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功耗
功耗 文章 最新資訊
為什么選擇 PCIe 5.0 來(lái)滿足邊緣的功耗、性能和帶寬？
- 關(guān)鍵PCIe 5.0 仍然是當(dāng)今大多數(shù)應(yīng)用的實(shí)用選擇，允許從 PCIe 4.0 遷移，并且僅在絕對(duì)必要時(shí)遷移到 PCIe 6.0。邊緣人工智能正在推動(dòng)技術(shù)的重大變革，預(yù)計(jì)到 2027-2028 年，50% 的數(shù)據(jù)中心容量將由人工智能驅(qū)動(dòng)，這使得 PCIe 5.0 的高帶寬和低延遲至關(guān)重要。PCIe 5.0 為各種應(yīng)用提供了靈活性，平衡了功耗、性能、面積和延遲權(quán)衡，這對(duì)于汽車和高性能計(jì)算等行業(yè)至關(guān)重要。低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)對(duì)于邊緣設(shè)備和節(jié)能系統(tǒng)都至關(guān)重要，PCIe 5.0 支持各種電源狀態(tài)，以減少能耗，同時(shí)保持性
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負(fù)電容有哪些積極用途？
- 負(fù)電容 （NC） 主要用于降低電子設(shè)備的功耗并實(shí)現(xiàn)超低功耗納米電子學(xué)。通過(guò)利用鐵電材料的獨(dú)特性能，NC 可用于克服傳統(tǒng)晶體管的局限性，并有可能帶來(lái)更節(jié)能的電子設(shè)備，從傳感器到高頻、高功率氮化鎵 （GaN） HEMT。正常電容是存儲(chǔ)與施加電壓成比例的電荷的能力。當(dāng)電荷的變化發(fā)生在與施加電壓變化相反的方向時(shí)，這就是 NC。NC 主要存在于某些鐵電材料中，有時(shí)稱為鐵電負(fù)電容。這些鐵電體在其轉(zhuǎn)變溫度以下表現(xiàn)出雙自由能特性（圖1a）。當(dāng)繪制材料中的極化 （P） 與電場(chǎng) （E） 時(shí)，這會(huì)導(dǎo)致“S”形曲線（圖 1b）。
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低功耗藍(lán)牙降低汽車射頻器件功耗
- 現(xiàn)代車輛采用越來(lái)越多的射頻 （RF） 技術(shù)，以滿足客戶對(duì)性能和功能的期望。然而，滿足這些要求只會(huì)增加整體設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，并帶來(lái)與認(rèn)證和認(rèn)證相關(guān)的挑戰(zhàn)?？紤]到多種無(wú)線電技術(shù)的同時(shí)運(yùn)行需要在開(kāi)發(fā)過(guò)程中采取特殊的干擾預(yù)防措施，以及廣泛的車輛測(cè)試以確保服務(wù)可用性和高質(zhì)量的用戶體驗(yàn)，這種設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)只會(huì)增加。為了克服這些障礙，設(shè)計(jì)人員正在轉(zhuǎn)向低功耗藍(lán)牙 （LE）。它作為減少車輛中射頻技術(shù)數(shù)量的解決方案越來(lái)越受歡迎，并且可能會(huì)擴(kuò)展到鑰匙扣、胎壓監(jiān)測(cè)系統(tǒng) （TPMS） 和數(shù)字鑰匙系統(tǒng)。由于低功耗藍(lán)牙軟件堆棧提供特定的優(yōu)化配置
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未來(lái)的危機(jī)：人工智能數(shù)據(jù)中心的功耗
- 人工智能數(shù)據(jù)中心的能源消耗速度大約是電網(wǎng)新增電力速度的四倍，這為發(fā)電地點(diǎn)、人工智能數(shù)據(jù)中心的建設(shè)地點(diǎn)以及更高效的系統(tǒng)、芯片和軟件架構(gòu)的根本轉(zhuǎn)變奠定了基礎(chǔ)。對(duì)于美國(guó)和中國(guó)來(lái)說(shuō)，這些數(shù)字尤其引人注目，它們正在競(jìng)相擴(kuò)大人工智能數(shù)據(jù)中心。美國(guó)能源部委托編寫的一份 2024 年報(bào)告顯示，去年，美國(guó)數(shù)據(jù)中心消耗了約 4.4% 的總發(fā)電量，約合 176 太瓦時(shí)。預(yù)計(jì)到 2028 年，這一數(shù)字將增加到 325 至 580 太瓦時(shí)，分別占美國(guó)所有發(fā)電量的 6.7% 至 12%。圖 1：2014 年至 2028 年總發(fā)電量與
