sram & mram 文章 最新資訊
TMS320C61416 EMIF下雙FPGA加載設(shè)計(jì)
- 基于SRAM結(jié)構(gòu)的FPGA容量大，可重復(fù)操作，應(yīng)用相當(dāng)廣泛;但其結(jié)構(gòu)類似于SRAM，掉電后數(shù)據(jù)丟失，因此每次上電時都需重新加載。 目前實(shí)現(xiàn)加載的方法通常有兩種：一種是用專用Cable通過JTAG口進(jìn)行數(shù)據(jù)加載，另一種是外掛與該FPGA廠商配套的PROM芯片。前者需要在PC機(jī)上運(yùn)行專用的加載軟件，直接下載到FPGA片內(nèi)，所以掉電數(shù)據(jù)仍然會丟失，只適用于FPGA調(diào)試階段而不能應(yīng)用于工業(yè)現(xiàn)場的數(shù)據(jù)加載。 后者雖然可以解決數(shù)據(jù)丟失問題，但這種專用芯片成本較高，供貨周期也較長(一般大于2個月)，使F
- 關(guān)鍵字： SRAM TMS320C61416 FPGA
鐵電存儲器1T單元C-V特性的計(jì)算機(jī)模擬
- 鐵電存儲器同時具備可存儲大量資料的動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM)與高速運(yùn)作的靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的優(yōu)點(diǎn)，且在斷電后，資料不會消失，亦具備快閃存儲器的優(yōu)點(diǎn)。在所有非易失性存儲器(NVM)中，鐵電存儲器件被認(rèn)為是最有吸引力的用于IT的存儲器件之一[1]。1T單元體積更小，集成度更高。特別是這種方式易于實(shí)現(xiàn)多值存儲，在相同規(guī)模下可以達(dá)到更高的存儲容量，因而在提高性價比方面具有極大的優(yōu)勢。 為了系統(tǒng)地從理論上研究鐵電存儲器IT單元特性，米勒首先提出了數(shù)學(xué)模型[2]。后人也有用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)、依據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)得到的
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基于DBL結(jié)構(gòu)的嵌入式64kb SRAM的低功耗設(shè)計(jì)
- 針對嵌入式系統(tǒng)的低功耗要求，采用位線分割結(jié)構(gòu)和存儲陣列分塊譯碼結(jié)構(gòu)，完成了64 kb低功耗SRAM模塊的設(shè)計(jì)。 與一般布局的存儲器相比，采用這兩種技術(shù)使存儲器的功耗降低了43% ，而面積僅增加了18%。
- 關(guān)鍵字： DBL 嵌入式系統(tǒng) SRAM 低功耗 嵌入式
用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應(yīng)用
- 摘要：首先對采用SRAM工藝的FPGA的保密性和加密方法進(jìn)行原理分析，然后提出一種實(shí)用的采用單片機(jī)產(chǎn)生長偽隨機(jī)碼實(shí)現(xiàn)加密的方法，并詳細(xì)介紹具體的電路和程序。 關(guān)鍵詞：靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM） 現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA） 加密 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進(jìn)行克隆
- 關(guān)鍵字： 靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM） 現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA） 加密 MCU和嵌入式微處理器
相變內(nèi)存成為研發(fā)熱點(diǎn) 趕超F(xiàn)eRAM與MRAM
- 相變內(nèi)存(Phase Change Memory，PCM)是近年來內(nèi)存業(yè)界熱門研發(fā)主題之一，針對此一新式內(nèi)存技術(shù)發(fā)展趨勢與廠商專利現(xiàn)況，工研院IEK-ITIS計(jì)劃發(fā)表最新研究報(bào)告指出，臺灣地區(qū)已有不少廠商投入該技術(shù)的研發(fā)，相較于FeRAM與MRAM，在PCM領(lǐng)域發(fā)展機(jī)會較大。 工研院IEK-ITIS計(jì)劃分析師陳俊儒表示，相變化材料在1970年代開始有重量級的公司投入研究資源，但受限于當(dāng)時半導(dǎo)體工藝技術(shù)，相變化材料在2000年以前的商業(yè)應(yīng)用還是以光盤片為主
- 關(guān)鍵字： 消費(fèi)電子 內(nèi)存 研發(fā) MRAM 存儲器 消費(fèi)電子
單片機(jī)SRAM工藝的FPGA加密應(yīng)用
- 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進(jìn)行克隆設(shè)計(jì)。因此，在關(guān)鍵、核心設(shè)備中，必須采用加密技術(shù)保護(hù)設(shè)計(jì)者的知識產(chǎn)權(quán)。 1 基于SRAM工藝FPGA的保密性問題 通常，采用SRAM工藝的
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) SRAM FPGA 加密 嵌入式
揚(yáng)長補(bǔ)短發(fā)展FeRAM
