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瑞薩電子超高算力RA8系列新增兩款MCU產(chǎn)品，搭載1GHz雙核7300 CoreMark跑分及嵌入式MRAM技術(shù)
- 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出RA8M2和RA8D2微控制器（MCU）產(chǎn)品。全新MCU產(chǎn)品基于1GHz Arm? Cortex?-M85處理器（可選配250MHz Arm? Cortex?-M33處理器），以7300 CoreMark的原始計算性能刷新行業(yè)基準(zhǔn)，實現(xiàn)業(yè)界卓越的計算效能?？蛇x配的Cortex?-M33處理器有助于實現(xiàn)高效的系統(tǒng)分區(qū)和任務(wù)隔離。RA8M2與RA8D2同屬RA8系列第二代超高性能MCU——RA8M2為通用型產(chǎn)品，RA8D2 MCU則集成多種高端圖形外設(shè)。它們與瑞薩今
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特斯拉集團(tuán)與SRAM & MRAM攜手建設(shè)全球電動汽車電池超級工廠
- 據(jù)印度報業(yè)托拉斯報道，為大力推動電動汽車（EV）電池制造發(fā)展，特斯拉集團(tuán)與SRAM & MRAM集團(tuán)日前達(dá)成一項價值10億美元的里程碑式合作協(xié)議。此次合作不僅計劃在印度建設(shè)5座先進(jìn)的電動汽車電池超級工廠，還將在包括美國、馬來西亞、阿曼、巴西、阿聯(lián)酋（UAE）和柬埔寨等另外15個國家部署生產(chǎn)網(wǎng)絡(luò)。SRAM & MRAM集團(tuán)董事長Sailesh L Hiranandani強調(diào)了此次合作的重大意義，他表示，雙方將打造全球規(guī)模最大的電動汽車電池制造與儲能供應(yīng)鏈之一。這一舉措體現(xiàn)了各方對可持續(xù)能源解
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首款2nm SRAM，為AI數(shù)據(jù)中心帶來什么？
- SRAM 廣泛用于高性能處理器芯片的緩存。如果芯片無需訪問外部存儲器，其速度甚至可以更快。
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臺積電計劃建立首個歐洲設(shè)計中心瞄準(zhǔn)5納米車用MRAM
- TSMC 將在歐洲建立其第一個設(shè)計中心，并正在尋求汽車應(yīng)用內(nèi)存技術(shù)的重大飛躍。歐盟設(shè)計中心 （EUDC） 將設(shè)在慕尼黑，預(yù)計將專注于汽車，但也將支持工業(yè)應(yīng)用、人工智能 （AI）、電信和物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 的芯片設(shè)計。考慮到這一點，臺積電已對其 28nm 電阻式 RRAM 存儲器進(jìn)行了汽車應(yīng)用認(rèn)證，預(yù)計 12nm 版本將滿足同樣嚴(yán)格的汽車質(zhì)量要求，并計劃推出 6nm 版本。它還計劃推出 5nm MRAM 磁性存儲器。與 MRAM 一起，RRAM 是 16nm 以下工藝技術(shù)上閃存的關(guān)鍵替代品。臺積電的 22
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基于SRAM的FPGA技術(shù)創(chuàng)新： 快速安全啟動機制深度解析
- 在可編程邏輯器件領(lǐng)域，基于SRAM的FPGA經(jīng)常被誤解。這些FPGA具有極高的靈活性和可重新配置特性，是從消費電子到航空航天等各類應(yīng)用的理想選擇。此外，基于SRAM的FPGA還能帶來高性能和低延遲，非常適合實時數(shù)據(jù)處理和高速通信等要求苛刻的任務(wù)。一個常見的誤解是，基于SRAM的FPGA會因啟動時間較長而不堪負(fù)荷。通常的說法是，由于其配置數(shù)據(jù)存儲在片外，特別是在加密和需要驗證的情況下，將這些信息加載到FPGA的過程就成了瓶頸。然而，對于許多基于SRAM的現(xiàn)代FPGA來說，這種觀點并不成立，萊迪思Avant?