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當(dāng)今的處理器架構(gòu)能否更高效？
- 多年來(lái)，處理器在專注于性能的同時(shí)幾乎沒(méi)有對(duì)其他任何東西負(fù)責(zé)。但現(xiàn)在，性能雖然還是很重要的參考指標(biāo)，但處理器還必須對(duì)功耗負(fù)責(zé)。
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未來(lái)的芯片將比以往任何時(shí)候都更熱
- 5多年來(lái)，在摩爾定律似乎不可避免的推動(dòng)下，工程師們?cè)O(shè)法每?jī)赡陮⑺麄兛梢苑庋b到同一區(qū)域中的晶體管數(shù)量增加一倍。但是，當(dāng)該行業(yè)追求邏輯密度時(shí)，一個(gè)不需要的副作用變得更加突出：熱量。在當(dāng)今的 CPU 和 GPU 等片上系統(tǒng) （SoC） 中，溫度會(huì)影響性能、功耗和能效。隨著時(shí)間的推移，過(guò)多的熱量會(huì)減慢關(guān)鍵信號(hào)在處理器中的傳播，并導(dǎo)致芯片性能的永久下降。它還會(huì)導(dǎo)致晶體管泄漏更多電流，從而浪費(fèi)功率。反過(guò)來(lái)，增加的功耗會(huì)削弱芯片的能源效率，因?yàn)閳?zhí)行完全相同的任務(wù)需要越來(lái)
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英特爾工程師談客戶端處理器取消超線程：同功耗面積下性能更出色
- 4 月 14 日消息，英特爾核心設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)高級(jí)首席工程師 Ori Lempel 在接受外媒 KitGuru 采訪上表示，該企業(yè)在酷睿 Ultra 2000 系列客戶端處理器中取消性能核（P Core）的超線程，與無(wú)超線程設(shè)計(jì)更優(yōu)秀的同功耗面積下表現(xiàn)密切相關(guān)。Ori Lempel 表示，根據(jù)經(jīng)驗(yàn)估算數(shù)據(jù)，相較硬件上支持超線程 / 同步多線程 (SMT) 但關(guān)閉這一功能的核心，開(kāi)啟超線程能提升 30% 的 IPC 但會(huì)增加 20% 的功耗，而硬件設(shè)計(jì)上不支持超線程的核心能在相同 IPC 下降低 15%
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芯原股份：滿足邊緣智能算力所需 有效控制成本功耗
- 作為人工智能的一個(gè)子集，邊緣智能專注于在數(shù)據(jù)產(chǎn)生的位置（即網(wǎng)絡(luò)的“邊緣”）進(jìn)行數(shù)據(jù)處理和分析，邊緣智能的優(yōu)勢(shì)在于它能夠提供低延遲、高可靠性的數(shù)據(jù)處理，同時(shí)由于減少了數(shù)據(jù)在網(wǎng)絡(luò)中的傳輸，可有效保護(hù)數(shù)據(jù)隱私。此外，邊緣智能可以在沒(méi)有網(wǎng)絡(luò)連接或網(wǎng)絡(luò)不穩(wěn)定的情況下工作，這對(duì)于某些應(yīng)用場(chǎng)景至關(guān)重要。芯原微電子（上海）股份有限公司（簡(jiǎn)稱“芯原股份”或“芯原”）執(zhí)行副總裁、業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)部總經(jīng)理汪洋認(rèn)為，相比于大模型等人工智能應(yīng)用，邊緣智能的應(yīng)用場(chǎng)景主要集中在對(duì)實(shí)時(shí)性、安全性和隱私性要求較高的領(lǐng)域，除了如手機(jī)、電腦等個(gè)人消費(fèi)
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CMOS反相器開(kāi)關(guān)功耗的仿真
