sram & mram 文章最新資訊

TPACK與Cypress聯(lián)手為以太網(wǎng)交換和流量管理提供參考設(shè)計(jì)

　　SRAM行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯，與領(lǐng)先的核心數(shù)據(jù)傳輸及交換功能IC的供應(yīng)商TPACK日前聯(lián)合宣布，為超高速以太網(wǎng)交換和排隊(duì)管理應(yīng)用推出一款參考設(shè)計(jì)。全新的Springbank參考設(shè)計(jì)結(jié)合了TPACK的 TPX4004高容量集成包處理器和流量管理器，以及賽普拉斯的CY7C15632KV18 72-Mbit Quad Data Rate™II+ (QDR™II+)SRAM，從而能提供最快的速度，并且未來升級(jí)非常簡(jiǎn)單。TPACK參考設(shè)計(jì)還提供對(duì)各類FPGA的便捷接口，擁有強(qiáng)大的應(yīng)用支持
關(guān)鍵字： Cypress SRAM 65nm

為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

　　存儲(chǔ)器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨(dú)特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。　　縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲(chǔ)器廠退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢(mèng)達(dá)最先退出。奇夢(mèng)達(dá)的退出使市場(chǎng)少了10萬片的月產(chǎn)能。　　在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲(chǔ)器也是走在前列，如
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM NAND NOR SRAM

臺(tái)灣研出16納米SRAM技術(shù) 使電子設(shè)備更輕薄

　　臺(tái)灣科研機(jī)構(gòu)今天宣布,開發(fā)出全球第一個(gè)16納米的SRAM新組件,由于可容納晶體管是現(xiàn)行45納米的10倍,這可使未來電子設(shè)備更輕薄. 　　臺(tái)“國(guó)研院”成功開發(fā)出16納米SRAM新組件,主要是創(chuàng)新3項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),包括“納米噴印成像技術(shù)”、“320度低溫微波活化”及“N型鍺組件研究”;由于相較傳統(tǒng)微影光學(xué)成像技術(shù),不需使用到光阻及光罩,預(yù)估也可省下每套新臺(tái)幣2億元的光罩費(fèi)用. 　　該研究機(jī)構(gòu)上午舉行&ldquo
關(guān)鍵字： 16納米 SRAM 45納米

Linux下Cold Fire 片內(nèi)SRAM的應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計(jì)

本文以MP3解碼器為例，介紹了一種在嵌入式Linux系統(tǒng)下配置使用處理器片內(nèi)SRAM的應(yīng)用方案，有效提高了代碼的解碼效率，降低了執(zhí)行功耗。該方案不論在性能還是成本上都得到了很大改善。
1 硬件平臺(tái)和軟件架構(gòu)
關(guān)鍵字：應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計(jì) SRAM 片內(nèi) Cold Fire Linux 音頻

韓國(guó)政府?dāng)y手三星與海力士　研發(fā)MRAM芯片

　　根據(jù)韓聯(lián)社(Yonhap)報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)政府宣布，已與半導(dǎo)體廠三星電子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作，進(jìn)行磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM)的研發(fā)專案，以維持韓國(guó)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位。　　韓國(guó)知識(shí)經(jīng)濟(jì)部半導(dǎo)體與面板部門首長(zhǎng) Park Tae-sung表示，一旦STT-MRAM研發(fā)完成，韓國(guó)于2015年將可掌握大約45%的30奈米制程存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)，并預(yù)估該市場(chǎng)于2
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賽普拉斯推出業(yè)界首款65納米144-Mbit SRAM

　　SRAM行業(yè)的領(lǐng)先者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前推出了業(yè)界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產(chǎn)品成為其65納米SRAM產(chǎn)品系列中的最新成員。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存儲(chǔ)器采用65納米工藝技術(shù)，由臺(tái)灣聯(lián)華電子(UMC)的芯片工廠代工生產(chǎn)。該產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最快的時(shí)鐘，速率可達(dá)550MHz，在36-bit I/O寬度的QDRII+器件中，整體數(shù)據(jù)率達(dá)到80 Gbps，并且其功耗只有采用90納米工藝的SRAM器件的一半。這些產(chǎn)品是諸如互聯(lián)網(wǎng)核心與邊
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便攜消費(fèi)市場(chǎng)FPGA正部分取代ASIC