- 存儲器在半導(dǎo)體行業(yè)就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當(dāng)做單獨(dú)的存儲元件，有數(shù)據(jù)計(jì)算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當(dāng)前的主流半導(dǎo)體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應(yīng)用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。 易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)，但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術(shù)，包
- 關(guān)鍵字： DRAM FeRAM RAM SRAM 存儲器
瑞薩科技與松下開發(fā)新SRAM制造技術(shù)
- 瑞薩科技（Renesas Technology Corp.）與松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司宣布，共同開發(fā)出一種新技術(shù)，可以使45nm工藝傳統(tǒng)CMOS的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）穩(wěn)定工作。這種SRAM可嵌入在SoC（系統(tǒng)(集成)芯片）器件和微處理器（MPU）當(dāng)中。經(jīng)測試證實(shí)，采用該技術(shù)的512Kb SRAM的實(shí)驗(yàn)芯片，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩(wěn)定工作，而且在工藝發(fā)生變化時具有較大的工作電壓范圍裕量。用于實(shí)驗(yàn)的SRAM芯片采用45nm CMOS工藝生產(chǎn)，集成了兩種不同的存儲單元設(shè)計(jì)，一個元
- 關(guān)鍵字： SRAM 瑞薩科技 松下 存儲器
MRAM：內(nèi)存的新潮流(下)
- Freescale所提供的MRAM替代性方案在Freescale的器件中，自由的和固定的磁體層并不是單純的鐵磁板。相反，它們是合成的反鐵磁體(synthetic antiferromagnet，SAF)三明治結(jié)構(gòu)，由兩個反向?qū)?zhǔn)的鐵磁材料層以及兩層材料之間所夾的一層非磁性材料耦合隔層而組成。圖2示出了一個SAF位單元。SAF三明治結(jié)構(gòu)產(chǎn)生磁致電阻效應(yīng)的能力并不會因?yàn)樗幕旌鲜浇Y(jié)構(gòu)而受到影響。對準(zhǔn)和反對準(zhǔn)只取決于MTJ結(jié)構(gòu)兩側(cè)相對的兩層材料。將兩層板材組成SAF，就可以讓每層板變成“磁矩平衡”—凈外磁場為零
- 關(guān)鍵字： 0702_A MR2A16A MRAM 消費(fèi)電子 雜志_技術(shù)長廊 存儲器 消費(fèi)電子
新一代非易失性存儲器——NVSRAM的原理和應(yīng)用
- 摘要： 本文介紹了針對高端存儲應(yīng)用的最新非易失性存儲器NVSRAM?？梢愿鶕?jù)應(yīng)用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲器架構(gòu)。關(guān)鍵詞： Flash；EEPROM；SRAM；NVSRAM 概述眾所周知，在非易失性存儲器領(lǐng)域，市場熱度節(jié)節(jié)攀升。近日，SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫，即為非易失性SRAM。本文將比較各類非易失性存儲器，并介紹NVSRAM的特點(diǎn)和優(yōu)勢， NVSRAM 的應(yīng)用以及工作方式。 非易失性存儲器應(yīng)用
- 關(guān)鍵字： 0701_A NVSRAM SRAM 消費(fèi)電子 雜志_技術(shù)長廊 存儲器 消費(fèi)電子
MRAM：內(nèi)存的新潮流(上)
- 摘要： Freescale運(yùn)用自旋電子技術(shù)制作了新的非易失性RAM，本文對此進(jìn)行了詳細(xì)介紹。關(guān)鍵詞： MRAM；自旋電子；位線；字線 在半導(dǎo)體業(yè)界，微處理器是一種更有魅力，利潤更高，而且更難以設(shè)計(jì)的產(chǎn)品，而內(nèi)存芯片在推動半導(dǎo)體技術(shù)向前發(fā)展的過程中則會起到關(guān)鍵性的作用。Intel早期的成功，來源于其1970年推出的、當(dāng)時業(yè)界第一款DRAM芯片，1kb的1103。兩年后，1103成為業(yè)界銷售情況最好的內(nèi)存芯片，在很多新的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中取代了磁芯存儲器。DRAM在過去的歲月中成為半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展
- 關(guān)鍵字： 0701_A MRAM 消費(fèi)電子 雜志_技術(shù)長廊 存儲器 消費(fèi)電子
用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應(yīng)用
- 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進(jìn)行克隆設(shè)計(jì)。因此，在關(guān)鍵、核心設(shè)備中，必須采用加密技術(shù)保護(hù)設(shè)計(jì)者的知識產(chǎn)權(quán)。 1 基于SRAM工藝FPGA的保密性問題 通常，采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法主要有三種：由計(jì)算機(jī)通過下載電纜配置、用專用配置芯片（如Altera公司的EPCX系列芯片）配置、采用存儲器
- 關(guān)鍵字： FPGA SRAM 單片機(jī) 加密 嵌入式系統(tǒng) 存儲器
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