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從閃存到MRAM：滿足現(xiàn)代FPGA配置的需求
- 在技術(shù)飛速發(fā)展的今天，新興的航空電子、關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施和汽車應(yīng)用正在重新定義人們對現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應(yīng)用；然而，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及對更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲選項。這種轉(zhuǎn)變的催化劑在于應(yīng)用和行業(yè)的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應(yīng)用的極限，要求在數(shù)據(jù)完整性、系統(tǒng)耐用性和運行效率等方面更進(jìn)一步。現(xiàn)代應(yīng)用需要更先進(jìn)的功能1.更高的耐用性和可靠性：高級駕駛輔助系統(tǒng)和先進(jìn)的互連航空電子技術(shù)等應(yīng)用
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英特爾18A節(jié)點SRAM密度與臺積電持平 背面功率傳輸是一大優(yōu)勢
- 英特爾在國際固態(tài)電路會議 (ISSCC) 上公布了半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的一些有趣進(jìn)展，展示了備受期待的英特爾 18A 工藝技術(shù)的功能。演示重點介紹了 SRAM 位單元密度的顯著改進(jìn)。PowerVia 系統(tǒng)與 RibbonFET (GAA) 晶體管相結(jié)合，是英特爾節(jié)點的核心。該公司展示了其高性能 SRAM 單元的堅實進(jìn)展，實現(xiàn)了從英特爾 3 的 0.03 μm2 減小到英特爾 18A 的 0.023 μm2。高密度單元也顯示出類似的改進(jìn)，縮小到 0.021 μm2。這些進(jìn)步分別代表了 0.77 和
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IMEC，加碼MRAM
- 不只是 imec，當(dāng)下諸多研究機構(gòu)紛紛表示，看好 MRAM。
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鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果
- 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計算和存儲系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術(shù)：氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā)，通過改進(jìn)制造工藝，開發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。高容量交叉點MRAM（磁阻隨機存取存儲器
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【供應(yīng)商亮點】Everspin與Lucid Motors攜手，將MRAM技術(shù)集成至Gravity SUV車型
- Source:Getty/kaptnal專注于磁阻隨機存取存儲器（MRAM）解決方案的美國企業(yè)Everspin Technologies日前宣布將與Lucid Motors合作，在Lucid即將推出的Gravity電動運動型多用途車中使用其PERSYST MRAM產(chǎn)品。Everspin旗下PERSYST產(chǎn)品線中的一款256Kb串行MRAM產(chǎn)品——MR25H256A，將被集成至Lucid的Gravity SUV車型中。Lucid之所以選擇Everspin的MR25H256A MRAM型號，是因為它能夠在較寬
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MRAM，新興的黑馬
- 1956 年，IBM 推出世界上第一個硬盤驅(qū)動器——RAMAC 305，可以存儲 5MB 的數(shù)據(jù)，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤體積巨大如同兩臺冰箱，重量超過一噸，但是卻標(biāo)志著磁盤存儲時代的開始。此后，隨著科技的進(jìn)步，內(nèi)存技術(shù)逐漸發(fā)展。動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），具有較快的讀寫速度，能夠滿足計算機系統(tǒng)在運行過程中對數(shù)據(jù)的快速存取需求。固態(tài)硬盤（SSD）以其高速的讀寫性能、低功耗和抗震動等優(yōu)點，逐漸取代傳統(tǒng)磁盤成為主流存儲設(shè)備之一。存儲技術(shù)仍舊在持續(xù)發(fā)展，近年來新型存儲技術(shù)如雨后春筍般涌現(xiàn)，諸如相
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臺積電新型存儲技術(shù)問世，功耗僅為同類技術(shù)的1%
- 臺積電利用其自身先進(jìn)的制程優(yōu)勢，正在積極推動新型存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
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