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三星旨在通過新一代 DRAM 和 HBM4 實現(xiàn)半導體回歸
- Samsung Electronics 第二季度盈利大幅下滑主要源于其半導體業(yè)務表現(xiàn)不佳，該業(yè)務占整體利潤的 50-60%。由于持續(xù)的技術問題，高帶寬內(nèi)存（HBM）和其他高容量、高附加值內(nèi)存產(chǎn)品未能從蓬勃發(fā)展的人工智能（AI）領域獲益。代工（合同芯片制造）和系統(tǒng) LSI 業(yè)務也因未能爭取到主要客戶而繼續(xù)虧損。然而，隨著 Nvidia 的 HBM 大規(guī)模生產(chǎn)批準的可能性在第三季度增加，以及上半年積累的內(nèi)存庫存得到清理，人們對業(yè)績反彈的預期正在增長。根據(jù)行業(yè)消息，7 月 8 日三星電子的設備解決方案（DS）部
- 關鍵字： 三星電子 HBM.半導體產(chǎn)業(yè)
三星電子的半導體困境：HBM苦苦掙扎，競爭對手表現(xiàn)出色
- 三星電子在今年第二季度錄得的營業(yè)利潤明顯低于市場預期，引發(fā)了對其高帶寬內(nèi)存 （HBM） 業(yè)務失敗的擔憂，這被視為這一缺口背后的最大原因，以及代工業(yè)務的潛在復蘇。盡管存儲半導體需求低迷，但 SK 海力士和美光在 HBM 和高性能 DRAM 的引領下取得了不錯的成績，而三星電子卻在性能不佳的泥潭中苦苦掙扎。特別是，三星電子自第四代 HBM （HBM3） 以來，所有代 HBM 產(chǎn)品都未能取得顯著成果，導致 SK 海力士和美光占據(jù)市場領先地位。根據(jù)國內(nèi)證券公司的分析，三星電子的內(nèi)存部門錄得約 3 萬億韓元的營業(yè)利
- 關鍵字： 三星電子 半導體 HBM
全球晶圓廠擴張能否跟上美光 HBM 的激增？美國、日本和印度的最新時間表
- 美光在 2025 財年第三季度的創(chuàng)紀錄收入是由 HBM 銷售額激增近 50%推動的——而且勢頭仍在繼續(xù)。這家美國內(nèi)存巨頭現(xiàn)在目標是到年底占據(jù)約 25%的 HBM 市場份額，正如 ZDNet 所報道的那樣。雖然其樂觀的展望吸引了市場關注，但焦點也集中在其全球產(chǎn)能擴張能否跟上。以下是美光最新制造動向的簡要回顧，包括國內(nèi)和海外。美國生產(chǎn)時間表指向2027年開始2022 年 9 月，美光公司公布了一項 150 億美元的擴張計劃，計劃在其愛達荷州博伊西總部建設一個尖端研發(fā)和半導體制造設施——這是
- 關鍵字： 美光 HBM 內(nèi)存
Micron將HBM擴展到四個主要的GPU/ASIC客戶端
- 在 2025 財年第三季度 HBM 銷售額增長近 50% 的推動下，美光公布了創(chuàng)紀錄的收入，現(xiàn)在正著眼于另一個里程碑。據(jù) ZDNet 稱，這家美國內(nèi)存巨頭的目標是到 2025 年底將其 HBM 市場份額提高到 23-24%。值得注意的是，美光在其新聞稿中表示，它現(xiàn)在正在向 GPU 和 ASIC 平臺上的四個客戶交付大批量 HBM。因此，該公司預計到 2025 年下半年，其 HBM 市場份額將達到與其整體 DRAM 份額持平。據(jù)路透社報道，美光的強勁業(yè)績反映了 NVIDIA 和 AMD
- 關鍵字： Micron HBM GPU ASIC
全球晶圓廠擴張能否跟上美光HBM的激增
- 美光在 2025 財年第三季度創(chuàng)紀錄的收入是由 HBM 銷售額增長近 50% 推動的，而且這種勢頭并沒有放緩。正如 ZDNet 所指出的那樣，這家美國存儲器巨頭現(xiàn)在的目標是到年底在 HBM 市場占據(jù)大約 25% 的份額。雖然其樂觀的前景吸引了市場的關注，但人們也關注其全球產(chǎn)能擴張能否跟上步伐。以下是美光在國內(nèi)外的最新制造舉措。美國生產(chǎn)時間表指向 2027 年開始根據(jù)其新聞稿，2022 年 9 月，美光公布了一項價值 150 億美元的計劃，以擴建其位于愛達荷州博伊西的總部，該總部將擁有尖
- 關鍵字： 晶圓廠 美光 HBM
據(jù)報道三星 1c DRAM 良率高達 70%，為年底推出 HBM4 鋪平道路
- 隨著將 HBM4 時代的希望寄托在其 1c DRAM 的進展上，據(jù)報道三星在良率方面取得了重大突破。據(jù) sedaily 報道，該公司最近在其第六代 10nm 級 DRAM（1c DRAM）晶圓測試中實現(xiàn)了 50-70%的良率——這一數(shù)字較去年的 30%以下水平有了顯著提升。值得注意的是，與 SK 海力士和美光等堅持使用更成熟的 1b DRAM 生產(chǎn) HBM4 不同，三星正大膽押注下一代 1c DRAM。隨著良率穩(wěn)步提高，該公司計劃在其華城和平澤工廠加大 1c DRAM 的生產(chǎn)規(guī)模，根據(jù)
- 關鍵字： 三星 HBM 存儲
DDR4瘋狂漲價，DRAM廠商爆賺
- 據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，由于DDR4供應減少，再加上市場神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點，更達到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲，甚至比更高規(guī)格的DDR5報價更高，呈現(xiàn)“價格倒掛”，業(yè)界直言：“至少十年沒看過現(xiàn)貨價單日漲幅這么大。”根據(jù)DRAM專業(yè)報價網(wǎng)站DRAMeXchange最新報價顯示，6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
