mram 文章 最新資訊
瑞薩電子超高算力RA8系列新增兩款MCU產(chǎn)品，搭載1GHz雙核7300 CoreMark跑分及嵌入式MRAM技術
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出RA8M2和RA8D2微控制器（MCU）產(chǎn)品。全新MCU產(chǎn)品基于1GHz Arm? Cortex?-M85處理器（可選配250MHz Arm? Cortex?-M33處理器），以7300 CoreMark的原始計算性能刷新行業(yè)基準，實現(xiàn)業(yè)界卓越的計算效能。可選配的Cortex?-M33處理器有助于實現(xiàn)高效的系統(tǒng)分區(qū)和任務隔離。RA8M2與RA8D2同屬RA8系列第二代超高性能MCU——RA8M2為通用型產(chǎn)品，RA8D2 MCU則集成多種高端圖形外設。它們與瑞薩今
- 關鍵字： 瑞薩 MCU MRAM
特斯拉集團與SRAM & MRAM攜手建設全球電動汽車電池超級工廠
- 據(jù)印度報業(yè)托拉斯報道，為大力推動電動汽車（EV）電池制造發(fā)展，特斯拉集團與SRAM & MRAM集團日前達成一項價值10億美元的里程碑式合作協(xié)議。此次合作不僅計劃在印度建設5座先進的電動汽車電池超級工廠，還將在包括美國、馬來西亞、阿曼、巴西、阿聯(lián)酋（UAE）和柬埔寨等另外15個國家部署生產(chǎn)網(wǎng)絡。SRAM & MRAM集團董事長Sailesh L Hiranandani強調(diào)了此次合作的重大意義，他表示，雙方將打造全球規(guī)模最大的電動汽車電池制造與儲能供應鏈之一。這一舉措體現(xiàn)了各方對可持續(xù)能源解
- 關鍵字： 特斯拉 SRAM & MRAM 電動汽車電池 超級工廠
從閃存到MRAM：滿足現(xiàn)代FPGA配置的需求
- 在技術飛速發(fā)展的今天，新興的航空電子、關鍵基礎設施和汽車應用正在重新定義人們對現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應用；然而，隨著技術的進步以及對更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲選項。這種轉變的催化劑在于應用和行業(yè)的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應用的極限，要求在數(shù)據(jù)完整性、系統(tǒng)耐用性和運行效率等方面更進一步?，F(xiàn)代應用需要更先進的功能1.更高的耐用性和可靠性：高級駕駛輔助系統(tǒng)和先進的互連航空電子技術等應用
- 關鍵字： 閃存 MRAM FPGA 萊迪思
IMEC，加碼MRAM
- 不只是 imec，當下諸多研究機構紛紛表示，看好 MRAM。
- 關鍵字： MRAM
鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果
- 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計算和存儲系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術：氧化物半導體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā)，通過改進制造工藝，開發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領域具有廣闊的應用前景。高容量交叉點MRAM（磁阻隨機存取存儲器
- 關鍵字： 鎧俠 存儲技術 DRAM MRAM 3D堆疊
【供應商亮點】Everspin與Lucid Motors攜手，將MRAM技術集成至Gravity SUV車型
- Source:Getty/kaptnal專注于磁阻隨機存取存儲器（MRAM）解決方案的美國企業(yè)Everspin Technologies日前宣布將與Lucid Motors合作，在Lucid即將推出的Gravity電動運動型多用途車中使用其PERSYST MRAM產(chǎn)品。Everspin旗下PERSYST產(chǎn)品線中的一款256Kb串行MRAM產(chǎn)品——MR25H256A，將被集成至Lucid的Gravity SUV車型中。Lucid之所以選擇Everspin的MR25H256A MRAM型號，是因為它能夠在較寬
- 關鍵字： Everspin Lucid Motors MRAM Gravity SUV車型
MRAM，新興的黑馬
- 1956 年，IBM 推出世界上第一個硬盤驅動器——RAMAC 305，可以存儲 5MB 的數(shù)據(jù)，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤體積巨大如同兩臺冰箱，重量超過一噸，但是卻標志著磁盤存儲時代的開始。此后，隨著科技的進步，內(nèi)存技術逐漸發(fā)展。動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），具有較快的讀寫速度，能夠滿足計算機系統(tǒng)在運行過程中對數(shù)據(jù)的快速存取需求。固態(tài)硬盤（SSD）以其高速的讀寫性能、低功耗和抗震動等優(yōu)點，逐漸取代傳統(tǒng)磁盤成為主流存儲設備之一。存儲技術仍舊在持續(xù)發(fā)展，近年來新型存儲技術如雨后春筍般涌現(xiàn)，諸如相
- 關鍵字： 磁變存儲器 MRAM
臺積電新型存儲技術問世，功耗僅為同類技術的1%
- 臺積電利用其自身先進的制程優(yōu)勢，正在積極推動新型存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
- 關鍵字： MRAM
MRAM：RAM和NAND再遇強敵
- M 是一種非易失性存儲技術，通過磁致電阻的變化來表示二進制中的 0 和 1，從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。由于產(chǎn)品本身具備非易失性，讓其在斷電情況下依然可以保留數(shù)據(jù)信息，并擁有不遜色于 DRAM 內(nèi)存的容量密度和使用壽命，平均能耗也遠低于 DRAM。被大廠看好的未來之星，非它莫屬。三星：新里程碑目前三星仍然是全球專利第一，2002 年三星宣布研發(fā) MRAM，2005 年三星率先研究 STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對 MRAM 的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的 MRAM 研發(fā)逐漸走向低調(diào)。20
- 關鍵字： MRAM
迷人的新型存儲
- 多年來，各大廠商多年來孜孜不倦地追求閃存更高層數(shù)和內(nèi)存更先進制程?，F(xiàn)代社會已經(jīng)進入大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)時代——一方面，數(shù)據(jù)呈爆炸式增長，芯片就必須需要具備巨大的計算能力 ；另一方面，依據(jù)傳統(tǒng)摩爾定律微縮的半導體技術所面臨的挑戰(zhàn)越來越大、需要的成本越來越高、實現(xiàn)的性能提高也趨于放緩。應用材料公司金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部全球產(chǎn)品經(jīng)理周春明博士說：「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統(tǒng)的存儲器，已經(jīng)有幾十年歷史了，它們還在一直在向前發(fā)展，不斷更新?lián)Q代，尺寸越來越小，成本越來越低，性能越來越強。」但是已經(jīng)開始出現(xiàn)無法超越的
- 關鍵字： MRAM ReRAM PCRAM
工業(yè)儲存技術再進化 完美內(nèi)存MRAM現(xiàn)身
- 近年來，半導體先進制程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國防航天等領域都可以應用大量芯片記錄海量數(shù)據(jù)。內(nèi)存是所有微控制器嵌入式系統(tǒng)的主要組件，閃存（Flash）儲存技術早已成為工控設備的主流配備。近年來，半導體先進制程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國防航天等領域都可以應用大量芯片記錄海量數(shù)據(jù)。新一代嵌入式內(nèi)存具有小體積、大容量、高效能等特性，可以滿足龐大運算需求，
- 關鍵字： 工業(yè)儲存 MRAM
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