- 當(dāng)CMOS反相器切換邏輯狀態(tài)時(shí)，由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類功耗：動(dòng)態(tài)，當(dāng)反相器從一種邏輯狀態(tài)變?yōu)榱硪环N時(shí)發(fā)生。靜態(tài)，由穩(wěn)態(tài)運(yùn)行期間流動(dòng)的泄漏電流引起。我們不再進(jìn)一步討論靜態(tài)功耗。相反，本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真，以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類型的動(dòng)態(tài)功耗。本文關(guān)注的是開(kāi)關(guān)功率——當(dāng)輸出電壓變化時(shí)，由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實(shí)現(xiàn)圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
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CMOS反相器的功耗
- 本文解釋了CMOS反相器電路中的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗。為集成電路提供基本功能的CMOS反相器的發(fā)展是技術(shù)史上的一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)。這種邏輯電路突出了使CMOS特別適合高密度、高性能數(shù)字系統(tǒng)的電氣特性。CMOS的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它的效率。CMOS邏輯只有在改變狀態(tài)時(shí)才需要電流——簡(jiǎn)單地保持邏輯高或邏輯低電壓的CMOS電路消耗的功率非常小。一般來(lái)說(shuō)，低功耗是一個(gè)理想的功能，當(dāng)你試圖將盡可能多的晶體管功能封裝在一個(gè)小空間中時(shí)，這尤其有益。正如計(jì)算機(jī)CPU愛(ài)好者提醒我們的那樣，充分去除集成電路中的熱量可能很困難。如果沒(méi)有CMOS反相
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掌握幾個(gè)技巧 降低運(yùn)放電路中的功耗！
- 問(wèn)：了解運(yùn)算放大器電路中的功耗設(shè)計(jì)為了了解運(yùn)算放大器電路中的功耗問(wèn)題，我們首先明白具有低靜態(tài)電流 (IQ)的放大器以及增加反饋網(wǎng)絡(luò)電阻值與功耗之間的關(guān)系。讓我們首先考慮一個(gè)可能需要關(guān)注功率的示例電路：電池供電的傳感器在 1kHz時(shí)生成 50mV 幅度和 50mV 偏移的模擬正弦信號(hào)。信號(hào)需要放大到 0V 至 3V 的范圍以進(jìn)行信號(hào)調(diào)節(jié)（圖 1），同時(shí)要盡可能節(jié)省電池電量，這將需要增益為 30V/V 的同相放大器配置， 如圖 2 所示。那么，我們應(yīng)該如何來(lái)優(yōu)化該電路的功耗呢？圖 1 : 示例電路中的輸入及輸
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Meta 展示新款 MTIA 芯片：5nm 工藝、90W 功耗、1.35GHz
- 4 月 11 日消息，Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后，近日發(fā)布新聞稿，介紹了新款 MTIA 芯片的細(xì)節(jié)。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝，而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝，采用更大的物理設(shè)計(jì)（擁有更多的處理核心），功耗也從 25W 提升到了 90W，時(shí)鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經(jīng)在 16 個(gè)數(shù)據(jù)中心使用新款 MTIA 芯片，與 MTIA v1 相比，整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動(dòng)表示
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磁滯現(xiàn)象簡(jiǎn)介：與速率相關(guān)和與速率無(wú)關(guān)的磁滯現(xiàn)象
