星和 SK 海力士加入競爭
- 據(jù)稱，英偉達(dá)今年計劃采購高達(dá) 80 萬個 SOCAMM 單位，三大內(nèi)存巨頭之間一個新的戰(zhàn)場正在形成。美國美光似乎正在領(lǐng)先，據(jù)報道，美光已開始為英偉達(dá)生產(chǎn) SOCAMM 模塊。與此同時，三星和 SK 海力士正積極加入競爭。以下是他們最新的進(jìn)展。什么是 SOCAMM？如 Hansbiz 所述，SOCAMM（小型輪廓壓縮附加內(nèi)存模塊）是一種新型服務(wù)器內(nèi)存模塊，使用低功耗 DRAM（LPDDR），并針對現(xiàn)有 HBM 無法完全支持的負(fù)載。韓國 Herald 解釋說，SOCAMM 垂直堆
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據(jù)報道，2026 年 HBM 價格面臨兩位數(shù)下跌風(fēng)險，對 SK hynix 構(gòu)成挑戰(zhàn)
- 隨著英偉達(dá)以及 Meta、谷歌等云巨頭加大 AI 投入，推動 HBM 需求增長，分析師警告明年可能面臨價格下跌。據(jù)高盛稱，經(jīng)濟(jì)日報報道，競爭加劇和供過于求可能導(dǎo)致 2026 年首次出現(xiàn) HBM 價格下跌——這對市場領(lǐng)導(dǎo)者 SK hynix 構(gòu)成挑戰(zhàn)。值得注意的是，據(jù)高盛稱，2026 年 HBM 價格可能下跌兩位數(shù)。此外，競爭加劇以及定價權(quán)向主要客戶轉(zhuǎn)移（SK hynix 受影響嚴(yán)重）可能擠壓該公司的利潤空間，高盛警告稱。根據(jù)高盛的預(yù)測，HBM 價格下降的趨勢可能歸因于主要參與者 HBM 比特供應(yīng)的顯著增加
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SK 海力士據(jù)報與英偉達(dá)、微軟合作推動定制 HBM4E，三星則與 HBM4 保持差距
- 隨著三星加速 1c DRAM 開發(fā)，試圖在 HBM4 競爭中奪回失地，當(dāng)前領(lǐng)導(dǎo)者 SK 海力士正與科技巨頭合作推出定制 HBM 解決方案。據(jù)《 韓國經(jīng)濟(jì)日報 》報道，其首款定制 HBM——可能是 HBM4E——預(yù)計將在 2026 年下半年推出。報道顯示，SK 海力士已經(jīng)贏得了包括英偉達(dá)、微軟和高通在內(nèi)的主要客戶，使其成為定制和通用 AI 內(nèi)存市場的領(lǐng)先者。值得注意的是，SK 海力士最近開始根據(jù)客戶需求定制 HBM，報道補(bǔ)充說，英偉達(dá)緊張的生產(chǎn)進(jìn)度影響了其合作伙伴的選擇。定制 HBM 更
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消息稱 SK 海力士將獨(dú)家供應(yīng)英偉達(dá) 12 層 HBM3E 芯片
- 3 月 18 日消息，據(jù)臺媒 digitimes 今日消息，SK 海力士預(yù)計將獨(dú)家供應(yīng)英偉達(dá) Blackwell Ultra 架構(gòu)芯片第五代 12 層 HBM3E，預(yù)期與三星電子、美光的差距將進(jìn)一步拉大。SK 海力士于去年 9 月全球率先開始量產(chǎn) 12 層 HBM3E 芯片，實現(xiàn)了最大 36GB 容量。12 層 HBM3E的運(yùn)行速度可達(dá) 9.6Gbps，在搭載四個 HBM 的 GPU 上運(yùn)行‘Llama 3 70B’大語言模型時每秒可讀取 35 次 700 億個整體參數(shù)的水平。去年 11 月，SK
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SK海力士推出首款自研CXL控制器：臺積電負(fù)責(zé)制造
- 2月19日消息，據(jù)報道，SK海力士已經(jīng)準(zhǔn)備好首款自研CXL（Compute Express Link）控制器，支持CXL 3.0/3.1標(biāo)準(zhǔn)，由臺積電（TSMC）負(fù)責(zé)制造，選擇更為先進(jìn)的工藝。同時，SK海力士還在積極推進(jìn)2.5D和扇出晶圓級封裝（FOWLP）技術(shù)的開發(fā)，并計劃將相關(guān)芯片技術(shù)商業(yè)化。據(jù)消息透露，SK海力士計劃從2025年第一季度末開始批量生產(chǎn)基于CXL標(biāo)準(zhǔn)的DDR5內(nèi)存模塊，進(jìn)一步鞏固其在高端內(nèi)存市場的領(lǐng)先地位。CXL作為一種開放性的互聯(lián)協(xié)議，能夠?qū)崿F(xiàn)CPU與GPU、FPGA或其他加速器之間
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消息稱三星和 SK 海力士達(dá)成合作，聯(lián)手推動 LPDDR6-PIM 內(nèi)存
- 12 月 3 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 昨日報道，三星電子和 SK 海力士正在合作標(biāo)準(zhǔn)化 LPDDR6-PIM 內(nèi)存產(chǎn)品。該合作伙伴關(guān)系旨在加快專門用于人工智能（AI）的低功耗存儲器標(biāo)準(zhǔn)化。報道提到，兩家公司已經(jīng)確定，有必要建立聯(lián)盟，以使下一代存儲器符合這一趨勢。報道還稱，三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段，正在進(jìn)行向聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會（JEDEC）注冊標(biāo)準(zhǔn)化的初步工作。目前正在討論每一個需要標(biāo)準(zhǔn)化項目的適當(dāng)規(guī)格?！?圖源三星PIM 內(nèi)存技術(shù)是一種將存儲和計
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消息稱 SK 海力士收縮 CIS 業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦 HBM 等高利潤產(chǎn)品
- 10 月 17 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r間昨日報道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦高利潤產(chǎn)品 HBM 以及 CXL 內(nèi)存、PIM、AI SSD 等新興增長點(diǎn)。SK 海力士今年減少了對 CIS 業(yè)務(wù)的研發(fā)投資，同時月產(chǎn)能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場三大巨頭索尼、三星、豪威共占據(jù) 3/4 市場份額，SK 海力士僅以 4% 排在第六位，遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于競爭對手。同時，SK 海力
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海力士介紹
海力士半導(dǎo)體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導(dǎo)體銷量巨頭之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM，后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價格出售TFT LCD業(yè)務(wù)，同年他們開發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。
價格操控與處份
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