在Microelectronics UK上，Embedd.it 推出了其跨供應商圖形MCU配置器。該公司表示，將“消除嵌入式軟件中的硬件依賴性”并加強供應鏈彈性。該配置器使用人工智能來檢索和組織來自主要制造商的 1,400 多個 MCU 系列的數據，包括瑞薩電子、意法半導體、恩智浦半導體和德州儀器。該配置器是由 Embedd Data Hub 提供支持的一套嵌入式開發(fā)人員工具集的一部分，據稱是第一個標準化的、支持 AI 的活動組件數據庫。它包含部件的硬件特定數據，以簡化嵌入式軟件開發(fā)并將功能（例如，自動驅
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AI 圖形化 MCU 配置器選擇器
各大存儲器企業(yè)正專注于1c DRAM量產的新投資和轉換投資。主要內存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設量產線，據報道，SK海力士正在討論其近期轉型投資的具體計劃。美光本月還獲得了日本政府的補貼，用于其新的 1c DRAM 設施。1c DRAM是各大內存公司計劃在今年下半年量產的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內存）中主動采用 6c DRAM。SK海力士和美光計劃在包括服務器在內的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
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2025年9月23日，杭州微珩科技有限公司（簡稱“微珩科技”）宣布完成數千萬Pre-A輪融資，投資方包括A股上市公司迎豐股份和納斯達克上市公司Nano Labs。 此次融資將助力微珩科技在端側AI推理芯片和高帶寬內存領域的研發(fā)，進一步鞏固其在AI硬件產業(yè)的技術布局，并圍繞兩大市場空白布局：(1) 端側大模型原生支持與高效內存調度，(2)端側HBM模組標準與產業(yè)鏈協(xié)同。 微珩科技是一家專注于AI芯片和系統(tǒng)方案設計的高科技企業(yè)。 公司致力于研發(fā)基于高帶寬內存的端側AI推理芯片以及
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存儲巨頭們正準備在 AI 熱潮引發(fā)的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據 SeDaily 和 Business Korea 報道，正與客戶協(xié)商根據市場條件調整價格。在三大巨頭中，美光是第一個宣布提價的，據 EE Times China9 月 12 日報道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價格將上漲 20%-30%，提價不僅涉及消費級和工業(yè)級存儲，還包括汽車電子，后者的價格漲幅可能達到 70%。行業(yè)消息來源還表
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生成式人工智能模型遠非完美，但這并沒有阻止企業(yè)甚至政府賦予這些機器人重要任務。但是當人工智能變壞時會發(fā)生什么？谷歌 DeepMind 的研究人員花費大量時間思考生成式人工智能系統(tǒng)如何成為威脅，并在該公司的前沿安全框架中詳細介紹了這一切。DeepMind 最近發(fā)布了該框架的 3.0 版，以探索人工智能可能偏離軌道的更多方式，包括模型可以忽略用戶關閉它們的嘗試的可能性。DeepMind 的安全框架基于所謂的“關鍵能力級別”（CCL）。這些本質上是風險評估標準，旨在衡量人工智能模型的能力并定義其行為在
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DeepMind AI 安全報告 “錯位”AI
據韓媒報道，被韓媒譽為“HBM之父”的韓國科學技術院（KAIST）電氣工程系教授金仲浩表示，高帶寬閃存（HBF）有望成為下一代AI時代的關鍵存儲技術，并將與HBM并行發(fā)展，共同推動各大芯片廠商的性能增長。HBF的設計理念與HBM類似，都利用硅通孔（TSV）連接多層堆疊芯片。不同的是，HBM以DRAM為核心，而HBF則利用NAND閃存進行堆疊，具有“更高容量、更劃算”的優(yōu)勢。Kim Joung-ho指出，雖然NAND比DRAM慢，但其容量通常大10倍以上。有效地堆疊數百層甚至數千層，可以滿足AI模型的海量存
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9月16日，據路透社引述兩名知情人士稱，英偉達（Nvidia）專為中國市場量身定制的最新AI芯片RTX 6000D自推出以來市場反應冷淡，阿里巴巴、騰訊、字節(jié)跳動等一些中國主要科技企業(yè)目前均選擇暫不下單。英偉達發(fā)言人對此回應稱："市場競爭激烈，我們始終致力于提供力所能及的最優(yōu)產品。"阿里巴巴、騰訊和字節(jié)跳動均沒有回應置評請求。中國廠商對英偉達的態(tài)度變得更為謹慎RTX 6000D是英偉達為了填補H20在今年4月被禁后的空缺而推出的另一款產品，其采用英偉達Blackwell構架GPU，搭配
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為青春加點“AI”：英特爾攜手微軟、京東助力高校學子開啟智能學習新方式；生態(tài)聚力，AI進校園：英特爾聯(lián)合微軟、京東推動PC智能化普及；從體驗者到未來創(chuàng)造者——英特爾攜手生態(tài)伙伴共推高校加速邁入AI PC時代；不只是電腦，更是AI伙伴：英特爾AI PC校園體驗日讓AI觸手可及