- 本文是磁滯系列文章的第二篇，解釋了工程系統(tǒng)中發(fā)現(xiàn)的兩種磁滯類型。在前一篇文章中，我介紹了磁滯的概念，并解釋了磁滯系統(tǒng)的輸出如何依賴于輸入的當(dāng)前狀態(tài)和系統(tǒng)的歷史。在這篇文章中，我想提供一個(gè)更完整的理論圖片，通過(guò)檢查率依賴和率無(wú)關(guān)磁滯之間的差異。我們還將研究磁滯和功耗之間的關(guān)系。磁滯和延遲之前，我引用了磁滯的四個(gè)定義。我們當(dāng)時(shí)討論了其中兩個(gè)，現(xiàn)在我們將討論另外兩個(gè)：“由于產(chǎn)生效應(yīng)的機(jī)制發(fā)生變化而引起的觀察效應(yīng)變化的磁滯”，《牛津電子與電氣工程詞典》?！坝捎谀Σ恋茸枇?dǎo)致的預(yù)期值的磁滯效應(yīng)”—牛津化學(xué)工程詞典。
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以降壓穩(wěn)壓器解決電流回路發(fā)送器功耗問(wèn)題
- 本文介紹如何使用 100 mA高速同步單芯片降壓型切換穩(wěn)壓器取代LDO穩(wěn)壓器，為電流回路發(fā)送器設(shè)計(jì)精巧型電源。文中評(píng)估其性能，并選擇符合嚴(yán)格的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的組件。并提供效率、啟動(dòng)和漣波測(cè)試數(shù)據(jù)。自動(dòng)化控制在工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用中越來(lái)越普遍，但即使是一流的自動(dòng)化解決方案，也要依賴一種古老的技術(shù)：電流回路。電流回路是控制回路中普遍存在的組件，可以雙向工作：其將測(cè)量結(jié)果從傳感器傳遞至可編程邏輯控制器（PLC），反之，也可將控制輸出從PLC傳遞給制程調(diào)變裝置。4 mA至20 mA的電流回路是透過(guò)雙絞線將數(shù)據(jù)從遠(yuǎn)程傳感器準(zhǔn)
- 關(guān)鍵字： 降壓穩(wěn)壓器 電流回路 發(fā)送器 功耗 ADI
尺寸最小+功耗最低，三星即將宣布MRAM重要突破
- 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子即將在國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上報(bào)告其在新一代非易失性存儲(chǔ)器件領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展。會(huì)議接收的資料顯示，三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了磁性隧道結(jié)堆疊的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)制造，據(jù)稱是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存儲(chǔ)器。該團(tuán)隊(duì)采用三星28nm嵌入式MRAM，并將磁性隧道結(jié)擴(kuò)展到14nm FinFET邏輯工藝。三星研究人員將在12月召開(kāi)的國(guó)際電子器件會(huì)議上就此進(jìn)行報(bào)告。論文中提到，該團(tuán)隊(duì)生產(chǎn)了一個(gè)獨(dú)立的存儲(chǔ)器，其寫入能量要求為每比特25pJ
- 關(guān)鍵字： 功耗 三星 MRAM
功耗介紹
定義
功率的損耗，指設(shè)備、器件等輸入功率和輸出功率的差額。功率的損耗。電路中通常指元、器件上耗散的熱能。有時(shí)也指整機(jī)或設(shè)備所需的電源功率。
功耗同樣是所有的電器設(shè)備都有的一個(gè)指標(biāo)，指的是在單位時(shí)間中所消耗的能源的數(shù)量，單位為W。不過(guò)復(fù)印機(jī)和電燈不同，是不會(huì)始終在工作的，在不工作時(shí)則處于待機(jī)狀態(tài)，同樣也會(huì)消耗一定的能量（除非切斷電源才會(huì)不消耗能量）。因此復(fù)印機(jī)的功耗一般會(huì)有兩個(gè)，一個(gè)是 [ 查看詳細(xì) ]
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