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	sram & mram
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
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          中興新型以太網(wǎng)交換機選用賽普拉斯的72-Mbit SRAM
          
                                                            
            
                    	
          • 普拉斯半導體公司日前宣布通訊設備和網(wǎng)絡解決方案供應商中興公司在其新型ZXCME 9500系列以太網(wǎng)交換機中選用了賽普拉斯的QDRtrade;II+ (四倍速trade;) SRAM器件。賽普拉斯的65-nm 72-Mbit QDRII+ SRAM能在目前市場上
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          • 關鍵字：
                        普拉  72-Mbit  SRAM  賽普  選用  新型  以太網(wǎng)  交換機  中興                          
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          基于FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲的設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 基于FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲的設計,　1 前言　針對FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點，提出了將FPGA與外部SRAM相結合來改進設計的方法，并給出了部分VHDL程序?！　? 硬件設計　　這里將主要討論以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS61
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          • 關鍵字：
                        存儲  設計  數(shù)據(jù)  大容量  FPGA  SRAM  基于                          
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          SRAM在網(wǎng)絡中的應用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　同步SRAM的傳統(tǒng)應用領域是搜索引擎，用于實現(xiàn)算法。在相當長的一段時間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲技術的出現(xiàn)，系統(tǒng)設計師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網(wǎng)流)、計數(shù)器、統(tǒng)
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          • 關鍵字：
                        應用  網(wǎng)絡  SRAM                          
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          SRAM特點及工作原理
          
                                                            
            
                    	
          • SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù).　　基本簡介　　SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一
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          • 關鍵字：
                        SRAM  工作原理                            
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          基于SRAM工藝FPGA的保密性問題
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置
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          • 關鍵字：
                        保密性  問題  FPGA  工藝  SRAM  基于                          
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          賽普拉斯推出全球首款32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　賽普拉斯半導體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，擁有非?？斓捻憫獣r間和最小化的封裝尺寸。目標應用領域包括存儲服務器、交換機和路由器、測試設備、高端安全系統(tǒng)和軍事系統(tǒng)。
　　CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速異步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的訪問時間可達12ns。器件采用符合RoHS標準的48-B
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          • 關鍵字：
                        賽普拉斯  SRAM                          
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          分析美光沖得那么快能堅持多久？
          
                                                            
            
                    	
          • 　　編者點評：存儲器是半導體業(yè)的風向標。它的特點起伏大，幾乎每十年有一次大的變動及盈利一年要虧損2-3年。另一個是反映半導體制造工藝能力水平，通常新建生產(chǎn)線會采用SRAM工藝來通線及會盡可能的采用最先進工藝技術。另外存儲器的產(chǎn)值約占半導體的23%，但其投資會占到半導體的40-60%。盡管看似供求市場決定它的周期變化, 非常簡單,然而實際上操作很難。所以韓，美包括臺灣地區(qū)都不會輕易退出此領域。中國是全球最大的半導體市場, 從長遠戰(zhàn)略看不該缺席存儲器。
　　美光公司報道它的季度業(yè)績由虧損3億美元轉變到盈利9
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          • 關鍵字：
                        美光  存儲器  SRAM                          
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           SoC用低電壓SRAM技術
          
                                                            
            
                    	
          • 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類產(chǎn)品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化，可抑制SRAM的最
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          • 關鍵字：
                        SRAM  SoC  低電壓                            
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          瑞薩開發(fā)出40nm高密度新型SRAM電路技術
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　瑞薩電子開發(fā)出了一種新型SRAM電路技術，可克服因微細化而增加的CMOS元件特性不均現(xiàn)象，還能在維持速度的同時，以更小的面積實現(xiàn)合適的工作裕度。以上內(nèi)容是在半導體電路技術相關國際會議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發(fā)布的(論文序號：10.2)。作為40nm工藝的產(chǎn)品，該公司試制出了bit密度達到業(yè)界最高水平的SRAM，并確認了其工作性能。主要用于實現(xiàn)40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。
　　在So
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          • 關鍵字：
                        瑞薩電子  SRAM  CMOS                          
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          東芝發(fā)布40nm工藝SoC用低電壓SRAM技術
          
                                                            
            
