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Linux下ColdFire片內(nèi)SRAM的應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計(jì)
- Linux下ColdFire片內(nèi)SRAM的應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計(jì),本文以MP3解碼器為例，介紹了一種在嵌入式Linux系統(tǒng)下配置使用處理器片內(nèi)SRAM的應(yīng)用方案，有效提高了代碼的解碼效率，降低了執(zhí)行功耗。該方案不論在性能還是成本上都得到了很大改善。1 硬件平臺(tái)和軟件架構(gòu)硬件平臺(tái)采
- 關(guān)鍵字： 優(yōu)化 設(shè)計(jì) 應(yīng)用程序 SRAM ColdFire 片內(nèi) Linux
使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)
- 使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開(kāi)發(fā)人員所采用的利器，因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。如圖1a中所示的那樣
- 關(guān)鍵字： SoC 存儲(chǔ)器 設(shè)計(jì) ASIC 嵌入式 SRAM 工藝 實(shí)現(xiàn) 使用
NVE對(duì)Everspin提自旋電子MRAM專(zhuān)利侵權(quán)訴訟
- 專(zhuān)門(mén)授權(quán)自旋電子(spintronics)磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)技術(shù)的自旋電子組件開(kāi)發(fā)商N(yùn)VR公司表示，該公司已于美國(guó)聯(lián)邦法院對(duì) MRAM 供貨商Everspin Technologies提出侵權(quán)訴訟，以捍衛(wèi)其自旋電子 MRAM 專(zhuān)利技術(shù)。 NVE公司指出，在美國(guó)明尼蘇達(dá)州地方法院提起的這項(xiàng)訴訟案指控Everspin侵犯了NVE公司的三項(xiàng) MRAM 專(zhuān)利。根據(jù)NVE公司表示，該侵權(quán)訴訟將尋求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止繼續(xù)使用該技術(shù)，并針對(duì)其侵權(quán)行為造成的NVE財(cái)務(wù)損失進(jìn)行
- 關(guān)鍵字： NVE 內(nèi)存 MRAM
富士通與SuVolta展示其SRAM可在0.4伏低壓下工作
- 富士通半導(dǎo)體有限公司和SuVolta公司宣布，通過(guò)將SuVolta的PowerShrink 低功耗CMOS與富士通半導(dǎo)體的低功耗工藝技術(shù)集成，已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ))模塊可以正常運(yùn)行。這些技術(shù)降低能耗，為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細(xì)節(jié)和結(jié)果會(huì)在12月5日開(kāi)始在華盛頓召開(kāi)的2011年國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上發(fā)表。 從移動(dòng)電子產(chǎn)品到因特網(wǎng)共享服務(wù)器，以及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應(yīng)電
- 關(guān)鍵字： 富士通 SRAM
富士通和SuVolta展示低電壓工作的SRAM模塊
- 富士通半導(dǎo)體和SuVolta宣布，通過(guò)將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導(dǎo)體的低功耗工藝技術(shù)集成，已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ))模塊可以正常運(yùn)行。這些技術(shù)降低能耗，為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細(xì)節(jié)和結(jié)果將會(huì)在12月5日開(kāi)始在華盛頓召開(kāi)的2011年國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上發(fā)表。 從移動(dòng)電子產(chǎn)品到因特網(wǎng)共享服務(wù)器，以及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應(yīng)電壓又是決定功耗的重要因素
- 關(guān)鍵字： 富士通 SRAM
富士通半導(dǎo)體與SuVolta攜手合作
- 富士通半導(dǎo)體有限公司和SuVolta，Inc今日宣布，通過(guò)將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導(dǎo)體的低功耗工藝技術(shù)集成，已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下，SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ))模塊可以正常運(yùn)行。這些技術(shù)降低能耗，為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細(xì)節(jié)和結(jié)果將會(huì)在12月5日開(kāi)始在華盛頓召開(kāi)的2011年國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上發(fā)表。
- 關(guān)鍵字： 富士通 SuVolta SRAM
MRAM熱輔助寫(xiě)入 為實(shí)現(xiàn)20nm以下工藝所必需
- 法國(guó)研究機(jī)構(gòu)SPINTEC與開(kāi)發(fā)MRAM技術(shù)的Crocus Technology共同開(kāi)發(fā)出了將熱輔助切換(Thermally Assisted Switching：TAS)用于垂直磁化方式MTJ元件的STT-MRAM技術(shù)。并在2011年10月31日于美國(guó)亞利桑那(Arizona)州斯科茨戴爾(Scottsdale)開(kāi)幕的磁技術(shù)國(guó)際會(huì)議“56th MMM”的首日進(jìn)行了發(fā)布。 TAS技術(shù)是一項(xiàng)邊用加熱器對(duì)MTJ元件存儲(chǔ)層進(jìn)行加熱，邊寫(xiě)入數(shù)據(jù)的技術(shù)。對(duì)存儲(chǔ)層進(jìn)行加熱后，矯頑力會(huì)
- 關(guān)鍵字： MRAM 20nm
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