　　傳統(tǒng)型FPGA基本具備高性能、傳輸速度快的特點(diǎn)，因此這些產(chǎn)品都具有DSP(數(shù)字信號(hào)處理)和高速傳輸I/O接口。它們主要滿足基站、工控、醫(yī)療等市場(chǎng)對(duì)高速產(chǎn)品的需求。SiliconBlue的產(chǎn)品定位與上述傳統(tǒng)型FPGA不同。我們強(qiáng)調(diào)生產(chǎn)針對(duì)便攜消費(fèi)電子市場(chǎng)的低功耗產(chǎn)品。　　傳統(tǒng)的FPGA企業(yè)在低功耗市場(chǎng)上推出的都是密度非常小的器件，只能滿足非常簡(jiǎn)單的邏輯應(yīng)用，而且即使他們?cè)谶@方面有系列產(chǎn)品，產(chǎn)品線相對(duì)來說仍然不很完整。而SiliconBlue看準(zhǔn)這一市場(chǎng)，提供完整的產(chǎn)品線。　　市場(chǎng)上一些新興FPG
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臺(tái)積電28納米SRAM良率突破

　　臺(tái)積電24日宣布率業(yè)界之先，不但達(dá)成28納米64Mb SRAM試產(chǎn)良率，而且分別在28納米高效能高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱28HP)、低耗電高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱28HPL)與低耗電氮氧化硅(簡(jiǎn)稱28LP)等28納米全系列工藝驗(yàn)證均完成相同的良率。　　臺(tái)積電研究發(fā)展副總經(jīng)理孫元成博士表示：“所有三種28納米系列工藝皆已由64Mb SRAM芯片完成良率驗(yàn)證，是一項(xiàng)傲人的成就。更值得一提的是，此項(xiàng)成果亦展現(xiàn)我們兩項(xiàng)高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate)工藝采用gate-last
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 28納米 SRAM

全球首個(gè)22納米節(jié)點(diǎn)靜態(tài)存儲(chǔ)單元研制成功

　　美國(guó)IBM公司、AMD以及紐約州立大學(xué)Albany分校的納米科學(xué)與工程學(xué)院(CNSE)等機(jī)構(gòu)共同宣布，世界上首個(gè)22納米節(jié)點(diǎn)靜態(tài)存儲(chǔ)單元(SRAM)研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設(shè)備環(huán)境下，制造出有效存儲(chǔ)單元。　　22納米節(jié)點(diǎn)靜態(tài)存儲(chǔ)單元SRAM芯片是更復(fù)雜的設(shè)備，比如微處理器的“先驅(qū)”。SRAM單元的尺寸更是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。最新的SRAM單元利用傳統(tǒng)的六晶體管設(shè)計(jì)，僅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。　　新的研究工作是在紐
關(guān)鍵字： IBM SRAM 22納米 32納米

存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)前景令人堪憂

　　去年，一場(chǎng)嚴(yán)重的“價(jià)格寒流”席卷了整個(gè)存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)亦受到了前所未有的沖擊。業(yè)界巨頭三星電子2007年第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告顯示，由于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片的平均銷售價(jià)格迅速下滑，該公司的利潤(rùn)下降了6.6%。DRAM生產(chǎn)商爾必達(dá)(Elpida)也宣布其銷售額下滑了34%，并且第三財(cái)季凈虧損達(dá)1.132億美元。臺(tái)灣地區(qū)廠商茂德科技也因存儲(chǔ)芯片價(jià)格下跌和供過于求而宣布虧損。　　存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)陰霾的表現(xiàn)，迫使許多廠商削減生產(chǎn)或推遲了Fab的投產(chǎn)計(jì)劃。美光(Micron)近期就宣布，將
關(guān)鍵字：三星 DRAM 存儲(chǔ)芯片 MRAM PRAM