                    	
          • 　　東芝在“2010 Symposium on VLSI Technology”(2010年6月15～17日，美國夏威夷州檀香山)上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類產(chǎn)品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化，可抑制SRAM的最小驅動電壓上升。東芝此次證實，單元面積僅為0.24μm2的32Mbit SRAM的驅動電壓可在確保95%以上成品率的情況下降至0.9V。因此，低功耗SoC的驅動電壓可從65n
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          • 關鍵字：
                        東芝  40nm  SoC  SRAM                          
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          賽普拉斯推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　賽普拉斯半導體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，擁有非常快的響應時間和最小化的封裝尺寸。目標應用領域包括存儲服務器、交換機和路由器、測試設備、高端安全系統(tǒng)和軍事系統(tǒng)。

　　CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速異步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的訪問時間可達12ns。器件采用符合RoHS標準的48
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          • 關鍵字：
                        Cypress  SRAM                          
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          Intel繼續(xù)提高緩存密度 FBC有望取代SRAM
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　由于架構方面的需要，Intel處理器通常都配備有大容量緩存，比如Core 2 Quad四核心曾有12MB二級緩存、雙核心Itanium曾有24MB三級緩存?，F(xiàn)在，Intel又準備繼續(xù)提高緩存密度了，而且有意使用新的緩存類 型。2010年度超大規(guī)模集成電路技術研討會即將于下月5-7日舉行，Intel將會通過兩個主題演講，介紹他們在處理器緩存技術上的最新研究成果，特 別是有望取代現(xiàn)有SRAM的“浮體單元”(Floating Body Cell/FBC)。
　　SRAM和eSRAM
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          • 關鍵字：
                        Intel  SRAM                          
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          Maxim推出具有無痕跡存儲器和篡改檢測功能的安全管理器
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Maxim推出帶有1024字節(jié)無痕跡存儲器的安全管理器DS3644，可安全存儲敏感數(shù)據(jù)。器件內(nèi)部的篡改監(jiān)測器能夠有效抵御時鐘、電信號和溫度篡改事件，還可將篡改檢測輸入連接至外部傳感器，實現(xiàn)靈活的定制特性。片內(nèi)無痕跡存儲器允許終端用戶在發(fā)生特定篡改事件時有選擇地清除存儲器數(shù)據(jù)。這種具有專利保護的存儲器架構*能夠確保在發(fā)生篡改事件時立即擦除數(shù)據(jù)，從而提高了基于SRAM存儲器的系統(tǒng)安全等級。DS3644能夠滿足政府設施、軍事系統(tǒng)等高安全等級應用的要求，適用于需要監(jiān)測多種篡改操作的系統(tǒng)。
　　DS3644能
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          • 關鍵字：
                        Maxim  存儲器  SRAM  DS3644                          
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          Everspin科技推出業(yè)界首款16Mb MRAM
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產(chǎn)品的領導廠商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 進一步強化了該公司在MRAM領域的領導地位?，F(xiàn)在，所有需要無電數(shù)據(jù)保持以及SRAM性能的應用都可使用具有非揮發(fā)性、高性能、以及高可靠性優(yōu)勢的MRAM技術。
　　Everspin科技公司首席運營官Saied Tehrani表示：“Everspin將持續(xù)快速擴展MRAM產(chǎn)品組合，以協(xié)助更多客戶實現(xiàn)產(chǎn)品差異化的目標。根據(jù)產(chǎn)品發(fā)展藍圖，我們將不斷提高MR
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          • 關鍵字：
                        Everspin  MRAM                          
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          MIPS和Virage Logic結成合作伙伴提供優(yōu)化嵌入式內(nèi)存IP
          
                                                            
            
                    	
          • 　　為數(shù)字消費、家庭網(wǎng)絡、無線、通信和商業(yè)應用提供業(yè)界標準處理器架構與內(nèi)核的領導廠商美普思科技公司和備受半導體業(yè)界信賴的IP伙伴Virage Logic 共同宣布，雙方將結成合作伙伴關系為兩家公司的共同客戶提供優(yōu)化嵌入式內(nèi)存IP。Virage 的Logic ASAP 90nm SRAM內(nèi)存實體(memory instance)以及 SiWareTM 65GP高密度SRAM編譯器(SRAM compiler) 系列產(chǎn)品專為MIPS32處理器而優(yōu)化，以協(xié)助客戶加速為藍光DVD、HDTV、IPTV、機頂盒和寬帶
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          • 關鍵字：
                        MIPS  SRAM  嵌入式內(nèi)存                          
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