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英偉達周二宣布計劃在英國各地部署數萬個人工智能 GPU，作為該國成為人工智能領域更大參與者的努力的一部分。該公司表示，它正在與 Microsoft 和 CoreWeave 以及 Nscale 和 OpenAI 等公司合作，這些公司正在建立自己的 Stargate UK 數據中心。此舉是英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛所說的主權人工智能的一部分，即在各個國家/地區(qū)構建并為其謀福利的人工智能。該公司已經在法國和阿拉伯聯(lián)合酋長國推出了類似的努力。黃仁勛在一份聲明中表示：“英國正在為人工智能工業(yè)革命建設基礎設施——推進科學
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想象一下，一輛車輛以每小時 54 公里的速度巡航，大約相當于一個物體以每秒 30 幀的速度每幀移動 0.5 米的速度（0.5×30×3.6=54 公里/小時）。安裝在車頂上的是一個緊湊的高性能視覺系統(tǒng)，圍繞 Raspberry Pi 5 板和 Hailo-8L AI 加速器構建。這種實時設置可以檢測前方物體并估計它們與車輛的距離。當物體進入預定義的安全區(qū)域時，系統(tǒng)可以立即發(fā)出警告或啟動緊急制動，從而增強態(tài)勢感知和反應時間。該系統(tǒng)使用 Raspberry Pi 5 上的 AI 加速器 HAT 構建，作為生產
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隨著全球數據中心部署的加速，云巨頭正將其需求從訓練 AI 轉向推理 AI，推動了對大容量內存需求的持續(xù)增長，并導致內存供應緊張從 DRAM 轉向 NAND。供應鏈消息人士透露，在上周閃迪將 NAND 價格上調 10%之后，美光也通知客戶將暫停所有產品的價格一周。行業(yè)內部人士報告稱，美光將從今天開始停止向分銷商和 OEM/ODM 制造商報價，涵蓋 DRAM 和 NAND 產品，甚至不愿意討論明年的長期合同。供應鏈消息人士表示，在審查客戶 FCST（需求預測）后，美光發(fā)現將面臨嚴重的供應短缺，促使公司緊急暫停
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根據 The Elec 的報道，KAIST 教授金正浩指出，HBF（高帶寬閃存）——像 HBM 一樣堆疊的 NAND 閃存——可能成為 AI 未來的決定性因素。正如報道解釋的那樣，HBF 在結構上與 HBM 相似，芯片堆疊并通過硅通孔（TSV）連接。關鍵的區(qū)別在于 HBF 使用 NAND 閃存代替了 DRAM。AI 瓶頸主要受限于內存帶寬報告指出，金（Kim）強調當前 AI 受限于內存帶寬和容量。他解釋說，今天的基于 Transformer 的模型可以處理高達 100 萬個 token
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檢索增強生成 （RAG） 和表增強生成 （TAG） 都是提高人工智能 （AI） 利用外部數據生成準確且相關信息的能力的技術。其他選擇包括檢索增強微調 （RAFT） 和檢索中心生成 （RCG）。了解何時使用 RAG、TAG、RAFT 和 RCG 對于成功和高效的 AI 實施至關重要。所有這些都專注于提高大型語言模型 （LLM） 的性能。LLM 根據可能過時或不完整的訓練數據生成響應。RAG、TAG、RAFT 和 RCG 是解決這些限制的方法。RAG 專注于從文檔和網頁等非結構化數據源檢索和合并信息。TAG
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臺積電（臺積電）昨天表示，為先進封裝設備開發(fā)本地化供應鏈對于跟上客戶日益縮短的新型人工智能（AI）芯片上市周期至關重要。臺積電先進封裝技術與服務副總裁何軍在臺北舉辦的 3D IC 全球高峰會上表示，在 AI 革命的推動下，客戶正在將產品升級速度加快到幾乎每年，與過去兩到三年的開發(fā)節(jié)奏相比。他說，這些縮短的周期給芯片制造商帶來了沉重壓力，因為從芯片設計到批量生產的整個過程現在必須壓縮到一年內。他說，這需要臺積電在短短三個季度內將產量從零提高到峰值水平，將實現大批量生產所需的時間縮短 30%，并引用了該公司過
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美國國會推動AI GAIN法案，將要求本國AI芯片制造商向海外供貨前先滿足國內需求。不過，英偉達表示，AI GAIN法案將限制使用先進芯片產業(yè)的全球競爭，美國領導地位與經濟的影響與美國前總統(tǒng)拜登政府制定的「AI擴散規(guī)則（AI Diffusion Rule）」相似，AI擴散規(guī)則對各國可擁有的運算能力設限。AI GAIN法案全名為「保障國家人工智能獲取與創(chuàng)新法案（Guaranteeing Access and Innovation for National Artificial Intelligence Ac
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