瑞薩推出高速SRAM*1產(chǎn)品系列

　　瑞薩科技公司(以下簡(jiǎn)稱“瑞薩”)宣布推出面向新一代通信網(wǎng)絡(luò)內(nèi)高端路由器和交換機(jī)使用的高速SRAM*1產(chǎn)品系列。這些SRAM產(chǎn)品不僅符合QDR聯(lián)盟*2行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求，還實(shí)現(xiàn)了72Mb四倍數(shù)據(jù)速率II+(QDRTM II+)和雙數(shù)據(jù)速率II+(DDRII+)的業(yè)內(nèi)最高工作速度，并且包含72Mb QDRII和DDRII SRAM器件。整個(gè)器件系列(具有多種速度和配置)將于2009年8月在日本開始陸續(xù)進(jìn)行銷售。　　新產(chǎn)品特性如下：　　(1) 業(yè)內(nèi)最高的工作速度：533 MHz(Q
關(guān)鍵字：瑞薩 SRAM DDRII

臺(tái)積電率先推出28納米低耗電平臺(tái)

　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司今(17)日宣布領(lǐng)先專業(yè)積體電路制造服務(wù)領(lǐng)域，成功開發(fā)28納米低耗電技術(shù)，同時(shí)配合雙/三閘極氧化層(dual/triple gate oxide)工藝，將32納米工藝所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride，SiON))/多晶硅(poly Si)材料延伸至28納米工藝，使得半導(dǎo)體可以持續(xù)往先進(jìn)工藝技術(shù)推進(jìn)。此一工藝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)還包括高密度與低Vcc_min六電晶體靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)元件、低漏電電晶體、已通過驗(yàn)證的傳統(tǒng)類比/射頻/電子熔線(analog
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 SRAM 28納米低耗電氮氧化硅多晶硅

賽普拉斯推出采用 65 納米工藝技術(shù)的 SRAM

　　賽普拉斯-SRAM 領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)先公司，日前宣布，該公司在業(yè)界率先推出采用 65 納米線寬的 Quad Data Rate™ (QDR™) 和 Double Data Rate (DDR) SRAM 器件樣品。新推出的 72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存儲(chǔ)器采用了賽普拉斯合作伙伴制造商 UMC 開發(fā)的工藝技術(shù)。新型 SRAM 實(shí)現(xiàn)了目前市場(chǎng)上最快的 550 MHz時(shí)鐘速度，在 36 位 I/O 寬度的 QDRII+ 器件中可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 80
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賽普拉斯半導(dǎo)體公司推出的三款SRAM新品

　　2009年4月8日，北京訊，日前，賽普拉斯半導(dǎo)體公司宣布推出了一款低功耗 SRAM 和兩款快速異步 SRAM，進(jìn)一步豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品系列。新型的 64 兆比特 (Mbit) MoBL® (More Battery Life™) SRAM 是市場(chǎng)上密度最大的低功耗 SRAM，旨在延長(zhǎng)高端銷售點(diǎn)終端、游戲應(yīng)用、VoIP 電話、手持消費(fèi)和醫(yī)療設(shè)備等應(yīng)用的電池工作時(shí)間。新推出的 3 兆比特和6兆比特快速異步 SRAM 與 24 位寬的處理器相連接，能充分滿足音頻處理、無線和網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用
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基于SRAM的FPGA連線資源的一種可測(cè)性設(shè)計(jì)

本文提出在FPGA芯片內(nèi)插入多條移位寄存器鏈的方法，可使測(cè)試開關(guān)盒連線資源的時(shí)問比傳統(tǒng)的測(cè)試方法和已有的一種方法時(shí)間上減少了99％以上，大大降低了測(cè)試的時(shí)間，降低了測(cè)試成本，并且消耗的硬件面積比大約在5％左右，在可接受的范圍內(nèi)。
關(guān)鍵字： SRAM FPGA 資源可測(cè)性設(shè)計(jì)