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          sram & mram 文章 最新資訊

          Cortex—M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究

          • 引言 目前,對于存儲單元SRAM的研究都是基于硬件電路來完成,而且這些方法都是運用在生產(chǎn)過程中,但是生產(chǎn)過程 ...
          • 關鍵字: Cortex-3  SRAM  自檢測  

          詳解s3c44b0 cpu 8K cache SRAM的初始化

          • 關于s3c44b0的cpu內部8Kcache SRAM的初始化問題。主要是因為cpu_init()調用了icache_enable()函數(shù),而該函數(shù) ...
          • 關鍵字: s3c44b0  SRAM  初始化  

          Microchip推出四款業(yè)內容量最大、速度最快的新器件

          •   Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布,推出四款業(yè)內容量最大、速度最快的新器件,擴展了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件還是業(yè)內首批5V工作的產(chǎn)品,廣泛適用于汽車和工業(yè)應用。這些512 Kb和1 Mb SPI器件保持了產(chǎn)品組合的低功耗和小型8引腳封裝,成本較低,10,000片起批量供應。通過四路SPI或SQI協(xié)議可實現(xiàn)高達80 Mbps的速度,為卸載圖形、數(shù)據(jù)緩沖、數(shù)據(jù)記錄、顯示、數(shù)學、音頻、視頻及其他數(shù)據(jù)密集型功能提供所需的近乎瞬時數(shù)據(jù)傳送及零寫入時間。   
          • 關鍵字: Microchip  SRAM  

          SoC用低電壓SRAM技術介紹

          • 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上,發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類產(chǎn)品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化,可抑
          • 關鍵字: SRAM  SoC  低電壓    

          非易失性存儲器FeRAM、MRAM和OUM

          • 本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦头且资源鎯ζ髯隽艘粋€簡單的介紹。鐵電存儲器(FeRAM)鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易失存儲器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點。 當前應用于存儲
          • 關鍵字: FeRAM  MRAM  OUM  非易失性存儲器    

          采用FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲的設計

          • 采用FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲的設計,1 前言 針對FPGA中內部BlockRAM有限的缺點,提出了將FPGA與外部SRAM相結合來改進設計的方法,并給出了部分VHDL程序?! ? 硬件設計  這里將主要討論以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS61LV
          • 關鍵字: 存儲  設計  數(shù)據(jù)  大容量  FPGA  SRAM  采用  

          SoC低電壓SRAM技術介紹

          • 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上,發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類產(chǎn)品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化,可抑
          • 關鍵字: SRAM  SoC  低電壓    

          基于SRAM的FPGA配置數(shù)據(jù)存儲方式解析方案

          • 1.引言由于FPGA 良好的可編程性和優(yōu)越的性能表現(xiàn),當前采用FPGA 芯片的嵌入式系統(tǒng)數(shù)量呈現(xiàn)迅速增加的趨勢,特別是在需要進行大規(guī)模運算的通信領域。目前FPGA 配置數(shù)據(jù)一般使用基于SRAM 的存儲方式,掉電后數(shù)據(jù)消失,
          • 關鍵字: SRAM  FPGA  數(shù)據(jù)存儲  方式    

          SRAM在網(wǎng)絡中的應用分析

          • 同步SRAM的傳統(tǒng)應用領域是搜索引擎,用于實現(xiàn)算法。在相當長的一段時間里,這都是SRAM在網(wǎng)絡中發(fā)揮的主要作用。然而,隨著新存儲技術的出現(xiàn),系統(tǒng)設計師為SRAM找到了新的用武之地,如:NetFlow(網(wǎng)流)、計數(shù)器、統(tǒng)計、
          • 關鍵字: 分析  應用  網(wǎng)絡  SRAM  

          基于SRAM工藝FPGA的加密方法介紹

          • 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設計中,由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性,而得到了廣泛的應用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝,要求每次上電,對FPGA器件進行重配置,這就使得可以通過監(jiān)視配置
          • 關鍵字: 方法  介紹  加密  FPGA  SRAM  工藝  基于  

          嵌入式系統(tǒng)應用中NV SRAM存儲器的應用

          • 嵌入式系統(tǒng)應用中NV SRAM存儲器的應用,傳統(tǒng)方案中常常采用EPROM、EEPROM和Flash存儲程序,NVSRAM具有高速存取時間和與SRAM相同的接口,因而可用于存儲程序。本文介紹NVSRAM如何與基于程序和數(shù)據(jù)存儲的微處理器進行接口,并說明選用NVSRAM與現(xiàn)有的其它非易
          • 關鍵字: 應用  存儲器  SRAM  NV  嵌入式  系統(tǒng)  

          DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

          • DS1265W 8Mb非易失(NV)SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM,按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電 ...
          • 關鍵字: DS1265W  SRAM  

          DS1250 4096k、非易失SRAM

          • DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自 ...
          • 關鍵字: DS1250  4096k  SRAM  

          DS1250W 3.3V 4096k全靜態(tài)非易失SRAM

          • DS1250W 3.3V 4096k NVSRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰 ...
          • 關鍵字: DS1250W  3.3V  4096k  全靜態(tài)  SRAM  

          一種基于MCU內部Flash的在線仿真器設計方法

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          sram & mram介紹

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