- 關鍵字： DDR4 DRAM 三星 美光 南亞科技 華邦電子 HBM
HBM 開發(fā)路線圖揭曉：2038 年將推出 HBM8，具有 16,384 位接口和嵌入式 NAND
- 韓國頂尖國家級研究機構(gòu) KAIST 發(fā)布了一份 371 頁的論文，詳細介紹了到 2038 年高帶寬內(nèi)存（HBM）技術的演進，展示了帶寬、容量、I/O 寬度以及熱量的增加。該路線圖涵蓋了從 HBM4 到 HBM8 的發(fā)展，包括封裝、3D 堆疊、以內(nèi)存為中心的架構(gòu)以及嵌入 NAND 存儲，甚至基于機器學習的方法來控制功耗。 請記住，該文件是關于 HBM 技術假設演進的，基于當前行業(yè)和研究方向，而不是任何商業(yè)公司的實際路線圖。（圖片來源：KAIST）每堆疊的 HBM 容量將從 288GB 增加到 34
- 關鍵字： HBM.NAND
英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM
- 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術以及東京大學持有的數(shù)據(jù)傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計劃于2027年完成原型開發(fā)并評估量產(chǎn)可行性，目標是在2030年前實現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設計工作以及專利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負責這種分工模式有助于充分發(fā)揮
- 關鍵字： 英特爾 軟銀 HBM DRAM 三星 SK海力士
三星考慮進行大規(guī)模內(nèi)部重組
- 據(jù)韓媒SEDaily報道，三星半導體部門（即DS設備解決方案部）正對系統(tǒng)LSI業(yè)務的組織運作方式的調(diào)整計劃進行最終審議，相關決定將在不久后公布。預計在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負責人全永鉉做出最終決定之前，還將進行更多高層討論，并聽取董事長李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務主要負責芯片設計，在三星半導體體系中承擔著為移動業(yè)務（MX）部門開發(fā)Exynos手機SoC的核心任務。然而，近年來Exynos 2x00系列應用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門的利潤空間，
- 關鍵字： 三星 HBM LSI DRAM 半導體 晶圓代工
英偉達新款中國特供芯片：放棄Cowos封裝和HBM
- 據(jù)路透社報道，英偉達即將針對中國市場推出一款新的AI芯片，預計售價在6500美元至8000美元之間，遠低于H20芯片的10000至12000美元，較低的價格反映了其較弱的規(guī)格和更簡單的制造要求，避開了受美國出口規(guī)則限制的先進技術。知情人士稱，這款新的專供中國市場的GPU將會是基于英偉達的服務器級圖形處理器RTX Pro 6000D來進行構(gòu)建，采用傳統(tǒng)的GDDR7顯存，而不是HBM3e，也沒有使用臺積電的先進封裝技術CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate），這也使得這款芯片成本大幅
- 關鍵字： 英偉達 芯片 Cowos 封裝 HBM
NVIDIA新中國版AI芯片放棄 CoWoS和HBM以降價30%
- 據(jù)報道，在 NVIDIA 的 H20 受到最新的美國 AI 芯片出口限制后，這家美國芯片巨頭一直在開發(fā)一款針對市場的新芯片組。據(jù)路透社報道，這款基于 Blackwell 的芯片最早可能在 6 月首次亮相，成本比 H30 低 20% 以上。路透社指出，NVIDIA 對內(nèi)存和封裝的選擇是該芯片價格較低的關鍵原因。值得注意的是，據(jù)報道，新型號將放棄臺積電先進的 CoWoS 封裝。此外，該報告補充說，預計它將基于 RTX Pro 6000D（服務器級 GPU）與標準 GDDR7 內(nèi)存配對，而不是更昂貴的 HBM。
- 關鍵字： NVIDIA 中國版 AI芯片 CoWoS HBM
對Apple iPhone20的期望：HBM、無縫屏幕、純硅電池
- 據(jù) etnews 報道，據(jù)報道，蘋果已啟動其 2027 年 iPhone 的開發(fā)，引起了行業(yè)的廣泛關注，因為它計劃進行重大技術升級以紀念該設備 20 周年。以下是 Apple 可能整合到下一代 iPhone 中的一些潛在新技術。Apple 將使用 HBM 解鎖 iPhone 的 AI 功能該報告指出，設備端 AI 將需要顯著的內(nèi)存進步，業(yè)界預計 Apple 將在 2027 年之前在 iPhone 中采用移動 HBM。消息人士稱，蘋果可能已經(jīng)與三星電子和 SK 海力士等主要內(nèi)存供應商討論
- 關鍵字： Apple iPhone20 HBM 無縫屏幕 純硅電池
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